氮化鋁陶瓷基板在大功率器件領域，因其導熱率而被市場受用。那么今天天小編要分享的氮化鋁陶瓷基板制作技術的關鍵詞問題。一，氮化鋁基板簡介和應用概況

1.氮化鋁材料有哪些突出特性

        氮化鋁是氮和二元系列中唯一穩(wěn)定的化合物，具有高的熔點和良好的導熱特性。

        晶形：六方晶系鈣鈦礦型

        分解溫度：2500攝氏度

        理論熱導率：320W/m.k

        導熱率是氧化鋁的7倍，高溫導熱優(yōu)于氧化鈹；

        熱膨脹系數(shù)：與硅熱膨脹系數(shù)匹配

        電特性：高電絕緣，低介電常數(shù)；耐腐蝕特性：對熔融金屬有優(yōu)良的耐腐蝕特殊性。

無毒，高純，綜合性能優(yōu)異的電子封裝材料。

 2，氮化鋁應用背景。

 氮化鋁陶瓷覆銅板滿足高壓IGBT模塊，廣泛應用于高鐵、電動汽車、智能電網(wǎng)和新能源等“綠色經(jīng)濟”。氮化鋁陶瓷封裝基板滿足大功率LED芯片散熱的需求，在汽車大燈、室外照明、舞臺燈等高速LED中應用廣泛。氮化鋁薄膜封裝基板滿足芯片功率散熱、高頻傳輸?shù)确矫妫诠馔ㄓ嵵械腡OSA/ROSA/TO中的PD、LD器件中應用廣泛。氮化鋁具有高熱導率、高強度、低介電常數(shù)、熱膨脹系數(shù)接近和無毒等優(yōu)異的綜合性能。

光通訊領域、微波通訊領域、LED領域等軍民各個高功率需要氮化鋁封裝和基板作為關鍵散熱材料。氧化鋁是未來小型化、集成化、多功能電子封裝發(fā)展必不可缺的材料之一，前景廣闊。

二，氮化鋁基板制作關鍵技術問題

1氮化鋁粉體和燒結助劑選擇。氮化鋁粉體：高純度、粒度小、比表面積大、碳含量低、氧含量低、雜質金屬離低。燒結助劑于AIN粉表面的氧化鋁成份在燒結過程中反應形成低熔點的復合氧化物，從而燒結體中產(chǎn)生液相。這些液相包圍AIN顆粒，在毛細管力的作用下發(fā)生顆粒重排和內(nèi)部氣孔排出，最終實現(xiàn)AIN瓷的致密燒結。

2.氮化鋁成型工藝流延成型：

       漿料穩(wěn)定性及粘度的控制

       流延帶料厚度均勻性控制

       帶料X-Y方向收縮率控制

3. 氮化鋁燒結工藝

       氮化鋁陶瓷燒結需要注意的問題：

       選取合適燒結制度（升溫制度、燒結溫度、保溫時間）

      采用合適的保護氣氛防止氮化鋁陶瓷的氧化

       燒結設備：溫度均勻性

4. 氮化鋁金屬化工藝 氮化鋁厚膜金屬化

金屬化體系：金屬化結合力：2KG/平方毫米

表面覆銅100um滿足電流承載需求

表面鍍覆鎳適合鍵合和焊接

5氮化鋁薄膜基板：

采用磁控濺射工藝設備，線條精度高；可預制焊料、電阻等體系。

6 氮化鋁覆銅板：

低熱阻，由于它是銅點路板和陶瓷基板直接結合的簡單結構；

可以直接安裝硅片，因為它們的熱膨脹系數(shù)相當；高可靠，可承載大電流。

7 氮化鋁腹鋁基板：低價格，制造成本低

良好的可塑性：有效的緩解界面熱膨脹系數(shù)不同引起的熱應力

液態(tài)鋁與氮化鋁為物理潤濕：界面結合力高、無空洞、無過渡層。

8，氮化鋁多層陶瓷封裝

       氮化鋁與鎢金屬化體系高溫共燒；多層陶瓷布線設計滿足電路要求；可以與金線進行焊接；氣密性封裝。

可見氮化鋁是綜合優(yōu)異的電子陶瓷封裝材料，滿足系統(tǒng)集成的發(fā)展和需要；氮化鋁粉體、流延成型工藝控制、燒結是陶瓷制備的關鍵工藝，特別是粉體材料亟待國產(chǎn)化；氮化鋁陶瓷金屬工藝是鏈接陶瓷與器件之間的紐帶，需要開發(fā)系列化產(chǎn)品滿足不同大功率場合應用環(huán)境。

 目前IGBT陶瓷基板在大功率使用方面的陶瓷板多醫(yī)療進口，金瑞欣作為電路板廠家能做的是做好陶瓷基板的生產(chǎn)，不斷提升制作工藝和方法，為市場和客戶提供優(yōu)質的陶瓷電路板。目前主營的陶瓷基板有氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板，可以加工精密線路、實銅填孔、LED無機圍壩工藝。