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陶瓷基板市場(chǎng)預(yù)計(jì)未來(lái)3年大增94.27%,國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈

8 2023-10-09
陶瓷基板

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導(dǎo)熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度,并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形,具有很大的載流能力。因此,陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

陶瓷基板

陶瓷基板的現(xiàn)狀:材料多樣化、結(jié)構(gòu)集成化


近年來(lái),電動(dòng)汽車、電力機(jī)車以及半導(dǎo)體照明、航空航天、衛(wèi)星通信等進(jìn)入高速發(fā)展階段,電子器件向大功率化、高頻化、集成化方向發(fā)展,其元器件在工作過(guò)程中產(chǎn)生大量熱量,這些熱量如不能及時(shí)散去將影響芯片的工作效率,甚至造成半導(dǎo)體器件損壞而失效——對(duì)于電子器件而言,通常溫度每升高10℃,器件有效壽命就降低30%~50%。


因此,為保證電子器件工作過(guò)程的穩(wěn)定性,對(duì)電路板的散熱能力提出了更高的要求。傳統(tǒng)的普通基板和金屬基板不能滿足當(dāng)下工作環(huán)境下的應(yīng)用。陶瓷基板具有絕緣性能好、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性能脫穎而出,是符合當(dāng)下高功率器件設(shè)備所需的性能要求。


目前,陶瓷基板的主要材料包括氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)等。

BeO陶瓷具有較高的熱導(dǎo)率,但是其毒性和高生產(chǎn)成本限制了它的生產(chǎn)和應(yīng)用。Al2O3陶瓷基板因其價(jià)格低廉、耐熱沖擊性好已被廣泛應(yīng)用,但因其熱導(dǎo)率相對(duì)較低和熱膨脹率不匹配的問(wèn)題,已無(wú)法完全滿足功率器件向大功率、小型化方向發(fā)展的趨勢(shì)。AlN和Si3N4陶瓷基板在膨脹系數(shù)及熱導(dǎo)率方面的優(yōu)勢(shì)被認(rèn)為是未來(lái)的發(fā)展方向。


發(fā)展至今,陶瓷基板的結(jié)構(gòu)與制作工藝也多有發(fā)展。目前,陶瓷基板按工藝可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。主要的平面陶瓷基板工藝可分為薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)。目前常見(jiàn)的三維陶瓷基板分為高溫共燒陶瓷基板(HTCC)和低溫共燒陶瓷基板(LTCC)。


HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic,高溫共燒陶瓷):屬于較早發(fā)展的技術(shù),是采用陶瓷與高熔點(diǎn)的W、Mo等金屬圖案進(jìn)行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結(jié)溫度較高使其電極材料的選擇受限,且制作成本相對(duì)昂,促使了LTCC的發(fā)展。


LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低溫共燒陶瓷):LTCC技術(shù)共燒溫度降至約850℃,通過(guò)將多個(gè)印有金屬圖案的陶瓷膜片堆疊共燒,實(shí)現(xiàn)電路在三維空間布線。


DPC(Direct Plating Copper,直接鍍銅):是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的陶瓷電路加工工藝。以陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。


全球來(lái)看,DPC陶瓷基板廠商主要分布在中國(guó)臺(tái)灣和大陸地區(qū)。大概在2015年之后,中國(guó)大陸也有一些企業(yè)加入到了這個(gè)行業(yè)。


DBC(Direct Bonded Copper,直接覆銅):通過(guò)熱熔式粘合法,在高溫下將銅箔直接燒結(jié)到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成復(fù)合基板。


目前全球DBC陶瓷基板,主要由德國(guó)、韓國(guó)和中國(guó)企業(yè)主導(dǎo),核心廠商有德國(guó)的Rogers和賀利氏,韓國(guó)的KCC,中國(guó)的江蘇富樂(lè)華半導(dǎo)體、合肥圣達(dá)、BYD和南京中江等。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,中國(guó)企業(yè)將占有更大的市場(chǎng)份額。


AMB(Active Metal Brazing,活性金屬釬焊):AMB是在DBC技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,在 800℃左右的高溫下,含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金屬的界面潤(rùn)濕并反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合。


AMB陶瓷基板,目前主要也是由德國(guó)羅杰斯、日本電化Denka、中國(guó)江蘇富樂(lè)華半導(dǎo)體科技股份(日本Ferrotec控股)等著三家企業(yè)占有較高份額。其他廠商總體起步較晚,規(guī)模也較小,如國(guó)外企業(yè)主要有賀利氏電子、京瓷、東芝材料、同和、韓國(guó)KCC、韓國(guó)阿莫泰克AMOTECH,國(guó)內(nèi)廠商有比亞迪、博敏電子(芯舟)、浙江德匯電子、合肥圣達(dá)、北京漠石科技、南通威斯派爾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司和無(wú)錫天楊電子有限公司等。未來(lái)幾年,預(yù)計(jì)氮化硅陶瓷基板(AMB-SiN)將快速增長(zhǎng)。

全球陶瓷基板市場(chǎng)火爆,市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)

2022年全球陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了11.3億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到41.5億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為18.23%。


其中,2022年全球AMB陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了4.33億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到28.72億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為26.0%(2023-2029)。


2022年全球DBC陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了4.4億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到8.24億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為7.75%(2023-2029)。


2022年全球DPC陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了2.40億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到3.27億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為4.43%(2023-2029)。


2022年全球DBA陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了0.16億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到1.27億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為32.47%(2023-2029)。

目前市場(chǎng)主要驅(qū)動(dòng)因素有以下幾點(diǎn):


高功率IGBT模塊持續(xù)推動(dòng)DBC/AMB陶瓷基板市場(chǎng)擴(kuò)大

DBC陶瓷基板具有高強(qiáng)度、導(dǎo)熱性能強(qiáng)以及結(jié)合穩(wěn)定的優(yōu)質(zhì)性能,而AMB陶瓷基板是在DBC的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,結(jié)合強(qiáng)度相對(duì)更高。近年來(lái)隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能行業(yè)的快速發(fā)展,IGBT功率模塊的需求快速增長(zhǎng),對(duì)于DBC、AMB陶瓷基板的需求也不斷增加。

LED需求量提高

LED芯片對(duì)于散熱要求極為苛刻,車載照明將進(jìn)一步提升AlN基板的需求。目前單芯片1W大功率LED已產(chǎn)業(yè)化,3W、5W,甚至10W的單芯片大功率LED也已推出,并部分走向市場(chǎng)。這使得超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大,從特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域逐步走向普通照明市場(chǎng)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高,對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。而傳統(tǒng)的基板無(wú)法承載高功率的熱能,氮化鋁陶瓷具有良好的導(dǎo)熱和絕緣性能,能夠提高LED功率水平和發(fā)光效率。功率LED已經(jīng)在戶外大型看板、小型顯示器背光源、車載照明、室內(nèi)及特殊照明等方面獲得了大量應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體SIC加速上車-AMB急速獲益

從產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)用情況來(lái)看,目前汽車是最大的下游市場(chǎng),2022年占據(jù)大約45%的市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì)2029年將進(jìn)一步達(dá)到69%。

SiC加速上車,AMB隨之受益,Si3N4陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第3代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩(wěn)定。雖然國(guó)內(nèi)AMB技術(shù)有一定積累,但產(chǎn)品主要是AIN-AMB基板,受制于Si3N4基片技術(shù)的滯后,國(guó)內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)Si3N4-AMB的商業(yè)化生產(chǎn),核心工藝被美國(guó)、德國(guó)和日本等國(guó)掌握。

國(guó)產(chǎn)替代需求愈發(fā)強(qiáng)烈

中國(guó)市場(chǎng)在過(guò)去幾年變化較快,2022年中國(guó)陶瓷基板產(chǎn)量約占全球的35.9%,預(yù)計(jì)2029年占比將達(dá)到54.9%。歐洲是第二大市場(chǎng)地區(qū),2022年份額為33%,預(yù)計(jì)2029年為21.99%。日本、東南亞、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣也是重要的生產(chǎn)地區(qū),其中日本是全球最大的AMB陶瓷基板生產(chǎn)地區(qū),2022年份額為36%,東南亞(日本NGK DBC和AMB產(chǎn)地在馬來(lái)西亞,韓國(guó)KCC在越南建廠生產(chǎn)DBC)也是重要的DBC和AMB生產(chǎn)地區(qū)。


從全球生產(chǎn)廠家來(lái)看,陶瓷基板第一梯隊(duì)廠商(按收入計(jì))主要是羅杰斯、富樂(lè)華、電化Denka和同欣電子等。其中AMB陶瓷基板核心廠商主要是羅杰斯、富樂(lè)華、電化Denka、賀利氏和比亞迪等,DBC方面核心廠商主要是羅杰斯、富樂(lè)華、NGK Electronics Devices、合肥圣達(dá)和比亞迪等,DPC核心廠商主要是同欣電子,DBA方面主要是三菱綜合材料、同和、電化Denka等,未來(lái)幾年預(yù)計(jì)富樂(lè)華和福建華清電子材料科技有限公司在DBA領(lǐng)域占據(jù)重要地位。


目前我國(guó)已基本實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鋁粉體的進(jìn)口替代。而氮化鋁粉體方面,尤其是氮化鋁粉體,我國(guó)尚依賴從日本進(jìn)口,日本占據(jù)中國(guó)市場(chǎng)超60%市場(chǎng)份額。進(jìn)口粉體產(chǎn)品穩(wěn)定性、精細(xì)化程度較好,但價(jià)格約為國(guó)產(chǎn)普通氮化鋁粉體價(jià)格的3倍左右,且存在原材料斷供的風(fēng)險(xiǎn)。氮化硅粉體方面,我國(guó)僅有少數(shù)粉體廠商具備量產(chǎn)出貨能力,部分陶瓷基板企業(yè)雖具備生產(chǎn)能力,但多為自用,不對(duì)外出售。


因上游關(guān)鍵陶瓷粉體制備技術(shù)均由日本企業(yè)掌握,且粉體對(duì)基板的性能起到?jīng)Q定性作用,所以外企在陶瓷基板的生產(chǎn)上具備天然優(yōu)勢(shì)。陶瓷基板市場(chǎng)也在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)被日本京瓷、日本丸和所壟斷。在國(guó)內(nèi)終端需求猛增的背景下,進(jìn)口陶瓷基板在產(chǎn)品交期、價(jià)格方面逐漸無(wú)法滿足終端企業(yè)要求,下游廠商對(duì)國(guó)產(chǎn)陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化替代需求愈發(fā)強(qiáng)烈。


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