在大功率電子器件使用中為實現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián)，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優(yōu)良的密封性，金屬導電層的方阻和電阻率小，同時與陶瓷基板具有較強的附著力，陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導率。因此延展性優(yōu)良、導熱性和導電性高的 Cu，成為在功率電子器件中最常用的材料，圖為陶瓷基板覆銅示意圖。

雖然陶瓷具有相較于其他兩種封裝基板有著更為優(yōu)異的綜合性能，但是由于陶瓷材料作為強共價鍵型化合物，其電子配位十分穩(wěn)定，不易與其他材料反應，并且與常見金屬之間的潤濕困難，而陶瓷基板表面金屬化后的性能與功率電子器件在工作時的穩(wěn)定性關系密切，故制約陶瓷封裝基板廣泛應用的原因便在于此，因此探究陶瓷表面金屬化意義重大。目前常見的陶瓷金屬化的方法主要包括化學鍍金屬化、直接覆銅金屬化、厚膜金屬化、薄膜金屬化等 。以下是斯利通整理的幾類陶瓷封裝金屬化工藝。表 1為不同陶瓷金屬化方法的優(yōu)缺點。

化學鍍金屬化

化學鍍金屬化是指通過化學反應的方法，金屬離子借助還原劑還原成金屬，并沉積到基底材料表面的方法 ，核心在于通過可控制的氧化還原反應產(chǎn)生金屬層，圖 1.1 為化學鍍過程示意圖?；瘜W鍍銅即將溶液中的Cu 2+ 還原成Cu原子，并在催化活性的基板上沉積，反應原理可用下式表示：

第一步：Cu 2+ 在陰極被還原成 Cu 原子，如式 1-1 所示；

第二步：甲醛在陽極提供反應所需的電子，如式 1-2 所示；

第三步：化學鍍銅的氧化還原方程式，如式 1-3 所示。

直接覆銅金屬化

直接覆銅金屬化是指在高溫、弱氧氛圍中利用 Cu 的含氧共晶液直接將 Cu 箔覆接在陶瓷表面的方法，主要用于 Al 2 O 3 和 AlN 陶瓷表面。原理為 Cu 與 O 反應生成的 Cu 2 O 和CuO，在 1060-1083 ℃溫度范圍內(nèi)可以與基板中 Al 反應生成 CuAlO 2 和 CuAl 2 O 4 的尖晶石物質(zhì)，促使陶瓷與 Cu 可以形成較高的結(jié)合強度，在對 AlN 陶瓷基板進行直接覆銅金屬化時，需先對 AlN 進行氧化處理，在其表面形成 Al 2 O 3 ，圖 2.1 為 AlN 直接覆銅金屬化的流程示意圖。反應式如下：

厚膜金屬化

厚膜金屬化是將金屬漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法涂敷在陶瓷表面，然后經(jīng)高溫干燥熱處理后形成金屬化陶瓷基板的技術。下圖為絲網(wǎng)印刷工藝示意圖，其中漿料主要由功能相、粘結(jié)劑、有機載體組成，功能相是厚膜漿料中主體，即在陶瓷表面經(jīng)涂覆金屬粉末后經(jīng)熱處理工藝形成的金屬膜層；粘結(jié)劑是玻璃相或氧化物等經(jīng)高溫燒結(jié)后，提升金屬膜層與陶瓷基板之間的附著力；有機載體是用于提升有機漿料表面活性，使得漿料混合更加均勻的有機溶劑或表面活性劑。

薄膜金屬化

薄膜金屬化是在高真空條件下，用物理方法將固體材料表層電離為離子，隨后經(jīng)過低壓氣體在陶瓷基板表面沉積所需薄膜的工藝，即物理氣相沉積技術( Physical Vapour Deposition ，PVD )，主要包括有磁控濺射鍍膜、離子鍍膜、電弧鍍等。圖 4.1 為磁控濺射鍍膜的原理圖，核心在于 Ar 2+ 經(jīng)電場加速后轟擊由欲被濺射物質(zhì)做成的靶電極，當離子能量合適的情況下，Ar 2+ 會將靶材表面的原子濺射出來進而會沿著一定的方向射向襯底，從而實現(xiàn)薄膜的沉積

上述幾種陶瓷基板金屬化方法，各有優(yōu)缺點，化學鍍金屬化，具備很高的生產(chǎn)效率，可以實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，但是，金屬層與陶瓷基板之間結(jié)合力有限，不能滿足很多特定的應用場景。直接覆銅金屬化，也就是高溫燒結(jié)法，在滿足生產(chǎn)效率的同時，金屬層和陶瓷基板具備一定的結(jié)合強度，是當前比較常見的一種生產(chǎn)工藝，但是，由于其是采用高溫燒結(jié)的方式進行的金屬化覆膜，因此，限制了很多低熔點金屬的應用。厚膜金屬化，也就是絲網(wǎng)印刷，生產(chǎn)簡單可操作，但是，其對于金屬化厚度和線寬線距的精度不能實現(xiàn)很好的控制，無法生產(chǎn)高精度的精密線路。薄膜金屬化，也就是磁控濺射，利用了范德華力的原理，使得金屬層和陶瓷基板具有很強的結(jié)合力，但是，生產(chǎn)效率低下，同時，也只能形成很薄的金屬層，通常在納米級別。