當前位置:首頁 ? 常見問題 ? 電子陶瓷基板基片材料性能和種類
在電子半導體領域用的大多數(shù)是陶瓷封裝基板,陶瓷基板封裝需要好的高熱導率、絕緣性等性能,今天小編重點來講解電子陶瓷基板基片材料的性能和種類。
電子陶瓷封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導率,將熱量從芯片 (熱源) 導出,實現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換。對于功率半導體器件而言,封裝基板必須滿足以下要求:
(1) 高熱導率。目前功率半導體器件均采用熱電分離封裝方式,器件產(chǎn)生的熱量大部分經(jīng)由封裝基板傳播出去,導熱良好的基板可使芯片免受熱破壞。
(2) 與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配。功率器件芯片本身可承受較高溫度,且電流、環(huán)境及工況的改變均會使其溫度發(fā)生改變。由于芯片直接貼裝于封裝基板上,兩者熱膨脹系數(shù)匹配會降低芯片熱應力,提高器件可靠性。
(3) 耐熱性好,滿足功率器件高溫使用需求,具有良好的熱穩(wěn)定性。
(4) 絕緣性好,滿足器件電互連與絕緣需求。
(5) 機械強度高,滿足器件加工、封裝與應用過程的強度要求。
(6) 價格適宜,適合大規(guī)模生產(chǎn)及應用。
目前常用電子封裝基板主要可分為高分子基板、金屬基板 (金屬核線路板,MCPCB) 和陶瓷基板幾類。對于功率器件封裝而言,封裝基板除具備基本的布線 (電互連) 功能外,還要求具有較高的導熱、耐熱、絕緣、強度與熱匹配性能。因此,高分子基板 (如 PCB) 和金屬基板 (如 MCPCB) 使用受到很大限制;而陶瓷材料本身具有熱導率高、耐熱性好、高絕緣、高強度、與芯片材料熱匹配等性能,非常適合作為功率器件封裝基板,目前已在半導體照明、激光與光通信、航空航天、汽車電子、深海鉆探等領域得到廣泛應用。
1 陶瓷基片材料
作為封裝基板,要求陶瓷基片材料具有如下性能:(1) 熱導率高,滿足器件散熱需求;(2) 耐熱性好,滿足功率器件高溫 (大于 200°C) 應用需求;(3) 熱膨脹系數(shù)匹配,與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配,降低封裝熱應力;(4) 介電常數(shù)小,高頻特性好,降低器件信號傳輸時間,提高信號傳輸速率;(5) 機械強度高,滿足器件封裝與應用過程中力學性能要求;(6) 耐腐蝕性好,能夠耐受強酸、強堿、沸水、有機溶液等侵蝕;(7) 結(jié)構(gòu)致密,滿足電子器件氣密封裝需求;(8) 其他性能要求,如對于光電器件應用,還對陶瓷基片材料顏色、反光率等提出了要求。
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁 (Al2O3)、氮化鋁 (AlN)、氮化硅 (Si3N4)、氧化鈹 (BeO)等。下面分別介紹其性能與技術(shù)特點。
1 .1氧化鋁 (Al2O3)
氧化鋁陶瓷呈白色,熱導率為 20 W/(m·K) ~ 30 W/(m·K),25°C ~ 200°C 溫度范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)為 7.0 × 10-6/°C ~ 8.0 × 10-6/°C,彈性模量約為 300 GPa,抗彎強度為 300MPa ~ 400 MPa,介電常數(shù)為 10,其粉料與樣品如圖所示。
氧化鋁陶瓷基片成型方法主要有軋膜法、流延法和凝膠注膜法等。其中后兩種方法采用去離子水代替有機溶劑,既可降低成本,也有利于環(huán)保,是 Al2O3 陶瓷片制備主要研究方向之一。由于Al2O3 晶格能較大,離子鍵較強,因此燒結(jié)溫度較高,95%Al2O3 陶瓷燒結(jié)溫度為 1650°C ~ 1700°C, 99% Al2O3 陶瓷燒結(jié)溫度則高達 1800°C。如此高的燒結(jié)溫度不僅導致制作成本偏高,而且所得到的產(chǎn)品晶粒粗大,氣孔難以排除,導致 Al2O3 陶瓷氣孔率增加,力學性能降低。研究表明,在原料中加入適量添加劑可降低燒結(jié)溫度,降低陶瓷氣孔率,提高陶瓷材料致密性與熱導率。常用添加劑有生成液相型燃燒助劑 (如 SiO、CaO、SrO 和 BaO 等堿金屬氧化物)、生成固溶體型燒結(jié)助劑 (如 TiO2、MnO2、Fe2O3 和 Cr2O3 等) 以及稀土燒結(jié)助劑 (如 Y2O3、La2O3、Sm2O3 以及 Nd2O3 等稀土氧化物)。根據(jù) Al2O3 粉料與添加劑的不同含量,可將 Al2O3 陶瓷分為 75 瓷、85 瓷、96 瓷、99 瓷等不同牌號。
氧化鋁陶瓷具有原料來源豐富、價格低廉、絕緣性高、耐熱沖擊、抗化學腐蝕及機械強度高等優(yōu)點,是一種綜合性能較好的陶瓷基片材料,占陶瓷基片材料總量的 80% 以上。但由于其熱導率相對較低 (99% 氧化鋁熱導率約為 30 W/(m·K),熱膨脹系數(shù)較高,一般應用在汽車電子、半導體照明、電氣設備等領域。
1.2 氮化鋁 (AlN)
氮化鋁材料呈灰白色 (如圖 2 所示),屬于六方晶系,是以 [AlN4] 四面體為結(jié)構(gòu)單元的纖鋅礦型共價鍵化合物。該結(jié)構(gòu)決定了其具有優(yōu)良的熱學、電學和力學性能。AlN 陶瓷理論熱導率可達320 W/(m·K),其商用產(chǎn)品熱導率一般為 180 W/(m·K) ~ 260 W/(m·K) [9],25°C ~ 200°C 溫度范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)為 4 × 10-6/°C (與 Si 和 GaAs 等半導體芯片材料基本匹配),彈性模量為 310 GPa,抗彎強度為 300 MPa ~ 340 MPa,介電常數(shù)為 8 ~ 10。
AlN 陶瓷燒結(jié)同樣需要燒結(jié)助劑來改善性能,提高質(zhì)量。常用助燒劑有 Y2O3、CaO、Li2O、BaO、MgO、SrO、La2O3、HfO2 和 CeO2 等。助燒劑的主要作用有兩方面:一是形成低熔點物相,實現(xiàn)液相燒結(jié)進而降低燒結(jié)溫度;二是與晶格中的雜質(zhì)氧發(fā)生反應,使晶格完整化,進而提高陶瓷性能。一般而言,二元或多元燒結(jié)助劑往往可以獲得更好的燒結(jié)效果。助燒劑加入方式有兩種,一是直接添加,另一種是以可溶性硝酸鹽形式制成前驅(qū)體原位生產(chǎn)燒結(jié)助劑。傳統(tǒng) AlN 陶瓷成型方法有模壓、等靜壓和熱壓等,但這些方法生產(chǎn)周期長、效率低、制品各方向受力不均勻,無法滿足電子封裝需求。近年來業(yè)界逐步開發(fā)了流延成型、注凝成型、注射成型等工藝。其中,流延法主要適用于制備片狀產(chǎn)品,分為有機和無機體系。相對而言,有機流延體系具有溶劑選擇范圍廣、干燥時間短、防止粉體水化等特點,但常用的醇、酮及苯等有機溶劑具有一定毒性,生產(chǎn)受到一定限制。因此,目前行業(yè)內(nèi)主要采用水基流延成型法,但也存在坯體干燥易起泡和變形、燒結(jié)易開裂以及制品表面不光滑等問題。
氮化鋁陶瓷熱導率為氧化鋁陶瓷的 6 ~ 8 倍,但熱膨脹系數(shù)只有其 50%,此外還具有絕緣強度高、介電常數(shù)低、耐腐蝕性好等優(yōu)勢。除了成本較高外,氮化鋁陶瓷綜合性能均優(yōu)于氧化鋁陶瓷,是一種非常理想的電子封裝基片材料,尤其適用于導熱性能要求較高的領域。
1.3 氮化硅陶瓷 (Si3N4)
Si3N4 具有三種晶體結(jié)構(gòu),分別是 α 相、β 相和 γ 相 (其中 α 與 β 相是最常見形態(tài)),均為六方結(jié)構(gòu),其粉料與基片呈灰白色,如圖 3 所示。Si3N4 陶瓷基片彈性模量為 320 GPa,抗彎強度為 920 MPa,熱膨脹系數(shù)僅為 3.2 × 10-6/°C,介電常數(shù)為 9.4,具有硬度大、強度高、熱膨脹系數(shù)小、耐腐蝕性高等優(yōu)勢。由于 Si3N4 陶瓷晶體結(jié)構(gòu)復雜,對聲子散射較大,因此早期研究認為其熱導率低,如 Si3N4軸承球、結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品熱導率只有15 W/(m·K) ~ 30 W/(m·K)。1995 年,Haggerty 等人通過經(jīng)典固體傳輸理論計算表明,Si3N4 材料熱導率低的主要原因與晶格內(nèi)缺陷、雜質(zhì)等有關(guān),并預測其理論值最高可達 320 W/(m·K)。之后,在提高 Si3N4 材料熱導率方面出現(xiàn)了大量的研究,通過工藝優(yōu)化,氮化硅陶瓷熱導率不斷提高,目前已突破 177 W/(m·K) 。
Si3N4 陶瓷傳熱機制同樣為聲子傳熱。晶格中的雜質(zhì)往往伴隨著空位、位錯等結(jié)構(gòu)缺陷,降低了聲子平均自由程,導致熱導率降低,因此制備高純粉體是制備高熱導率 Si3N4 陶瓷的關(guān)鍵。目前,市場上商用 Si3N4 粉料制備方法主要有兩種,分別為硅粉直接氮化法及硅亞胺熱解法。前者工藝較成熟,生產(chǎn)成本低,因此國內(nèi)外大多數(shù)企業(yè)使用該法來生產(chǎn) Si3N4 粉料。但該方法所生產(chǎn)的 Si3N4 粉料含有Fe、Ca、Al 等雜質(zhì),雖然可以通過酸洗去除,但大大增加了生產(chǎn)成本。后者可制備出具有較高燒結(jié)活性的 Si3N4 粉料,不含金屬雜質(zhì)元素,粒徑分布在 0.2 μm ~ 1 μm,且產(chǎn)量巨大,但技術(shù)難度較高。
Si3N4 陶瓷燒結(jié)助劑一般為金屬氧化物、稀土氧化物或二者的混合物。Zhou 等人采用Y2O3-MgO 燒結(jié)助劑制備出氮化硅熱導率高達 177W/(m·K),這是目前為止報道的 Si3N4 陶瓷最高熱導率。但是,氧化物燒結(jié)助劑會在 Si3N4 晶體中引入氧原子,導致熱導率降低。采用非氧化物燒結(jié)助劑可減少氧含量,對于凈化 Si3N4 晶格、減少晶界玻璃相、提高熱導率及高溫力學性能具有重要意義。梁振華等人分別以 MgSiN2 和 MgSiN2 與 Y2O3 混合物作為燒結(jié)助劑,在相同條件下制備 Si3N4 陶瓷,前者熱導率為 90 W/(m·K),而后者僅為 70 W/(m·K)。Hayashi 等人以 Yb2O3-MgSiN2 和 Yb2O3-MgO作為燒結(jié)助劑,在相同條件下制備 Si3N4 陶瓷,結(jié)果發(fā)現(xiàn)前者熱導率更高。
Si3N4 陶瓷燒結(jié)方法主要有反應燒結(jié)、常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和放電等離子燒結(jié)等。反應燒結(jié)具有線收縮率低、成本低等優(yōu)點,但其致密度低、力學性能差、熱導率低。常壓燒結(jié)與熱壓燒結(jié)制備的Si3N4 陶瓷具有較好的機械性能,但熱導率偏低,成本較高。氣壓燒結(jié)是指在燒結(jié)過程中施加壓力約為 1 MPa ~ 10 MPa 的氣體 (通常為 N2) 以抑制 Si3N4 分解,促進粉料致密化,獲得高密度產(chǎn)品。放電等離子燒結(jié)是一種通過壓力場、溫度場和電流場等效應燒結(jié)制備陶瓷的新技術(shù)。
在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4 陶瓷抗彎強度高 (大于 800 MPa),耐磨性好,是綜合機械性能最好的陶瓷材料,同時其熱膨脹系數(shù)最小,因而被認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜,成本較高,熱導率偏低,主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。
1.4 氧化鈹 (BeO)
BeO 材料密度低,具有纖鋅礦型和強共價鍵結(jié)構(gòu),其粉末與基片均為白色,如圖 4 所示。BeO相對分子量較低,導致材料熱導率高,如純度為 99% 的 BeO 陶瓷室溫熱導率可達 310 W/(m·K);其禁帶寬度高達 10.6 eV,介電常數(shù)為 6.7,彈性模量為 350 GPa,抗彎強度為 200 MPa,具有良好的綜合性能。
但是,BeO 材料也存在一些不足,包括:(1) BeO 粉體具有毒性,人體大量吸入后將導致急性肺炎,長期吸入會引起慢性鈹肺病,因此在生產(chǎn)過程中要采用特殊防護措施;(2) BeO 燒結(jié)溫度高達1900°C 以上,生產(chǎn)成本高;(3) 熱導率隨著溫度升高而降低,如在 0°C ~ 600°C 溫度范圍內(nèi),BeO陶瓷平均熱導率為 206.67 W/(m·K),但當溫度升高到 800°C 時,其熱導率降低為十分之一,上述原因限制了氧化鈹?shù)耐茝V應用。但在某些大功率、高頻半導體器件以及航空電子設備和衛(wèi)星通訊中,為了追求高導熱和理想高頻特性,仍在采用 BeO 陶瓷基片。
目前,美國是全球主要的 BeO 陶瓷基板生產(chǎn)和消費國,福特和通用等汽車公司在點火裝置中大量使用 BeO 陶瓷基板。
1.5 其它陶瓷基片材料
除了上述陶瓷材料外,碳化硅 (SiC)、氮化硼 (BN) 等也都可作為陶瓷基片材料。其中,SiC 單晶材料室溫熱導率可達 490 W/(m·K),但 SiC 多晶體熱導率僅為 67 W/(m·K)。此外,SiC 材料介電常數(shù)為 40,是 AlN 陶瓷的 4 倍,限制了其高頻應用。BN 材料具有較好的綜合性能,但作為基片材料,它沒有突出優(yōu)點,且價格昂貴,與半導體材料熱膨脹系數(shù)也不匹配,目前仍處于研究中。SiC和 BN 陶瓷基板如圖 5 所示。
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