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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應(yīng)用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。

2023-06-26 http://www.ymmxhf.cn/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實(shí)物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結(jié)構(gòu)是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個(gè)控制電極。

2023-06-12 http://www.ymmxhf.cn/Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]陶瓷基板都有哪些材料可以選擇呢

陶瓷基板都有哪些材料可以選擇呢電力電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊廣泛應(yīng)用陶瓷基板，主要是因?yàn)樘沾苫鍍?yōu)越的導(dǎo)電性、氣密性、絕緣性性能。今天要分享陶瓷基板都有哪些材料可以選擇，以及陶瓷基板導(dǎo)熱材料的發(fā)展。一，過(guò)去用樹(shù)脂基板現(xiàn)在用陶瓷基板有何區(qū)別環(huán)氧樹(shù)脂基板，由于其良好的經(jīng)濟(jì)性，在整個(gè)電子市場(chǎng)上仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，但許多特殊領(lǐng)域如高溫、線膨脹系數(shù)不匹配、氣密性、穩(wěn)定性、力學(xué)性能等顯然不適合，即使在環(huán)氧樹(shù)脂中加入大量的有機(jī)溴化物，也無(wú)濟(jì)于事。陶瓷材料基板，導(dǎo)熱性強(qiáng)，是樹(shù)脂基板導(dǎo)熱性能的10倍甚至百倍，陶瓷材料的氣密性非常好，另外陶瓷基板絕緣性也非常高，不需要在添加絕緣層，除了費(fèi)用貴一些，其他性能都挺好。二，陶瓷基板可以選擇的陶瓷材料 1.氮化鋁（AIN）氮化鋁有兩個(gè)重

2022-10-29 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibanduyounaxie.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]鋁碳化硅陶瓷基板的應(yīng)用領(lǐng)域

鋁碳化硅陶瓷基板的應(yīng)用領(lǐng)域鋁基碳化硅陶瓷基板因?yàn)閷?dǎo)熱率高、熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配，重量輕、密度小、高硬度和高抗彎強(qiáng)度，被應(yīng)用到很多產(chǎn)品領(lǐng)域，今天本來(lái)主要闡述其應(yīng)用。一，鋁碳化硅陶瓷基板應(yīng)用到高功率LED 鋁基碳化硅基板導(dǎo)熱高、密度低、碳化硅顆粒的的熱膨脹系數(shù)與LED芯片襯底接近，可以有效的減少熱應(yīng)力，且彈性模量高，另外鋁成本低，導(dǎo)熱高、密度低等特點(diǎn)，因此被應(yīng)用高功率LED產(chǎn)品領(lǐng)域，既能有效的幫助高功率LED解決散熱問(wèn)題，又減少熱應(yīng)力，降低成本。二，鋁碳化硅陶瓷基板應(yīng)用到IGBT底板 IGBT底板載流量高、散熱高、功率高，鋁碳化硅基板的高熱率和更加匹配的熱膨脹系數(shù)是應(yīng)用到IGBT底板的關(guān)鍵，鋁碳化硅陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)

2022-10-19 http://www.ymmxhf.cn/Article/lvtanhuaguitaocijiba.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)

鋁碳化硅基板是什么，鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn) 鋁碳化硅基板（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳，在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件、軍工等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用。今天小編要分享的是鋁碳化硅基板的優(yōu)缺點(diǎn)：一，鋁碳化硅基板的優(yōu)點(diǎn)1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC底板上。3，鋁碳化硅基板重量輕，硬度強(qiáng)，抗彎強(qiáng)度高、抗震效果好。在惡劣環(huán)境下的首選材料。此外，鋁碳化硅基板（AI/SiC）由于具

2022-10-19 http://www.ymmxhf.cn/Article/lvtanhuaguijibanshis.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別

鋁碳化硅基板與氮化硅基板的區(qū)別鋁碳化硅基板在軌道機(jī)車、飛機(jī)、半導(dǎo)體IGBT器件等產(chǎn)品領(lǐng)域被應(yīng)用，主要是因?yàn)?font style='color:#005dc5;'>鋁基碳化硅基板具備導(dǎo)熱率高、熱膨脹系數(shù)與芯片更匹配，重量輕、密度小、高硬度和高抗彎強(qiáng)度。那么鋁碳化硅基板和氮化硅基板有什么區(qū)別呢？一，鋁碳化硅基板的和氮化硅基板的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)鋁基碳化硅基板鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。被應(yīng)用到軍工行業(yè)領(lǐng)域，有著非常重要的突出優(yōu)勢(shì)。1，AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性2，AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K）能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，

2022-10-08 http://www.ymmxhf.cn/Article/lvtanhuaguijibanyuda.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎

鋁碳化硅基板為何在IGBT底板應(yīng)用備受歡迎IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強(qiáng)模塊機(jī)械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅（AlSiC），鋁碳化硅基板哪些優(yōu)勢(shì)適應(yīng)了IGBT底板的要求呢？一，什么是鋁碳化硅基板（AlSiC），有什么性能特點(diǎn) 鋁碳化硅（AlSiC）是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱，又稱碳化硅鋁或鋁硅碳。鋁碳化硅早期應(yīng)用于美軍機(jī)雷達(dá)芯片襯底，用于替代鎢銅；替代后散熱效果優(yōu)異，并且使雷達(dá)整體減重10公斤，這使AlSiC材料得到了重視。二，鋁碳化硅基板有以下核心優(yōu)勢(shì)1) AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK），是一般封裝材料的十倍，可將芯片產(chǎn)生的熱量及時(shí)散發(fā)，提高整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性。2）AlSiC是復(fù)合

2022-09-06 http://www.ymmxhf.cn/Article/lvtanhuaguijibanweihe.html

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