化學鍍銅對厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層的影響

        摘要：

通過化學鍍銅對厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層進行致密化處理,采用SEM、XRD、導電性測試和結合力測試研究了化學鍍銅對敷銅層結構和性能的影響。結果表明:基板敷銅層經化學鍍銅處理后,孔洞深度明顯變淺、平均孔徑由10μm下降為3μm;表面銅層和中間層結合得更加緊密,敷接強度增加了143.6 N/cm2。同時,基板敷銅層的表面方阻由4.30 mΩ/□下降至3.02 mΩ/□,敷銅層的導電性能增強。

隨著半導體照明(LED)的廣泛應用和大功率LED的快速發(fā)展,LED的封裝方式也由傳統(tǒng)的表面貼裝(SMT)方式逐漸轉變?yōu)閷嵝阅芨玫陌迳闲酒?COB)封裝方式。目前,可用于LED器件COB封裝的基板主要有金屬芯印刷電路板、金屬基復合基板和陶瓷基板等[1]。

與金屬基板相比,陶瓷基板本身具有電阻率高、耐壓性能好、導熱性能優(yōu)異、化學穩(wěn)定性好、高溫穩(wěn)定性好、與芯片的熱膨脹系數匹配等優(yōu)勢,特別適合LED芯片的COB集成封裝[2]。目前可應用于COB封裝的陶瓷基板主要包括直接敷銅陶瓷基板(DBC)、低溫共燒陶瓷基板(LTCC)、薄膜陶瓷基板(DPC)和厚膜陶瓷基板。

直接敷銅原理是在Cu與陶瓷之間引入氧元素, 在1065~1083 ℃形成Cu-O共晶液,從而生成反應中間相(CuAlO2或CuAl2O4),實現Cu板與陶瓷基板的結合[3]。厚膜陶瓷基板就是通過絲網印刷的方法在陶瓷表面刷涂電子漿料,再脫脂燒結直接形成電路而制作成的LED基板[4]。

俞曉東[5]將DBC敷接原理創(chuàng)新性地應用于厚膜金屬化工藝上,將配制的新型銅電子漿料涂刷在陶瓷基板表面,制作出新型厚膜敷銅陶瓷基板,改進后的基板熱導率明顯提升。這種方法可以實現陶瓷基板上精細電路的印刷,對于大功率LED的封裝具有重要意義。

然而,由于厚膜敷銅陶瓷基板的制備過程需要經過高溫燒結和N2-H2還原。還原過程中H2和CuO發(fā)生反應,生成的水蒸氣會經由基板表面排出,在敷銅層中形成網絡狀孔洞,降低表面敷銅層的致密性從而降低表面敷銅層的導電性能及其與陶瓷基體的敷接強度。因此,對厚膜敷銅陶瓷基板表面敷銅層進行致密化處理是提高敷銅層導電性能和敷接強度的重要環(huán)節(jié)。

化學鍍銅是電路板制造中的一種重要工藝,通常也叫沉銅或孔化(PTH),是一種自身催化性氧化還原反應。通常應用于有機基體的金屬化和印刷線路板(PCB)表面導電線路的沉積,在電子工業(yè)中發(fā)揮著重要的作用[6]。

以次亞磷酸鈉為還原劑的化學鍍銅由于具有操作簡單、對環(huán)境污染小、鍍液穩(wěn)定性能高[7,8]、鍍層質量優(yōu)異和反應溫和有利于深孔鍍等優(yōu)點,近年來受到人們越來越多的關注。

目前,對以次亞磷酸鈉為還原劑的化學鍍銅的研究,主要集中在以下三個方面:開發(fā)不同的添加劑以提高鍍層性能[9];實現不同有機聚合物基體的金屬化[6];實現PCB基板表面復雜電路沉銅,以完成雙面或多層印制板層間導線的聯通[10]。

然而,利用其優(yōu)異的深孔鍍能力,將其作為一種后處理工藝,實現厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層的致密化的研究鮮有文獻報道。

筆者以次亞磷酸鈉為還原劑,采用化學鍍銅方法在厚膜敷銅陶瓷基板上進行后處理,探究了厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層化學鍍銅的致密化過程,同時對施鍍后敷銅層的結構和性能也進行了研究分析。

一，實驗方法

選用以次亞磷酸鈉為還原劑的堿性鍍液體系對厚膜敷銅陶瓷基板的敷銅層進行化學鍍銅致密化處理。鍍液組成為:CuSO4·5H2O (10 g/L)、次亞磷酸鈉(30~60 g/L)、硫酸鎳(0.4~1.6 g/L)、檸檬酸鈉(20g/L)、硼酸(30 g/L)、聚乙二醇(0~300 mg/L)、亞鐵氰化鉀(0~15 mg/L)。鍍液采用化學純試劑和去離子水配制,鍍銅過程中鍍液溫度范圍為30~90 ℃。

由于化學鍍銅的反應復雜,各個因素之間相互影響,最終化學鍍銅工藝參數根據5因素4水平的正交實驗確定: ρ(NiSO4)=1.2 g/L , ρ(PEG)=200 mg/L , ρ(K4Fe(CN)6)=0,次亞磷酸鈉60 g/L,溫度為50 ℃。

實驗樣品為經單面厚膜敷銅工藝制備的18mm×18 mm的厚膜敷銅氧化鋁(質量分數96%)陶瓷基板。進行化學施鍍之前,需對樣品進行鍍前處理。處理過程為:酒精超聲清洗→水洗→堿性除油→水洗 →粗化→水洗→敏化→水洗。將處理之后的厚膜敷銅陶瓷基板樣品浸入到鈀活化液中活化10 min,用蒸餾水進行沖洗后浸入鍍液中化學施鍍35 min。

用TG328A分析天平測試化學鍍銅前后厚膜敷銅陶瓷基板的質量,確定敷銅層質量的變化;用SAT-2A探針測試化學鍍銅前后厚膜敷銅陶瓷基板表面敷銅層的表面方阻,確定敷銅層導電性能的變化。

采用Bruker AXS D8-Advance X射線衍射儀對鍍層結構進行測定,Cu靶,測試波長為0.154 18 nm, 管電壓為40 k V,管電流為30 m A,掃描速度為10°/min。

采用日立公司的SU8010型場發(fā)射掃描電子顯微鏡對鍍層表面形貌進行觀察,加速電壓為20 k V。

二，結果與討論

    2.1 化學鍍銅對厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層結構的影響

通過化學鍍銅在單面敷銅的陶瓷基板敷銅面成功實現銅膜沉積,而在基板未敷銅的陶瓷面沒有形成鍍銅層沉積。對化學施鍍前后試樣的敷銅層進行XRD分析,測試結果如圖1所示。

圖1厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層的XRD譜

Fig.1 XRD patterns of copper film on thick film ceramic substrate coated copper

由圖可見,化學鍍銅處理前和處理后的厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層中均有Cu相和Al2O3相存在,但施鍍后試樣敷銅層中Al2O3相的衍射峰強度明顯低于施鍍前。這說明化學鍍銅時生成的銅顆粒覆蓋在了試樣表面未實現金屬化的位置,實現了化學鍍銅的沉積。而且,對比化學鍍銅處理前后試樣敷銅層中Cu相的衍射峰強度,可見其變化并不大,說明化學鍍銅層不存在明顯的擇優(yōu)取向現象。

通過分析還發(fā)現樣品敷銅層的XRD譜中沒有出現Cu2O、Ni和P的衍射峰,說明它們在敷銅層中的含量很少。

2.2 化學鍍銅對厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層形貌的影響

圖2所示為未經過化學鍍銅處理(a)和經過化學鍍銅處理(b)的厚膜敷銅陶瓷基板的表面敷銅層的微觀形貌觀察結果。

由圖2(a)可見,未經過化學鍍銅處理的厚膜敷銅陶瓷基板表面敷銅層結構疏松,表面隨機分布著大量孔洞,孔洞的平均孔徑在10 μm左右,甚至出現少許20 μm左右的大孔且孔洞的深度較大,整個表面呈現網孔結構。

厚膜敷銅陶瓷基板經過化學鍍銅處理后,表面敷銅層形貌發(fā)生了明顯變化,如圖2(b)所示:大量的銅顆粒在敷銅層表面沉積;大量銅顆粒在表面的聚集,特別是在孔洞處聚集使敷銅層表面的孔洞明顯減小甚至消失?；瘜W鍍銅后敷銅層的平均孔徑下降至3 μm且孔洞的深度明顯變淺,網孔結構完全消失,敷銅層的致密性大大增加。

圖2厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層的SEM照片

Fig.2 SEM images of copper film on thick film ceramic substrate coated copper

圖3所示為未經化學鍍銅處理(a)和經過化學鍍銅處理(b)的厚膜敷銅陶瓷基板的斷面微觀形貌觀察結果。

由圖3(a)可見,未經過化學鍍銅處理的敷銅陶瓷基板表面敷銅層和反應中間層之間存在很多的空隙,表面銅層非常疏松且呈現不連續(xù)的孤立島狀。

經化學鍍銅處理之后,厚膜敷銅陶瓷基板的表面敷銅層和中間層之間的空隙幾乎消失,表面敷銅層的孔洞顯著減少呈現均勻連續(xù)的膜狀,致密性明顯增加,如圖3(b)所示。

圖3厚膜敷銅陶瓷基板斷面的SEM照片

Fig.3 SEM images of the cross-section of thick film ceramic substrate coated copper 

2.3 厚膜敷銅陶瓷基板敷銅層致密化過程

在化學鍍銅過程中,還原反應首先反生在催化活性較強的位置并在該位置開始銅層的沉積,然后沿初始沉積部位開始逐漸沿平面擴展,最終覆蓋整個表面[11];下一層又在活性強的鍍層表面開始沉積、 擴展直至覆蓋整個鍍層表面。

以次亞磷酸鈉為還原劑的化學鍍銅,鍍液中還原劑被氧化并釋放出電子還原鍍液中的Cu2+和Ni2+,金屬離子被還原之后以一定的速度沉積在基板的表面,其中生成的Ni可以維持反應的進行,是反應的催化劑[12];Cu2+被還原生成Cu并在厚膜敷銅陶瓷基板上聚集生長。

然而, 在陶瓷表面敷銅層活化處理時,由于毛細管作用影響,大量的Pd2+富集在孔洞處,所以在敷銅層的孔洞附近Cu2+還原反應劇烈,Cu大量形核并進入表面敷銅層的孔洞內部,隨著反應的進行逐漸沉積,使孔洞深度逐漸變淺,孔徑逐漸變小。在敷銅層的其他位置,活化點相對較少,反應的速率則小得多, 還原銅顆粒沉積的速率也較小。

因此,對厚膜敷銅陶瓷基板表面進行化學鍍銅處理時,通過Pd2+的選擇性活化,可以實現銅顆粒在敷銅層孔洞的優(yōu)先沉積,從而實現敷銅層的致密化。

2.4 化學鍍銅處理對厚膜敷銅陶瓷基板金屬化層敷接強度的影響

采用厚膜工藝在氧化鋁陶瓷基板表面實現金屬化,厚膜漿料中的活性氧化物將會與陶瓷基板形成一層反應中間層,從而實現金屬化層與陶瓷基板的連接,如圖3(a)所示。敷銅層和陶瓷基板之間的中間層的厚度、形態(tài),對于厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度具有重要的影響。

本研究采用自制實驗裝置對厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度進行測試,實驗裝置如圖4所示。

圖4厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度測試示意圖

Fig.4 Diagram of adhesion strength testing of thick film ceramic substrate coated copper

實驗結果表明敷銅層與陶瓷基板的剝落多數發(fā)生在中間層和敷銅層之間,厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度主要取決于反應中間層和敷銅層之間的結合力大小。厚膜敷銅陶瓷基板未進行化學鍍銅處理之前,其中間層和敷銅層之間存在許多形態(tài)各異的凸起、凹陷以及孔隙等缺陷,如圖3(a)所示。

因此,厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度很低,只有64.4 N/cm2。經化學鍍銅處理后,中間層和敷銅層之間結合緊密, 缺陷幾乎全部消失,如圖3(b)所示?；瘜W鍍銅生成的銅顆粒進入敷銅層中的孔隙,并在敷銅層與中間層之間的界面處沉積,消除了敷銅層與中間層之間的缺陷。而且,銅顆粒通過與中間層產生機械咬合、 鎖扣結構,大大增加了敷銅層和中間層的結合力, 從而有效提高了厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度。測試結果表明經化學鍍銅處理后的厚膜敷銅陶瓷基板的敷接強度為208 N/cm2,增加了143.6 N/cm2。

2.5 化學鍍銅對厚膜敷銅陶瓷基板金屬化層導電性能的影響

導體的致密度越高,電子在電場作用下定向移動的阻力越小,導電性越好;導體的厚度越大,單位時間通過的電子越多,導電性越好;所以基板表面銅層厚度的增加和孔隙率的減小對提高基板的導電性非常重要。

經過化學鍍銅處理后,厚膜敷銅陶瓷基板的表面銅層厚度增加;同時化學鍍銅反應生成的細小銅顆粒填補了敷銅層中的孔洞等缺陷,增加了敷銅層的致密性,兩者共同作用的結果是敷銅層的表面方塊電阻下降。然而,由于Cu2+本身活性較差,鍍液中必須加入Ni2+,其還原后生成的Ni加上副反應的產物P和未完全還原的產物Cu2O等,這些低電導率的雜質進入鍍層將會導致敷銅層的表面電阻增加[13]。

圖5為厚膜敷銅陶瓷基板質量增加和表面方塊電阻變化的關系圖,橫坐標表示厚膜敷銅陶瓷基板經化學鍍銅處理后的質量增加量(Dm),縱坐標表示相同條件下基板表面銅層的方塊電阻增加量(DR)。如圖5所示,隨著化學鍍銅層質量的增加,敷銅層的方塊電阻增加量呈現下降趨勢,而且根據擬合函數求得,當鍍層質量增加量小于7.47 mg時,基板敷銅層的方塊電阻變大;當質量增加超過7.47 mg時,基板敷銅層的方塊電阻減小。

化學鍍銅處理后質量增加量較小時,化學鍍銅處理對敷銅層的致密性和厚度增加貢獻不大,不足以抵消雜質對敷銅層表面電阻的增加作用, 所以相比未進行處理的試樣,表面電阻變大;當化學鍍銅層質量增加較大時,敷銅層致密性和厚度增加對表面電阻降低的貢獻遠大于雜質元素對表面電阻的增加作用,故表面電阻下降比較明顯。經最優(yōu)鍍液成分處理的化學鍍銅層質量增加最大處,敷銅層的表面方阻由4.30 m?/□下降至3.02 m?/□,變化值為1.28 m?/□。

圖5化學鍍銅質量增加值和電阻增加值的關系圖

Fig.5 The relationship between mass addition and resistance addition by electroless copper plating

三，結論

以次亞磷酸鈉為還原劑的化學鍍銅可以實現厚膜敷銅陶瓷基板的致密化并獲得微觀上較為平整的銅鍍膜;銅鍍層呈面心立方結構,沒有明顯的晶面取向且鍍層中含Ni、P等雜質元素極少;另外,對厚膜敷銅陶瓷基板金屬化層表面進行化學施鍍可以明顯增加基板的敷接強度;降低敷銅層的方塊電阻, 增加敷銅層的導電性。

                                                       來源：《電子元件與材料》，2014,33(02),39-42