高質量深紫外LED封裝陶瓷基板的結構和封裝方法

深紫外LED封裝陶瓷基板出光率高，量子質量好，工作溫度低，提供的深紫外LED大功率光功率密度,也極大改善了器件的可靠性.小編將簡述深紫外LED封裝陶瓷基板的結構和封裝方法。

深紫外LED的封裝支架和封裝結構

一種深紫外LED的封裝支架和封裝結構.深紫外LED的封裝結構包括深紫外LED芯片,玻璃蓋板和封裝支架,封裝支架包括陶瓷基板和圍壩,陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金屬化圖形層,圍壩固定在陶瓷基板的頂面上;圍壩的內壁為金屬內壁,金屬內壁包括反光杯;圍壩通過粘接層或焊接層固定在陶瓷基板的頂面上,當圍壩通過粘接層固定在陶瓷基板的頂面時,圍壩的金屬內壁遮蓋粘接層的內周.深紫外LED芯片貼裝于陶瓷板頂面的金屬化圖形層的線路上,玻璃蓋板焊接在圍壩的頂部.實用新型能有效地把芯片發(fā)出的紫外光導出封裝體外,不僅封裝結構的出光率高,而且芯片的工作溫度較低.

基于高質量AlN模板的深紫外LED

隨著基于InGaN材料的藍光LED的技術日趨成熟并廣泛應用,越來越多的研究者逐漸將研究興趣轉移到波長更短的氮化物LED——基于AlGaN材料的紫外乃至深紫外LED.紫外LED在生化探測,殺菌消毒,聚合物固化,無線通訊及白光照明等領域都有重大應用價值,據估計其潛在市場價值高達數(shù)十億美元.但是,從發(fā)光功率和效率而言,目前的UV-LED還遠不能令人們滿意.目前實驗室報導的InGaN基藍光LED的量子效率最好結果已經超過70%,相比之下, AlGaN基紫外LED的量子效率要低的多,尤其是波長在UV-B(290-320nm),UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED,量子效率一般不超過2%.造成這一問題的一個重要原因在于難于外延生長高質量的AlGaN材料,Al組分越高,外延生長困難越大,晶體質量越低.通過典型的兩步法生長的AlGaN外延薄膜中的位錯密度普遍在1010/cm-2乃至更高.低的晶體質量同時增加了AlGaN的摻雜困難,進一步導致量子效率低下.針對這一問題,以高溫AlN模板為基礎,外延生長獲得了高質量的AlGaN材料,并在此基礎上制作了深紫外LED.

一種高可靠性大功率紫外LED集成封裝方法

高可靠性大功率紫外LED集成封裝方法,首先將高導熱陶瓷基板作為支撐板,并在高導熱陶瓷基板兩端固定安裝有金屬圍壩;然后將大尺寸硅板固定安裝在高導熱陶瓷基板上,紫外LED芯片固定安裝在大尺寸硅板上;通過金線將紫外LED芯片與金屬電極和大尺寸硅板電性連接;最后在金屬圍壩上固定玻璃蓋板,完成結構封裝.本發(fā)明通過采用高導熱陶瓷基板結合大尺寸硅板和玻璃蓋板,通過金線將紫外LED芯片分別與金屬電極和大尺寸硅板進行電氣連接,實現(xiàn)了適用于垂直,水平,倒裝結構紫外LED芯片的大功率集成全無機封裝結構,這不僅提高了光功率密度,也極大改善了器件的可靠性.

更多相關問題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣定制的深紫外LED陶瓷基板，采用的是高導熱氮化鋁陶瓷基板來加工制作的，還可以制作圍壩工藝，收到客戶好評。