DPC陶瓷基板在芯片封裝中的重要作用

       封裝基板是連接內(nèi)外散熱通路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱、組裝等功效，以實(shí)現(xiàn)多引腳化，縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。

 一，多芯片模塊以及超密度芯片模塊需要良好的導(dǎo)熱性能

隨著近年來科技不斷升級(jí)，芯片輸入功率越來越高，對(duì)高功率產(chǎn)品來講，其封裝基板要求具有高電絕緣性、高導(dǎo)熱性、與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)等特性。以往封裝在金屬PCB板上，仍需要導(dǎo)入一個(gè)絕緣層來實(shí)現(xiàn)熱電分離。由于絕緣層的熱導(dǎo)率極差，此時(shí)熱量雖然沒有集中在芯片上，但是卻集中在芯片下的絕緣層附近，一旦做更高功率，散熱的問題就會(huì)浮現(xiàn)。這明顯與市場(chǎng)發(fā)展方向是不匹配的。

 二．DPC陶瓷基板優(yōu)勢(shì)決定了芯片封裝需要陶瓷基板

    而DPC陶瓷基板可以解決這個(gè)問題，因?yàn)樘沾杀旧砭褪墙^緣體，散熱性能也好，DPC陶瓷電路板可將芯片直接固定在陶瓷上，便不需要在陶瓷上面再做絕緣層了。直接鍍銅 (Direct plating copper)工藝在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。DPC陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)：

l 低通訊損耗——陶瓷材料本身的介電常數(shù)使得信號(hào)損耗更小。

l 高熱導(dǎo)率——氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率是15～35 w/mk，氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率是170～

230 w/mk，芯片上的熱量直接傳導(dǎo)到陶瓷片上面，無需絕緣層，可以做到相對(duì)更好的散熱。

l 更匹配的熱膨脹系數(shù)——芯片的材質(zhì)一般是Si（硅）GaAS（ 砷化鎵），陶瓷和芯片

的熱膨脹系數(shù)接近，不會(huì)在溫差劇變時(shí)產(chǎn)生太大變形導(dǎo)致線路脫焊、內(nèi)應(yīng)力等問題。

l 高結(jié)合力——陶瓷電路板產(chǎn)品的金屬層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度高，最大可以達(dá)到45MPa（大于1mm厚陶瓷片自身的強(qiáng)度）。

l 純銅通孔——陶瓷DPC工藝支持PTH（電鍍通孔）/Vias（導(dǎo)通孔）。

l 高運(yùn)行溫度——陶瓷可以承受波動(dòng)較大的高低溫循環(huán)，甚至可以在600度的高溫下正常運(yùn)作。

l 高電絕緣性——陶瓷材料本身就是絕緣材料，可以承受很高的擊穿電壓。

l 定制化服務(wù)——可以按客戶需求提供定制服務(wù)，根據(jù)用戶給出的產(chǎn)品設(shè)計(jì)圖和要求來進(jìn)行批量生產(chǎn)。用戶可以擁有更多選擇，更加人性化。

DPC基板工藝，利用薄膜制造技術(shù)——真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍結(jié)合于銅金屬復(fù)合層，使銅與陶瓷基板有著超強(qiáng)結(jié)合力，接著以黃光微影之光阻被復(fù)曝光、顯影、蝕刻、去膜工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線路的厚度，待光阻移除后即完成金屬化線路制作。DPC陶瓷基板更加符合高密度、高精度和高可靠性的未來發(fā)展方向。等多DPC陶瓷基板相關(guān)技術(shù)應(yīng)用咨詢金瑞欣特種電路。