Amb是活性金屬釬焊技術(shù)，陶瓷電路板采用AMB工藝制作后具有更高的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合強(qiáng)度高等特點(diǎn)，而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近，可應(yīng)用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。目前采用amb陶瓷制作工藝的是氮化鋁陶瓷和氮化硅陶瓷，經(jīng)過加工制作線路和打孔后分別稱為AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板。

AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別

AMB氮化鋁陶瓷電路板采用的是氮化鋁陶瓷基板作為基材，AMB氮化硅陶瓷電路板則是采用氮化硅陶瓷基板作為基材，兩者的性能和應(yīng)用有差異。

一，氮化鋁陶瓷陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板性能和應(yīng)用

氮化鋁陶瓷陶瓷基板的性能和應(yīng)用

氮化鋁（AlN）陶瓷基板是一種新型的基片材料，具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認(rèn)為是最有發(fā)展前途的高導(dǎo)熱陶瓷基片。AlN陶瓷具有高熱導(dǎo)率（理論熱導(dǎo)率280W/m/K）、低介電常數(shù)（約為8.8）、與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)（293K-773K，4.8×10-6K-1）、高電阻率（>1014Ω?cm）和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（1.4×107V/cm）、低比重（理論密度3.26g/cm3）、高機(jī)械強(qiáng)度（抗彎強(qiáng)度300-400MPa）、無毒等特點(diǎn)，成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料，在國防、航空航天、通訊、微電子等領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用前景十分廣闊。

氮化硅陶瓷基板板材的性能和應(yīng)用

氮化硅陶瓷基板導(dǎo)熱率75-80W/(m·K），導(dǎo)熱確實(shí)比不上氮化鋁陶瓷基板，但是氮化硅陶瓷基板彎曲強(qiáng)度是氮化鋁陶瓷基板的 2-3 倍，可以提高氮化硅陶瓷覆銅板強(qiáng)度和抗沖擊能力，焊接更厚的無氧銅而不會(huì)產(chǎn)生瓷裂現(xiàn)象，提高了基板的可靠性

通過與厚銅基板的覆接，其熱導(dǎo)率是氧化鋁陶瓷基板 3-4 倍，大幅提高基板的散熱性能；基板承載電流能力更強(qiáng)、基板整體散熱性能更好、熱阻更低、耐溫度沖擊能力更強(qiáng)。氮化硅陶瓷基板具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、高可靠的特點(diǎn)，可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路，經(jīng)表面鍍覆后制得的一種用于高可靠性電子基板模塊封裝的基板材料，是新型電動(dòng)汽車功率控制模塊的首選基板材料。產(chǎn)品在功率型發(fā)射器、光伏器件，IGBT 模塊，功率型晶閘管、諧振器基座、半導(dǎo)體封裝載板等大功率光電及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有廣泛用途。

      二 AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別

AMB氮化鋁陶瓷電路板導(dǎo)熱率比AMB氮化硅陶瓷電路板更高，但是AMB氮化硅

陶瓷電路板抗彎曲強(qiáng)度更強(qiáng)，是氮化鋁陶瓷基板的 2-3 倍。因?yàn)檫@些突出的特點(diǎn)也決定了他們各自突出的行業(yè)應(yīng)有優(yōu)勢(shì)。

      以上是小編講述的 AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板的區(qū)別，相信您對(duì)這兩種陶瓷電路板的區(qū)別和特性以及應(yīng)有有了較清楚的認(rèn)識(shí)，企業(yè)可以更加產(chǎn)品性能需要選擇合適的陶瓷電路板，更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。