薄膜電路陶瓷封裝基板,采用磁控濺射薄膜沉積與電鍍技術相結合的技術,即在高導熱的陶瓷基體上,采用薄膜金屬化及影像轉移方式制作2D金屬線路,然后采用TCV(Through Ceramic Via) 技術形成雙面布線間的垂直互連,最后采用堆疊技術獲得與陶瓷基體結合緊密的一體式3D金屬框架。
基于薄膜電路工藝,通過磁控濺射實現(xiàn)陶瓷表面金屬化,通過電鍍形成的銅層和金層的厚度在1um~1mm內任意定制。最小線距達到0.05mm。
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薄膜電路陶瓷封裝基板,采用磁控濺射薄膜沉積與電鍍技術相結合的技術,即在高導熱的陶瓷基體上,采用薄膜金屬化及影像轉移方式制作2D金屬線路,然后采用TCV(Through Ceramic Via) 技術形成雙面布線間的垂直互連,最后采用堆疊技術獲得與陶瓷基體結合緊密的一體式3D金屬框架。
基于薄膜電路工藝,通過磁控濺射實現(xiàn)陶瓷表面金屬化,通過電鍍形成的銅層和金層的厚度在1um~1mm內任意定制。最小線距達到0.05mm。