DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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09 2023-10

陶瓷基板市場(chǎng)預(yù)計(jì)未來3年大增94.27%，國(guó)產(chǎn)化需求強(qiáng)烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很...

陶瓷基板

06 2023-10

陶瓷基板的市場(chǎng)到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就...

陶瓷基板

04 2023-10

電子封裝陶瓷基片材料的種類

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展異常迅速，電子系統(tǒng)及設(shè)備向大規(guī)模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。電子系統(tǒng)集成度的提高將導(dǎo)致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝基片材料...

陶瓷基片

25 2023-09

電子封裝用陶瓷粉體及基板研究介紹

氮化鋁具有一系列優(yōu)良特性，核心優(yōu)勢(shì)特性為優(yōu)良的熱導(dǎo)性、可靠的電絕緣性、以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等。它既是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料，也可用于熱交換器、壓電陶瓷及薄膜、導(dǎo)熱填料等，應(yīng)用前景廣闊。

陶瓷基板

18 2023-09

高致密性、高強(qiáng)度的氮化硅陶瓷燒結(jié)工藝介紹

氮化硅（Si3N4）陶瓷作為先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷，具有耐高溫、高強(qiáng)度、高韌性、高硬度、抗蠕變、耐氧化以及耐磨損等優(yōu)異性能的同時(shí)，還具備良好的抗熱震性與介電性能、高熱導(dǎo)率以及良好的高頻電磁波傳輸性能，優(yōu)異的綜合性能使之已廣泛用作航空航天等領(lǐng)域的復(fù)雜結(jié)...

氮化硅陶瓷

15 2023-09

IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠 性進(jìn)行研究。通過對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循 環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的Al...

氮化鋁陶瓷覆銅板