碳化硅陶瓷基板生產工藝

碳化硅陶瓷基板在第三代半導體領域備受關注，主要是因為碳化硅陶瓷基板耐高壓、耐高溫、低損耗、高導熱、高頻率工，能承載高導熱、大電壓、大電流需要高頻率運作的產品領域，比如IGBT底板等高鐵、太陽能光伏、風能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領域也應用廣泛。那么碳化硅陶瓷基板加工生產工藝都有哪些呢？

一，dpc加工制作工藝

   碳化硅陶瓷基板做金屬化后，可以承載高電流、高電壓，具備更好的電氣性能，如果需要有較小線寬線距和較小孔徑的話，有一定精密度要求的話，可以采用DPC工藝制作，精密度較高。DPC工藝是電鍍銅工藝，金屬結合力較好。

二，amb制作工藝

    碳化硅陶瓷基板如選擇采用AMB制作工藝，那么熱循環(huán)性能更好，結合力更高，比較適合用于高端產品，載流能力較強，使用壽命長。

三，DBC制作工藝

dbc制作工藝，對于一般的碳化硅陶瓷基板載板，簡單做覆銅，沒有孔，也沒有精密線路的，可以采用DBC工藝制作，可以降低成本。

無論碳化硅陶瓷基板選擇哪種生產加工工藝，需要考慮自身產品的性能，成本。具體采用什么工藝，一個是要考慮銅層厚度，以及性能要求，布線和孔的密度等綜合考慮。

碳化硅陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板覆銅方法類似，可以采用DPC電鍍銅工藝以及DBC燒結結、AMB幾種金屬化工藝。更多碳化硅陶瓷基板可以咨詢金瑞欣特種電路。