氮化鋁陶瓷基板——LED的散熱“福音”

國內(nèi)LED不斷向著高功率、高密度和高校發(fā)展，對LED散熱提出了更高的要求。功率越大散熱越大，解決LED散熱的問題就是關(guān)鍵點。氮化鋁陶瓷基板給LED散熱帶來了“福音”，充分解決了LED大功率散熱的難題。

一，LED散熱基板原理和要求

自2017年以來，LED突飛猛進，功率越來越大，尋求優(yōu)越的性能材料成為

LED散熱問題的關(guān)鍵所在。從技術(shù)的角度來說，一般LED發(fā)光效率和使用壽命會隨結(jié)溫的增加而下降，當(dāng)結(jié)溫達到125℃以上時，LED甚至?xí)霈F(xiàn)失效。為使LED結(jié)溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導(dǎo)率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。

1、過去SI等金屬材料各項性能對比

現(xiàn)階段常用基板材料有Si、金屬及金屬合金材料、陶瓷和復(fù)合材料等，它們的熱膨脹系數(shù)與熱導(dǎo)率如下表所示。其中Si材料成本高；金屬及金屬合金材料的固有導(dǎo)電性、熱膨脹系數(shù)與芯片材料不匹配；陶瓷材料難加工等缺點，均很難同時滿足大功率基板的各種性能要求。

LED氮化鋁陶瓷基板.jpg

2、傳統(tǒng)的LED散熱基板滿足不了高功率LED的散熱需求

從過去到現(xiàn)在功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展，可供選用的散熱基板主要有環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復(fù)合基板、陶瓷覆銅基板等。

環(huán)氧樹脂覆銅基板是傳統(tǒng)電子封裝中應(yīng)用最廣泛的基板。它起到支撐、導(dǎo)電和絕緣三個作用。其主要特性有：成本低、較高的耐吸濕性、密度低、易加工、易實現(xiàn)微細圖形電路、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但由于FR－4的基底材料是環(huán)氧樹脂，有機材料的熱導(dǎo)率低，耐高溫性差，因此FR－4不能適應(yīng)高密度、高功率LED封裝要求，一般只用于小功率LED封裝中。

金屬基覆銅基板是繼FR－4后出現(xiàn)的一種新型基板。它是將銅箔電路及高分子絕緣層通過導(dǎo)熱粘結(jié)材料與具有高熱導(dǎo)系數(shù)的金屬、底座直接粘結(jié)制得，其熱導(dǎo)率約為1．12 W／m·K，相比FR－4有較大的提高。由于具有優(yōu)異的散熱性，它已成為目前大功率LED散熱基板市場上應(yīng)用最廣泛的產(chǎn)品。但也有其固有的缺點：高分子絕緣層的熱導(dǎo)率較低，只有0．3 W／m·K，導(dǎo)致熱量不能很好的從芯片直接傳到金屬底座上；金屬Cu、Al的熱膨脹系數(shù)較大，可能造成比較嚴重的熱失配問題。

金屬基復(fù)合基板最具代表性的材料是鋁碳化硅。鋁碳化硅是將SiC陶瓷的低膨脹系數(shù)和金屬Al的高導(dǎo)熱率結(jié)合在一起的金屬基復(fù)合材料，它綜合了兩種材料的優(yōu)點，具有低密度、低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、高剛度等一系列優(yōu)異特性。AlSiC的熱膨脹系數(shù)可以通過改變SiC的含量來加以調(diào)試，使其與相鄰材料的熱膨脹系數(shù)相匹配，從而將兩者的熱應(yīng)力減至最小。

二，陶瓷基板以及氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢

1、陶瓷基板的優(yōu)勢

陶瓷基板材料常見的主要有Al2O3、氮化鋁、SiC、BN、BeO、Si3N4等，

與其他基板材料相比，陶瓷基板在機械性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)具有以下特點：

（1）機械性能。機械強度，能用作為支持構(gòu)件；加工性好，尺寸精度高；表

面光滑，無微裂紋、彎曲等。

（2）熱學(xué)性質(zhì)。導(dǎo)熱系數(shù)大，熱膨脹系數(shù)與Si和GaAs等芯片材料相匹配，

耐熱性能良好。

（3）電學(xué)性質(zhì)。介電常數(shù)低，介電損耗小，絕緣電阻及絕緣破壞電高，在高

溫、高濕度條件下性能穩(wěn)定，可靠性高。

（4）其他性質(zhì)?；瘜W(xué)穩(wěn)定性好，無吸濕性；耐油、耐化學(xué)藥品；無毒、無公

害、α射線放出量小；晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，在使用溫度范圍內(nèi)不易發(fā)生變化；原材料資源豐富。