陶瓷基板磁控濺射DPC工藝的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

 陶瓷基板磁控濺射DPC工藝就是用磁控濺射的方法將銅與陶瓷基板牢牢的結(jié)合起來(lái)，所以陶瓷電路板的金屬結(jié)晶性能好，平整度好、線路不易脫落，并具有可靠穩(wěn)定的性能，從而有效提升芯片與基板的結(jié)合強(qiáng)度。那么磁控濺射DPC工藝有什么優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)呢？

磁控濺射的原理和過(guò)程如下：

1，磁控濺射的基本過(guò)程

濺射是一種在真空狀態(tài)下通過(guò)弧光放電的方式將鈦金屬材料沉積到基材表面，從而形成一層底層薄膜的真空工藝過(guò)程?；緸R射工藝如下： 電子撞擊惰性氣體原子（ 通常氬） ，使其成為離子。這些高能離子在電場(chǎng)的作用下轟擊鈦靶。強(qiáng)烈的轟擊使目標(biāo)原子逃出材料表面，在電場(chǎng)的作用下最終在基板的表面形成一層薄膜，該原子層薄膜的厚度取決于濺射時(shí)間。

2，磁控濺射全過(guò)程

       磁控濺射全過(guò)程和基本濺射過(guò)程相比，兩者的主要區(qū)別在于磁控濺射過(guò)程比基本濺射過(guò)程在目標(biāo)區(qū)域多一個(gè)強(qiáng)大的磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)使得電子沿著磁場(chǎng)線在目標(biāo)區(qū)域運(yùn)動(dòng)，而不會(huì)被基底吸引過(guò)去。因此，相比于基本濺射過(guò)程，磁控濺射過(guò)程有三個(gè)優(yōu)點(diǎn)：

（1）等離子區(qū)僅限于目標(biāo)材料附近，不會(huì)損害正在形成薄膜。

（2）電子運(yùn)動(dòng)的距離變得更長(zhǎng)，增加了電子電離氬原子的概率，這意味著更多的目標(biāo)原子將被轟擊出來(lái)，從而提高了濺射工藝的效率。

（3）磁控濺射產(chǎn)生的薄膜雜質(zhì)含量最小，保證了膜的質(zhì)量。

  在日常生產(chǎn)中鍍膜屬于前端工序，做好截留與自檢能大大降低品質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)，首先在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)異常情況的產(chǎn)品要及進(jìn)行截留，做好標(biāo)識(shí)記錄。自檢是保證每爐產(chǎn)品的一致性，設(shè)備的日常點(diǎn)檢保養(yǎng)，人員的操作行為規(guī)范。

        可見磁控濺射DPC工藝膜層質(zhì)量更好，結(jié)合力更強(qiáng)，穩(wěn)定性更強(qiáng)。更多陶瓷基板加工工藝可以咨詢金瑞欣特種電路。