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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]電子封裝用陶瓷粉體及基板研究介紹

氮化鋁具有一系列優(yōu)良特性，核心優(yōu)勢(shì)特性為優(yōu)良的熱導(dǎo)性、可靠的電絕緣性、以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等。它既是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料，也可用于熱交換器、壓電陶瓷及薄膜、導(dǎo)熱填料等，應(yīng)用前景廣闊。

2023-09-25 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibanyanjiujies.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]為什么 IGBT 模塊中需要柵極電阻器？

IGBR 電阻器具有高額定功率、單一引線接合組裝的特性，外殼尺寸從 0202 到 0808 不等。典型應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換器（第三代 SiC MOSFET）的柵極電阻器、大功率應(yīng)用和替代能源等領(lǐng)域。IGBR 是節(jié)省電源模塊空間的完美部件。

2023-09-20 http://www.ymmxhf.cn/Article/weishimeIGBTmokuaizh.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開(kāi)分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開(kāi)與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域。隨著我國(guó)高鐵、航空航天、混合動(dòng)力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢(shì)能夠完全發(fā)揮出來(lái)。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時(shí)起著機(jī)械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://www.ymmxhf.cn/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]“怕熱”的 IGBT 選擇哪種導(dǎo)熱材料好？

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計(jì)散熱要求也隨之增加。電子器件工作時(shí)散發(fā)的熱量如不能及時(shí)導(dǎo)出，會(huì)嚴(yán)重影響電子器件的性能和壽命。目前 IGBT 功率器件上廣泛使用以導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱相變材料等導(dǎo)熱界面材料（Thermal Interface Materials，TIM），以填充安裝面與器件散熱面之間的間隙，避免高溫對(duì)器件的影響。

2023-04-25 http://www.ymmxhf.cn/Article/paredeIGBTxuanzenazh.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會(huì)被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導(dǎo)體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術(shù)與銅接合：將無(wú)氧銅經(jīng)熱氧化或化學(xué)氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級(jí)+技術(shù)迭代的成長(zhǎng)機(jī)遇

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來(lái)，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題，以碳化硅為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢(shì)下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化。與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：（1）能量損耗低。碳化硅模塊的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等 IGBT 模塊，且隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，與 IGBT 模塊的損耗差越大，碳化硅模塊在降低損耗的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn) 高速開(kāi)關(guān)，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車痛點(diǎn)；（2）更小的封

2023-03-13 http://www.ymmxhf.cn/Article/tanhuaguixingyeyanji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]關(guān)于高導(dǎo)熱率氧化硅散熱陶瓷的研究進(jìn)展（一）

針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢(shì)。

2022-12-05 http://www.ymmxhf.cn/Article/guanyugaodaorelvyang.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對(duì)新能源汽車能帶來(lái)哪些有利影響

碳化硅陶瓷基板（SiC）對(duì)新能源汽車能帶來(lái)哪些有利影響在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應(yīng)商和主機(jī)廠經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品。汽車動(dòng)力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來(lái)源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱?dòng)機(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺(tái)從400V升級(jí)到800V。相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強(qiáng)，應(yīng)用在800V平臺(tái)中能夠產(chǎn)生更高的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，可以達(dá)到充電快和續(xù)航里程遠(yuǎn)的綜合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個(gè)吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機(jī)控制器的純電動(dòng)汽車，開(kāi)創(chuàng)碳化硅陶瓷基板應(yīng)用的先河?；?IGBT 的諸多優(yōu)勢(shì)，在 Model 3 問(wèn)世之前，市面上的新能源車均采用 I

2022-10-27 http://www.ymmxhf.cn/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

IGBT陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用什么是IGBT？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極晶體管，由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電子電力器件，是一種電壓控制開(kāi)關(guān)型功率半導(dǎo)體器件，也是電能轉(zhuǎn)換的核心器件。IGBT 可分為單管、模塊和智能功率模塊（IPM）三類產(chǎn)品。IGBT 是誕生于20世紀(jì)80年代的功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。二、IGBT模塊的結(jié)構(gòu)IGB

2022-08-24 http://www.ymmxhf.cn/Article/IGBTtaocijibandejieg.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]先進(jìn)陶瓷在新能源電動(dòng)汽車上的應(yīng)用舉例

先進(jìn)陶瓷在新能源電動(dòng)汽車上的應(yīng)用舉例長(zhǎng)時(shí)間的疫情反復(fù)、俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)帶來(lái)的地緣政治危機(jī)、全球貨幣放水、能源需求增長(zhǎng)、國(guó)際石油生產(chǎn)組織成員國(guó)的限產(chǎn)措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓對(duì)當(dāng)今油價(jià)望而卻步。面對(duì)仿佛轉(zhuǎn)眼就能突破十元大關(guān)的油價(jià)，曾經(jīng)多數(shù)對(duì)新能源汽車持懷疑態(tài)度的用戶也不得不承認(rèn)，現(xiàn)如今的油價(jià)讓新能源汽車的優(yōu)勢(shì)較油車性價(jià)比提升了不少。那先進(jìn)陶瓷在電動(dòng)汽車上如何應(yīng)用的呢？可被應(yīng)用于新能源汽車的先進(jìn)陶瓷舉例：（1）新能源汽車用陶瓷球：新能源汽車中，陶瓷軸承的應(yīng)用成為一種趨勢(shì)。新能源汽車對(duì)汽車軸承提出了更多新要求，首先電機(jī)軸承相比傳統(tǒng)軸承轉(zhuǎn)速高，需要密度更低、相對(duì)更耐磨的材料；同時(shí)由于電機(jī)的交變電流引起周圍電磁場(chǎng)變化，需要更好的絕緣性減小軸承放電產(chǎn)生的電腐蝕；

2022-06-25 http://www.ymmxhf.cn/Article/xianjintaocizaixinne.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅陶瓷基板在汽車產(chǎn)品上的應(yīng)用

隨著新能源的發(fā)展需求，人們對(duì)汽車輕質(zhì)化、低成本、智能化、經(jīng)濟(jì)性和可靠性的要求成為可能，而對(duì)于新材料的使用，氮化硅陶瓷基板材料便是其中最好的功能材料之一。金瑞欣小編就來(lái)講述一下氮化硅陶瓷基板在汽車產(chǎn)品的應(yīng)用。

2021-12-06 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhuaguitaocijibanz.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢(shì)、可靠性及其應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板性能提升起到了很大的促進(jìn)作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機(jī)械強(qiáng)度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點(diǎn)。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過(guò)絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化硅陶瓷基板的作用和廠家

氮化硅陶瓷基板的作用和廠家什么是氮化硅陶瓷基板氮化硅陶瓷基板材料具有明顯優(yōu)勢(shì)，尤其是高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現(xiàn)出的耐高溫性能、對(duì)金屬的化學(xué)惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學(xué)性能。氮化硅的抗彎強(qiáng)度、斷裂熱性都可以達(dá)到AIN陶瓷基的2倍以上。它極耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到１２００℃的高溫而不下降，受熱后不會(huì)熔成融體。氮化硅陶瓷基板的作用和應(yīng)用氮化硅陶瓷基板抗彎曲強(qiáng)度高，耐熱性能也很好，因其高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、高可靠的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于新型電動(dòng)汽車用、功率控制模塊、功率型發(fā)射器、光伏器件，IGBT 模塊，功率型晶閘管、諧振器基座、半導(dǎo)體封裝載板等大功率光電及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有廣泛用途。高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷

2020-11-18 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板

amb是活性金屬釬焊技術(shù)，陶瓷電路板采用AMB工藝制作后具有更高的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合強(qiáng)度高等特點(diǎn)，而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近，可應(yīng)用于高電壓操作且沒(méi)有局部放電現(xiàn)象。目前采用amb陶瓷制作工藝的是氮化鋁陶瓷和氮化硅陶瓷，經(jīng)過(guò)加工制作線路和打孔后分別稱為AMB氮化鋁陶瓷電路板和AMB氮化硅陶瓷電路板。

2020-11-07 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBdanhualvtaocidian.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有什么不同

氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板都是屬于導(dǎo)熱性能非常好的陶瓷基板，在特定的領(lǐng)域有這不可替代是作用。那么氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有什么不同？一，導(dǎo)熱性能不同，氮化鋁陶瓷基板有更高的導(dǎo)熱率氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱率一般75-80W/(m·K），氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱率最高可以去掉170W/(m·K），可見(jiàn)氮化鋁陶瓷基板有這更高的導(dǎo)熱性能。二，機(jī)械強(qiáng)度不同，氮化硅陶瓷具有比氮化鋁陶瓷更高的強(qiáng)度機(jī)械強(qiáng)度這方面，氮化鋁陶瓷基板比起氮化硅陶瓷基板更加容易碎。氮化鋁陶瓷基板的機(jī)械折彎強(qiáng)度達(dá)450mpa，氮化硅陶瓷基板的折彎強(qiáng)度是800mpa，可見(jiàn)高強(qiáng)度高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板有這較好的彎曲強(qiáng)度，可以提高氮化硅陶瓷覆銅板強(qiáng)度和抗沖擊能力，焊接更厚的無(wú)氧銅

2020-07-03 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhualvtaocijibanhe.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]陶瓷pcb打樣廠家分享陶瓷基板都會(huì)用的哪些基材？

陶瓷基板目前在很多領(lǐng)域非常受歡迎，都會(huì)用到哪些陶瓷基材呢？今天小編公司作為深圳陶瓷pcb打樣廠家分享一下陶瓷基板的分類以及各自的應(yīng)用。

2019-04-26 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocipcbdayangchangj.html