1.大功率器件重要散熱通道，關(guān)鍵環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率待提升

熱是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵因素，根據(jù)化合積電，電子元器件 55%故障率來(lái)自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個(gè)部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要依靠熱傳導(dǎo)方式，熱量沿著芯片-鍵合層-基板-散熱器傳導(dǎo)，最后通過(guò)對(duì)流耗散到空氣中。封裝基板作為大功率半導(dǎo)體器件重要的散熱通道，其選擇和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì) 性能至關(guān)重要。

常用的基板材料主要有塑料基板、金屬基板、陶瓷基板和復(fù)合基板四大類。目前，陶瓷由于具有良好的力學(xué)性能和熱學(xué)性能而最受矚目。陶瓷基板由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成，金屬布線是通過(guò)在陶瓷基片上濺射、蒸發(fā)沉積或印刷各種金屬材料來(lái)制備薄膜和厚膜電路。在陶瓷基板的制作工藝中，粉體、基片和金屬化是影響基板熱導(dǎo)率、機(jī)械強(qiáng)度等關(guān)鍵性能的核心工序。

1.1.氮化鋁基片技術(shù)壁壘高，“卡脖子”環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化突破

氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板材料，其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性價(jià)比高，是功率器件最為常用的陶瓷基板，市占率達(dá) 80%以上。氮化鋁陶瓷比氧化鋁陶瓷具有更高的熱導(dǎo)率，在大功率電力電子等需要高熱傳導(dǎo)的器件中逐漸替代氧化鋁陶瓷，應(yīng)用前景廣闊。氮化鋁基片制備技術(shù)壁壘高，粉體配方和基片燒結(jié)是核心。氮化鋁陶瓷片的制備主要步驟包括粉體制備、粉體成型、陶瓷基片燒結(jié)。

目前工業(yè)化制備工藝存在兩個(gè)痛點(diǎn)：1）粉體制備：高純度的氮化鋁粉體，能夠提高基片的導(dǎo)熱能力。目前制備氮化鋁粉體的方法有碳熱還原法、直接氮化法、自蔓延高溫合成法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體法等，熱碳還原法和直接氮化法是目前工業(yè)化生產(chǎn)的主流工藝，具有技術(shù)成熟、設(shè)備要求簡(jiǎn)單、得到的產(chǎn)品質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。

2）燒結(jié)工藝：引入燒結(jié)助劑是目前氮化鋁陶瓷燒結(jié)普遍采用的一種方法，一方面是形成低溫共熔相，實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié)，促進(jìn)坯體致密化；另一方面是去除氮化鋁中的氧雜質(zhì)，完善晶格，提高熱導(dǎo)率。據(jù)潮州三環(huán)試驗(yàn)數(shù)據(jù)，隨著燒結(jié)助劑含量增加，基板成瓷密度隨之上升，而導(dǎo)熱率在燒結(jié)助劑添加量為 1.5%時(shí)達(dá)到最高；隨著燒結(jié)溫度的升高，氮化鋁成瓷密度、晶粒尺寸及導(dǎo)熱率呈不斷上升的趨勢(shì)，在 1800℃時(shí)密度趨于穩(wěn)定，而基板的抗折強(qiáng)度則是先上升，在 1750℃時(shí)達(dá)到最大值后開(kāi)始下降。選擇合適、合量的燒結(jié)助劑能夠降低氮化鋁基片達(dá)到最高熱導(dǎo) 率所需的溫度，在保證基板熱導(dǎo)率達(dá)到最高理論值的同時(shí)降低生產(chǎn)成本。

高端氮化鋁基片“卡脖子”環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化突破。根據(jù) QY Research，2021 年全球氮化鋁（AlN）陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了 0.7 億美元，預(yù)計(jì) 2028 年將達(dá)到 1.3 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為 10.0%（2022-2028）。國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷技術(shù) 水平及產(chǎn)業(yè)化程度落后于國(guó)外，高端氮化鋁陶瓷基片主要依賴進(jìn)口。一方面原料高性能氮化鋁粉體高度依賴進(jìn)口，批次穩(wěn)定性、成本制約國(guó)內(nèi)高端氮化鋁陶瓷基片制造的發(fā)展；另一方面高端氮化鋁陶瓷基片核心制造技術(shù)被國(guó)外技術(shù)封鎖和壟斷，國(guó)外知名企業(yè)視其為市場(chǎng)主要競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)瓷材料依托多年技術(shù)積累，通過(guò)自主研發(fā)攻克了高端氧化鋁粉體-基片、氮化鋁粉體-基片的核心技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，氮化硅粉體和基片已實(shí)現(xiàn)中試量產(chǎn)，有力推動(dòng)陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈卡脖子環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)陶瓷基板企業(yè)的重要供應(yīng)商。

1.2.DPC金屬化設(shè)備昂貴，電鍍牌照推高進(jìn)入壁壘

陶瓷基板在燒結(jié)成型之后，需對(duì)其表面實(shí)施金屬化，然后通過(guò)影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。常見(jiàn)表面金屬化工藝包括高溫/低溫共燒陶瓷技術(shù)（HTCC/LTCC）、薄膜技術(shù)（TFC）、直接鍵合銅技術(shù)（DBC）、直接電鍍銅技術(shù)（DPC）、活性金屬焊接技術(shù)（AMB）等。

濺射和電鍍?yōu)?DPC 工藝核心。據(jù)《電子封裝陶瓷基板》程浩等，DPC 陶瓷基板制備前端采用了半導(dǎo)體微加工技術(shù)(濺射鍍膜、光刻、顯影等)，后端則采用了印刷線路板(PCB)制備技術(shù)(圖形電鍍、填孔、表面研磨、刻蝕、表面處理等)，其中濺射種子層決定了金屬線路層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度，電鍍填孔工藝則決定了沉積效率及表面鍍層平整度。工藝特點(diǎn)包括：1）采用半導(dǎo)體微加工技術(shù)，陶瓷基板上金屬線路更加精細(xì) (線寬/線距可低至 30~50，與線路層厚度相關(guān))，因此 DPC 基板非常適合對(duì)準(zhǔn)精度要求較高的微電子器件封裝；2）采用激光打孔與電鍍填孔技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了陶瓷基板上/下表面垂直互聯(lián)，可實(shí)現(xiàn)電子器件三維封裝與集成，降低器件體積；

3）采用電鍍生長(zhǎng)控制線路層厚度 (一般為 10 ~ 100)，并通過(guò)研磨降低線路層表面粗糙度，滿足高溫、大電流器件封裝需求；4）低溫制備工藝 (300°C 以下) 避免了高溫對(duì)基片材料和金屬線路層的不利影響，同時(shí)也降低了生產(chǎn)成本。

前期設(shè)備投資額較高。DPC 金屬化設(shè)備投資額大，前端真空磁控濺射鍍膜機(jī)、后端電鍍及蝕刻設(shè)備投資高昂且工藝復(fù)雜。據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，中國(guó)真空鍍膜機(jī) 供給不足，大多產(chǎn)品依賴進(jìn)口，整體真空鍍膜機(jī)行業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)有待調(diào)整。

電鍍牌照推高進(jìn)入壁壘。電鍍工序高能耗高廢水，法律、行政進(jìn)入壁壘不斷加強(qiáng)。發(fā)改委 2021 年 7 月印發(fā)的《“十四五”循環(huán)經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》強(qiáng)化重點(diǎn)行業(yè) 清潔生產(chǎn)，推動(dòng)石化、電鍍、化工等行業(yè)制定清潔生產(chǎn)改造計(jì)劃；2021 年 11 月，工信部發(fā)布《“十四五”工業(yè)綠色發(fā)展規(guī)劃》強(qiáng)化重點(diǎn)行業(yè)清潔生產(chǎn)改造工程；地方省市對(duì)電鍍行業(yè)環(huán)保要求進(jìn)一步提高，例如進(jìn)行落后產(chǎn)能的專項(xiàng)整治、倡導(dǎo)污染防治、電鍍污水資源化處理、設(shè)立電鍍企業(yè)入園標(biāo)準(zhǔn)以及相關(guān)舉報(bào)獎(jiǎng)懲制度等。2022 年 10 月，國(guó)瓷材料公告收購(gòu)中國(guó)大陸 DPC 陶瓷基板頭部企業(yè)賽創(chuàng)電氣 100%股權(quán)，由先進(jìn)陶瓷粉體和基片環(huán)節(jié)進(jìn)入先進(jìn)陶瓷基板解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，完善陶瓷粉體-陶瓷基片-陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化布局，業(yè)務(wù)范圍和下游應(yīng)用領(lǐng)域得到長(zhǎng)期和幾何級(jí)數(shù)律的進(jìn)一步拓展，盈利能力、抗風(fēng)險(xiǎn)能力也將進(jìn)一步加強(qiáng)。

2.下游需求多點(diǎn)開(kāi)花，DPC基板高速發(fā)展

DPC 陶瓷基板隨下游推廣及國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入快速發(fā)展新階段。DPC 陶瓷基板主要應(yīng)用于大功率照明（HPLED）、激光（LD）、光通信（ VCSEL）、熱電制冷（TEC）等領(lǐng)域。根據(jù) HNY Research 發(fā)布的數(shù)據(jù)，2021 年 DPC 陶瓷基板的市場(chǎng)規(guī)模約為 21 億美元，預(yù)計(jì) 2027 年將達(dá)到 28.2 億美元，2021-2027 年復(fù) 合增長(zhǎng)率為 5.07%。全球高端 DPC 陶瓷基板主要廠商包括日本京瓷、日本丸和、中國(guó)臺(tái)灣同欣等，CR5 達(dá)到 70%，目前 DPC 金屬化技術(shù)已被國(guó)內(nèi)包括賽創(chuàng)電氣（銅陵）、江蘇富樂(lè)華、博敏電子在內(nèi)的廠商掌握，進(jìn)口替代空間廣闊。

2.1.HPLED：工商業(yè)照明滲透率提升，景觀與汽車照明需求保持增長(zhǎng)

氮化鋁 DPC 陶瓷基板已成為大功率 LED 的必需品。HPLED（大功率發(fā)光二極管）作為第四代電光源，相較白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源，具備體積小、效率高、壽命長(zhǎng)、電光轉(zhuǎn)換效率高、綠色環(huán)保等優(yōu)勢(shì)，在戶外和工業(yè)照明市場(chǎng)獲得廣泛應(yīng)用，并逐步向汽車前燈、手機(jī)閃光燈、紫外 LED 燈等新興領(lǐng)域滲透。由于陶瓷基板具有高絕緣、高導(dǎo)熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是采用垂直通孔技術(shù)的 DPC 陶瓷基板，可有效滿足倒裝共晶、COB(板上芯片封裝)、CSP(芯片尺寸封裝)等技術(shù)白光 LED 封裝需求。

白熾燈替換需求背景之下，我國(guó) LED 照明產(chǎn)品滲透率不斷提升。據(jù)國(guó)家半導(dǎo) 體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院（CSA）數(shù)據(jù)顯示，2021 年我國(guó) LED 照明行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 9428 億元，同比增長(zhǎng) 9.3%，預(yù)計(jì) 2022 年我國(guó) LED 照明行業(yè) 市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 10085 億元。技術(shù)發(fā)展以及產(chǎn)業(yè)化、商業(yè)化進(jìn)程的推進(jìn)，推動(dòng) LED 在民用、商用、工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)邊界不斷拓展延伸。2021 年 LED 下游通用照明 47%、顯示屏 15%、景觀照明 11%、背光應(yīng)用 7%、汽車照明 2%、信號(hào)及指示 1%、其他 17%。隨著 LED 不斷替代白熾燈，我國(guó) LED 照明產(chǎn)品滲透率不斷提升，從 2017 年 65%提升至 2021 年 80%。

1）景觀照明：道路照明替代需求龐大，文旅景觀照明仍保持增長(zhǎng)。隨著城鎮(zhèn) 化帶動(dòng)城鎮(zhèn)建設(shè)升級(jí)、新技術(shù)帶動(dòng)智能化浪潮、夜間經(jīng)濟(jì)和文旅經(jīng)濟(jì)帶動(dòng) 光環(huán)境的營(yíng)造，景觀照明持續(xù)為大功率 LED 產(chǎn)業(yè)提供成長(zhǎng)動(dòng)能。我國(guó)城市道路長(zhǎng)度 2021 年接近 50 萬(wàn)公里，道路照明用燈超 3000 萬(wàn)盞，而據(jù) 中國(guó)照明電器協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，目前道路照明以高壓鈉燈為主（48.3%），其次 LED（29.6%），LED 替代需求龐大。此外，根據(jù) CSA 市場(chǎng)調(diào)研及中國(guó) 照明電器行業(yè)協(xié)會(huì)等相關(guān)行業(yè)組織統(tǒng)計(jì)，LED 占景觀照明光源 80%以上。預(yù)計(jì) 2025 年景觀照明市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 1468.66 億元。

2）汽車照明：汽車產(chǎn)銷復(fù)蘇拉動(dòng)照明需求，LED 汽車頭燈滲透率持續(xù)提升。據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，2022 年汽車總銷量達(dá) 2686.4 萬(wàn)量，同比增長(zhǎng) 2.1%，其中新能源汽車超 680 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 90.3%。LED 近年在新能源汽車高速發(fā)展以及汽車新四化趨勢(shì) 下滲透率不斷攀升。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢分析，2021 年 LED 頭燈滲透率于全球乘用車達(dá)到 60%，其中電動(dòng)車的 LED 頭燈滲透率更高達(dá) 90%，預(yù)計(jì) 2022 年將分別提升至 72%與 92%。智能頭燈中自適應(yīng)性遠(yuǎn)光燈(ADB Headlights) 現(xiàn)階段以矩陣式(Matrix LED) 技術(shù)的出現(xiàn)將帶來(lái)更多 LED 需求，其主流設(shè)計(jì) 搭配 12-100 顆 LED，根據(jù) TrendForce，自適應(yīng)性頭燈(ADB Headlight) 市場(chǎng)滲透率于 2022 年僅為 3.2%，預(yù)期于 2026 年將有機(jī)會(huì)達(dá)到 13.2%。

2.2.激光熱沉：光纖激光國(guó)產(chǎn)化率提升，降本訴求促國(guó)產(chǎn)激光熱沉產(chǎn)業(yè)化

氮化鋁陶瓷基板為目前主流激光熱沉基板。高功率半導(dǎo)體激光器具有光電效率高、易調(diào)制、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，在工業(yè)制造、材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療衛(wèi)生領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。激光器為激光設(shè)備核心部件，由泵浦源、增益介質(zhì)、諧振腔組成，泵浦源由一個(gè)或多個(gè)大功率激光二極管（LD）陣列構(gòu)成。隨著高功率半導(dǎo)體激光器的發(fā)展，大功率 LD 的出光功率從 20W/bar 已經(jīng)發(fā)展到現(xiàn)在的 200W/bar 及以上。LD 電光效率典型值約為 50%，其出光功率越高，轉(zhuǎn)化的廢熱就越多。通常 LD 的尺寸很小，工作時(shí)熱流密度極高，若不能及時(shí)散熱，則可能會(huì)降低激光器的輸出功率、電光轉(zhuǎn)換效率，甚至減少激光器使用壽命或者導(dǎo)致激光器失效。高功率半導(dǎo)體激光器主要通過(guò)熱沉散熱，由于過(guò)渡熱沉與芯片緊密貼裝，需具有高導(dǎo)熱系數(shù)及匹配的熱膨脹系數(shù)，目前氮化鋁熱沉為主流散熱材料。

激光設(shè)備、激光器國(guó)產(chǎn)化率提升帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模高速增長(zhǎng)。據(jù)《中國(guó)激光產(chǎn)業(yè) 發(fā)展報(bào)告》，中國(guó)激光技術(shù)迎來(lái)迅猛發(fā)展階段并逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化布局，一方面，國(guó) 產(chǎn)激光器無(wú)論從質(zhì)量、技術(shù)或服務(wù)均在競(jìng)爭(zhēng)中逐步顯現(xiàn)優(yōu)勢(shì)，有望實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代；另一方面，相較于傳統(tǒng)制造技術(shù)，激光技術(shù)的應(yīng)用成本效益顯著，也因此激光應(yīng) 用得以快速普及。2021 年中國(guó)激光設(shè)備市場(chǎng)銷售收入 821 億元，較上年增長(zhǎng) 18.64%。我國(guó)激光器國(guó)產(chǎn)化率不斷提高，逐步實(shí)現(xiàn)由依賴進(jìn)口向自主研發(fā)，進(jìn)口替代到出口的躍進(jìn)。國(guó)內(nèi)光纖激光器 2021 年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 124.8 億元，同比增長(zhǎng) 32.5%。目前 3kW 至 6kW 產(chǎn)品段國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)激烈，而在 10kW 以上超高功率或如光伏、新能源等高端細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)仍有較大替代空間。

2016至2021年大功率光纖激光器國(guó)產(chǎn)化率由 6.56%提升至 76.19%。隨著國(guó)內(nèi)光纖激光器企業(yè)綜合實(shí)力的不斷崛起，國(guó)內(nèi)市占率逐步向銳科激光、創(chuàng)鑫激光、杰普特等一批優(yōu)秀國(guó)內(nèi)企業(yè)轉(zhuǎn)移，國(guó)外廠商，如IPG 光子、恩耐、杰普特在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)份額由 2020 年的 43.1%縮減至2021年的36.3%。在高功率激光器市場(chǎng)上，國(guó)外廠商的市場(chǎng) 表現(xiàn)仍然更為強(qiáng)勁。

激光器廠商降本訴求有望加速激光熱沉國(guó)產(chǎn)化率提升。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，連續(xù)光纖激光器總的成本結(jié)構(gòu)中，泵浦源、有源光纖、無(wú)源光纖器件是最主要的成本來(lái)源，占比分別為 25.5%、19.6%和12.6%。其中泵浦源中激光熱沉因來(lái)源進(jìn)口，采購(gòu)成本占比相對(duì)較高。目前國(guó)內(nèi)激光熱沉基板90%以上的采購(gòu)量來(lái)自日本和美國(guó)，尤其是日本京瓷和丸和兩家企業(yè)。

2.3.車載激光雷達(dá)：車載激光雷達(dá)量產(chǎn)上車，VCSEL替代EEL大勢(shì)所趨

車載激光光源 VCSEL 替代 EEL 大勢(shì)所趨，DPC 在高功率 VCSEL 元件封裝中占據(jù)重要地位。激光光源是車載激光雷達(dá)核心器件之一，需要綜合考慮應(yīng)用環(huán) 境、技術(shù)方案、性能需求及成本需求，目前常用光源包括邊發(fā)射激光器(EEL)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)、光纖激光器等。VCSEL 光源相較目前主流 EEL 光源具有低制造成本、高可靠性、小發(fā)散角、易于二維集成的優(yōu)勢(shì)，隨著多層結(jié)技術(shù) 發(fā)展帶動(dòng)功率密度提高，VCSEL 替代 EEL 趨勢(shì)日益顯著。VCSEL 光電轉(zhuǎn)換效率僅為 30-60%，導(dǎo)致其存在熱負(fù)荷過(guò)高問(wèn)題。由于 DPC 陶瓷基板具備高導(dǎo)熱、高絕緣、高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高可靠垂直互聯(lián)及熱膨脹系數(shù)與芯片匹配等諸多特性，更適用于其垂直共晶焊接，在高功率 VCSEL 元件封裝中占據(jù)重要地位。

全球激光雷達(dá)高速發(fā)展，中國(guó)供應(yīng)商加速崛起。隨著汽車智能化變革的推進(jìn) 及高級(jí)別自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展，根據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，全球用于 ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）領(lǐng)域的激光雷達(dá)出貨量將由 2021 年 6.8 萬(wàn)臺(tái)迅速增長(zhǎng)至 2027 年的 445.4 萬(wàn)臺(tái)；對(duì)應(yīng)市場(chǎng)規(guī)模由 2021 年 0.38 億美元增至 2027 年的 20 億美元，成為激光雷達(dá)行業(yè)最大的應(yīng)用領(lǐng)域。到 2027 年，私家車激光雷達(dá)滲透率將由 2022 年 0.18% 提升至 3%。從 ADAS 前裝量產(chǎn)定點(diǎn)數(shù)量來(lái)看，自 2018 年以來(lái)，在全球范圍內(nèi)官宣的 ADAS 前裝定點(diǎn)數(shù)量大約有 55 個(gè)，其中中國(guó)激光雷達(dá)供應(yīng)商占其中的 50%。禾賽科技以 27%的前裝定點(diǎn)數(shù)量排名全球第一，速騰聚創(chuàng)以 16%的數(shù)量排名中國(guó) 第二、全球第三。

車載激光雷達(dá)隨國(guó)內(nèi)自動(dòng)駕駛蓬勃發(fā)展實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)上車。根據(jù)高工智能汽車研究院，2022 年中國(guó)市場(chǎng)（不含進(jìn)出口）乘用車前裝標(biāo)配激光雷達(dá)交付 12.99 萬(wàn)顆，配套新車 11.18 萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng) 1544.3%和 2626.82%，預(yù)計(jì) 2023 年標(biāo)配交付沖刺 40-50 萬(wàn)顆規(guī)模。根據(jù)禾賽科技，大多數(shù) 905nm 激光雷達(dá)廠家的新產(chǎn)品都會(huì)采用 VCSEL 作為光源。2022 年 9 月 29 日，禾賽科技 AT128 搭載首款量產(chǎn)車型理想 L9 實(shí)現(xiàn)單月交付量突破 10000 臺(tái)，后續(xù)隨著理想多款車型上市交付，單一客戶規(guī)模化交付確定性明確。