當前位置:首頁 ? 常見問題 ? 七大方面解析氮化鋁陶瓷基板的分類和特性
氮化鋁陶瓷基板在大功率器件模組,航天航空等領域備受歡迎,那么氮化鋁陶瓷基板都有哪些種分類以及氮化鋁陶瓷基板特性都體現在哪些方面?
氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷基板,也叫氮化鋁陶瓷基片。熱導率高,膨脹系數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是大功率集成電路和散熱功能的重要器件。
1,按電鍍要求來分
氮化鋁陶瓷覆銅基板 (氮化鋁覆銅陶瓷基板),旨在氮化鋁陶瓷基板上面做電鍍銅,有做雙面覆銅和單面覆銅的。
2,按應用領域分
LED氮化鋁陶瓷基板(氮化鋁led陶瓷基板),主要用于LED大功率燈珠模塊,極大的
提高了散熱性能。
igbt氮化鋁陶瓷基板,一般用于通信高頻領域。
3,按工藝來分
氮化鋁陶瓷基板cob(氮化鋁陶瓷cob基板),主要用于Led倒裝方面。
dpc氮化鋁陶瓷基板,采用DPC薄膜制作工藝,一般精密較高。
dpc氮化鋁陶瓷基板(AlN氮化鋁dbc陶瓷覆銅基板),是一種厚膜工藝,一般可以實現大批量生產。
氮化鋁陶瓷基板 承燒板
3,按地域分
有的客戶對特定的氮化鋁陶瓷基板希望是特定地域的陶瓷基板生產廠家,因此有了:
日本氮化鋁陶瓷基板
氮化鋁陶瓷基板臺灣
氮化鋁陶瓷基板成都
福建氮化鋁陶瓷基板
東莞氮化鋁陶瓷基板
臺灣氮化鋁陶瓷散熱基板
氮化鋁陶瓷基板珠海
氮化鋁陶瓷基板上海
4,導熱能力來分
高導熱氮化鋁陶瓷基板 ,導熱系數一般較高,一般厚度較薄,一般導熱大于等于170W的。氮化鋁陶瓷散熱基板,比氧化鋁陶瓷基板散熱好,大于等于50W~170W.
材料而言:陶瓷基板pcb是陶瓷材料因其熱導率高、化學穩(wěn)定性好、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點,很適合做成電路板應用于電子領域。許多特殊領域如高溫、腐蝕性環(huán)境、震動頻率高等上面都能適應。氮化鋁陶瓷基板,熱導率高,膨脹系數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。硬度較高,交工難度大,壓合非常難,一般加工成單雙面面陶瓷基板pcb.
氮化鋁陶瓷基板的產品規(guī)格尺寸厚度,有不同 的尺寸對應不同個的厚度,具體如下:
氮化鋁陶瓷基板尺寸一般最大在140mm*190mm,氮化鋁陶瓷基板厚度一般在0.20mm~3.0mm之間。另外氮化鋁陶瓷基板脆性較高,容易碎,因為是陶瓷基的因素,因此不能像FR4玻纖板一樣可以隨意放置,氮化鋁陶瓷基板需要輕拿輕放。
氮化鋁陶瓷基板介電常數一般是8~10MHz,氮化鋁陶瓷基板熱導率一般170w/(m.k)或者更高,氮化鋁陶瓷基板抗折強度大于等于450MPa,氮化鋁陶瓷基板表面粗糙度可以控制在0.2~0.6um,氮化鋁陶瓷基板熱膨脹系數在2~4.5之間,氮化鋁陶瓷基板的硬度也很高,可擊穿強度大于等于25 Kv/mm。
相信您對氮化鋁陶瓷基板的優(yōu)勢和特點也是比較了解了,金瑞欣特種電路采用的都是品牌的氮化鋁基板,目前采用日本丸和氮化鋁陶瓷基板,此外還有用的九毫、華清、 中瓷的氮化鋁陶瓷基板。日本丸和氮化鋁陶瓷基板性能指標非常好,被很多客戶認可,有的客戶甚至還指定需要用到丸和氮化鋁陶瓷基板。
日本丸和氮化鋁產品具有優(yōu)異的熱傳導性、高絕緣性和接近于硅的熱膨脹率等特點,作為新一代的高導熱材料,越來越受到人們的關注和重視。其特性如下:
l 導熱性:約為氧化鋁的7倍
l 熱膨脹系數:與硅類似,大型硅貼片的安裝和耐熱循環(huán)可靠性高
l 電氣特性:較高電氣絕緣,較低介電常數
l 機械特性:比氧化鋁的機械強度高
l 耐腐蝕性:比熔融金屬的耐腐蝕性強
l 純度:雜質含量非常小,無毒,純度高
氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板,都具備高導熱性,高絕緣性,耐腐蝕性的特點,不同的氮化鋁陶瓷基板的導熱更好,導熱高的可以到170W以上,氧化鋁陶瓷基板導熱在30~50W左右。氮化鋁陶瓷基板的強度更強,加工難度相對而言也會較大一些。另外就是氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷板材的利用因應用市場需求不同而采用不同的陶瓷基板,就價格而言,氮化鋁陶瓷基板的價格比氧化鋁陶瓷基板的價格更貴一些。
l 氮化鋁和氮化硅陶瓷基板區(qū)別
氮化硅陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板散熱性能都很好,氮化鋁陶瓷基板是時下比較廣泛應用的基材,氮化硅陶瓷基板是未來行業(yè)發(fā)展的趨勢產品,更多氮化硅陶瓷基板的內容請關注文章“GBT高導熱氮化鋁氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的應用和現狀”
l 鋁基板與氮化鋁陶瓷基板的區(qū)別?
在陶瓷基板成熟廣泛應用之前,很多企業(yè)比如LED照明多采用鋁基板來散熱,陶瓷基板的導熱系數在50~190W,氮化鋁的理論熱導率300W/m.K,其中三氧化二鋁陶瓷電路板的導熱系數:通常為30.0 W/m-K,但實際是隨著溫度而變化,具體列在下方:
6.30 W/m-K@Temperature 800 °C
13.0 W/m-K@Temperature 527 °C
18.9 W/m-K@Temperature 327 °C
24.2 W/m-K@Temperature 227 °C
32.3 W/m-K@Temperature 127 °C
46.0 W/m-K@Temperature 25.0 °C
82.0 W/m-K@Temperature -73.0 °C
105 W/m-K@Temperature 727 °C
449.8 W/m-K@Temperature -173 °C
更多關注散熱問題請關注文章“大功率LED封裝用陶瓷基板還是鋁基板更好”
l 氮化鋁陶瓷基板金屬化
陶瓷基板金屬化是在陶瓷表面牢固地粘附一層金屬薄膜,使之實現陶瓷和金屬間的焊接,現有鉬錳法、鍍金法、鍍銅法、鍍錫法、鍍鎳法、LAP法(激光后金屬鍍)等多種陶瓷金屬化工藝。
更多氮化鋁陶瓷基板金屬化問題見文章詳情“五個問題解答全面認知陶瓷基板金屬化”
l 氮化鋁陶瓷基板金屬化國家標準
氮化鋁陶瓷基板金屬化標準就是鍍層與基體的結合力要高,金屬附著力要好。
主要幾個測試,包括板厚、尺寸規(guī)格、純度、導熱性、強度、介電常數、膨脹系數、表面粗糙度等的測試,符合市場所需的標準需求。 通過以上七個大方面的詳細闡述,氮化鋁陶瓷基板的分類,性能參數,優(yōu)勢,特點有了非常深入的了解,更多氮化鋁陶瓷基板問題可以咨詢金瑞欣特種電路。金瑞欣特種電路專業(yè)的氮化鋁陶瓷基板廠家,十年多行業(yè)經驗,值得信賴!
通過公司研發(fā)團隊的不懈努力,現已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產技術,以便為更多需求的客戶服務,開拓列廣泛的市場。
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