氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板都是導(dǎo)熱性能較好的基材，在集成電路、散熱半導(dǎo)體、交通軌道燈領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。那么氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有哪些區(qū)別呢?

一，氮化硅陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱率和膨脹系數(shù)不同

 1，導(dǎo)熱率：氧化鋁的導(dǎo)熱率差不多在30 W/(m·K)左右，大于25W/(m·K).氮化硅的導(dǎo)熱率80W/(m·K)左右.

    2， 熱膨脹系數(shù)：氧化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱系數(shù)和氮化硅陶瓷電路板有所不同。

導(dǎo)熱率和熱膨脹系數(shù)是最直接體現(xiàn)電路板性能的參數(shù)，氧化鋁陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)是6.8~7.8（10-6/K），氮化硅的熱膨脹系數(shù)是2.6~3.1（10-6/K）。

二．氧化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板導(dǎo)熱率相當(dāng)，氮化硅陶瓷基板機(jī)械強(qiáng)度更強(qiáng)

1，導(dǎo)熱性能不同，氧化鋁陶瓷基板具有很高的導(dǎo)熱率30w;氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱率一般75-80W/(m·K）.

2，機(jī)械強(qiáng)度不同，氮化硅陶瓷基板具有比氧化鋁陶瓷更高的強(qiáng)度。其中氧化鋁陶瓷基板的抗壓強(qiáng)度是310~400mpa，96氧化鋁陶瓷抗彎強(qiáng)度是38Mpa，99氧化鋁陶瓷抗彎強(qiáng)度400Mpa.而氮化硅陶瓷基板的抗彎強(qiáng)度是800mpa。可見氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度更強(qiáng)，在需要抗彎強(qiáng)度的領(lǐng)域還是會(huì)優(yōu)先使用到氮化硅陶瓷基板的。

目前市場(chǎng)陶瓷基板的種類還是以氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板為主導(dǎo)，氮化硅陶瓷基板等其它陶瓷基板則相對(duì)而言使用率不是特別高，在一些特定的行業(yè)需要用到。金瑞欣是一家以氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板為主導(dǎo)的陶瓷基板加工生產(chǎn)廠家，可以加工精密線路、實(shí)銅填空、圍壩工藝等。更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。

以下是“氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板的不同”