陶瓷基片在進(jìn)行金屬化之前，大多需要對(duì)陶瓷基板進(jìn)行表面研磨拋光，有單、雙面兩種方式。主要是為了去除其表面的附著物、平整度的改善、得到更薄的金屬化層等。所以研磨拋光對(duì)于陶瓷基板來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，會(huì)直接影響到陶瓷金屬化的效果。
由于陶瓷基片硬度高、脆性大、易產(chǎn)生裂紋，表面加工難度大，且加工后很難保證表面和亞表面的質(zhì)量與完整性。陶瓷的表面加工不僅要求有高的尺寸精度和形狀精度，表面粗糙度低以及良好的表面完整性，對(duì)陶瓷基片的應(yīng)用還要求基片表面無(wú)缺陷、無(wú)損傷與超光滑。因此，實(shí)現(xiàn)陶瓷基片表面超光滑平坦化是基片襯底材料制備技術(shù)的關(guān)鍵和發(fā)展趨勢(shì)。不同的研磨方式對(duì)基板的平整度、生產(chǎn)率、成品率的影響都是很大的，后續(xù)的工序是無(wú)法提高基材的幾何形狀的精度。
研磨拋光過(guò)程中，拋光方式、設(shè)備、研磨液的選擇都至關(guān)重要。特別是遇到比較薄的板厚要求時(shí)，研磨就變成非常難以控制的過(guò)程。要保證陶瓷基板不會(huì)碎裂，還要達(dá)到尺寸精度和表面粗糙度的要求，很考驗(yàn)工藝的成熟度。經(jīng)過(guò)精細(xì)研磨和拋光工藝后的陶瓷基板可以得到圖案更精細(xì)的線條，這有利于更密集的電路設(shè)計(jì)的能力，有利于設(shè)計(jì)精細(xì)間距、高密度互連的電路。控制基板的凸度平整度可極大地改善掩模圖案到基底表面的轉(zhuǎn)移，從而獲得更精細(xì)的線條和空間。對(duì)于線厚度為1mil(0.0254mm)的薄膜電路應(yīng)用及5mil的厚膜電路的應(yīng)用，未做精密拋光的的基板基本可以滿(mǎn)足需求，但如果在這些基板上走上更細(xì)的線條，將出現(xiàn)較差的圖案清晰度，將影響電流流動(dòng)或降低電路性能。研磨和拋光基板可改善上下表面之間的平行度（厚度公差）。這樣做的好處是當(dāng)基板被金屬化和圖案化時(shí)，可以更嚴(yán)格地控制基板的電容和電感。由于電容和電感是決定阻抗的主要因素，提高了并行性，可以提高射頻和微波電路的可預(yù)測(cè)性和性能。拋光減少了基板表面的峰跟谷的振幅，從而可以使用非常薄的金屬化層，更薄的電阻層增加了材料的片電阻，這允許了在使用薄膜技術(shù)形成更高的電阻值--特別是在使用蛇形圖案時(shí)。
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