集成元件印制板的金屬薄膜平面電阻工藝與常規(guī)印制板制造工藝相比，基本上是相同的或者說(shuō)是大同小異，主要是針對(duì)薄膜電阻材料的特征進(jìn)行補(bǔ)充或處理，才能獲得高質(zhì)量的平面電阻。今天就分享一下“pcb埋入金屬薄膜電阻制造工藝”

1）金屬薄膜平面電阻的材料的蝕刻。對(duì)于電沉積的鎳麟合金薄膜電阻材料來(lái)說(shuō)，可以采用硫磺銅溶液來(lái)蝕刻去鎳麟合金屬。所以在酸性或堿性氧化銅蝕刻除去電阻層上面不需要的銅箔層（不含保護(hù)電阻上的銅箔層）后，應(yīng)由濕板立即轉(zhuǎn)入進(jìn)行平面電阻蝕刻，以防止鎳表面氧化。

2）內(nèi)層氧化。在完成電阻層蝕刻并經(jīng)清潔后對(duì)銅箔表面進(jìn)行氧化處理，這樣處理，既有利于層壓要求，又可以保證電阻值穩(wěn)定，但會(huì)造成二次顯影和二次去膜較為困難，若氧化放在層壓前處理，則氧化處理將會(huì)影響電阻層從而造成電阻值向大方向波動(dòng)，這是不利的，但可以事先評(píng)估損失而加以補(bǔ)償，

3）二次堿性蝕刻，。這一步的目的是為了蝕刻去電阻層上面的銅箔層。但是如果控制不好時(shí)，如過(guò)蝕刻時(shí)，蝕刻液會(huì)慢慢對(duì)電阻層進(jìn)行蝕刻而變薄，甚至蝕刻掉。蝕刻液對(duì)電阻層表面的侵蝕主要由電阻表面在堿性蝕刻液暴露時(shí)間和蝕刻液維護(hù)與控制等因素來(lái)決定。因此要很好的控制蝕刻中的PH值、蝕刻溫度、比重和噴淋方式與壓力等優(yōu)化蝕刻終點(diǎn)。

4）去氧化層。可以采用10%·20%的硫酸或鹽酸以去銅表面的氧化層。

5）PCB內(nèi)層埋入平面電阻。常規(guī)真空層壓機(jī)進(jìn)行壓制來(lái)實(shí)現(xiàn)。但由于平面電阻層厚度極薄，因而應(yīng)避免疊板等過(guò)程中有任何的損傷電阻層。同時(shí)，壓制時(shí)壓力過(guò)高或剪壓力過(guò)大會(huì)引起電阻值增加，因此，要采用樹(shù)脂含量較高的半固化片或在TG溫度以上才加壓。

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