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超聲波掃描技術(shù)在IGBT模塊檢測(cè)的應(yīng)用

IGBT模塊檢測(cè)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。其具有高輸入阻抗,低導(dǎo)通壓降,高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chǔ)能裝置和新能源汽車(chē)等電力電子應(yīng)用。

IGBT模塊作為大功率高效高速場(chǎng)合所使用的開(kāi)關(guān)元器件,現(xiàn)在不僅僅在新能源汽車(chē)中擔(dān)任“大腦”的角色,也在高鐵、電機(jī)中也負(fù)責(zé)著“變頻調(diào)速”的核心功能。近年來(lái),隨著新能源電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能/光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件相關(guān)的需求也出現(xiàn)巨大的增長(zhǎng),作為功率器件的“老大哥”IGBT模塊隨之迎來(lái)了井噴式增長(zhǎng)。

為何要進(jìn)行IGBT模塊檢測(cè)?

由于IGBT模塊內(nèi)部為多層結(jié)構(gòu)集成數(shù)個(gè)電子元器件,涉及材料、微電子、焊接等多個(gè)學(xué)科中數(shù)百種工藝。技術(shù)門(mén)檻高,研發(fā)投入大,如何保證IGBT內(nèi)部封裝質(zhì)量是廠家們較為關(guān)心的問(wèn)題。

IGBT模塊各層結(jié)合處易產(chǎn)生分層、虛焊等缺陷

IGBT模塊中芯片產(chǎn)生的熱量是通過(guò)芯片焊接層、陶瓷基板、焊接層、散熱銅基板向周?chē)h(huán)境排放,組成散熱通道的各層材料都有各自不同的熱阻,理想情況下,通過(guò)IGBT模塊的熱設(shè)計(jì),可以使熱量以一定速度通過(guò)各層材料,防止模塊的過(guò)熱失效。然而,受限制于實(shí)際制造工藝、材料、技術(shù)等因素,IGBT芯片與散熱銅基板間的各層材料界面會(huì)存在各種類型的間隙型缺陷,如空洞、分層、虛焊等,對(duì)IGBT模塊內(nèi)的散熱、正常運(yùn)行能力有著相當(dāng)大的影響。上述缺陷會(huì)形成的空隙,就算微小,也會(huì)逐漸在后續(xù)使用中逐步擴(kuò)大,將運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的大量熱量反射回芯片電路上,從而導(dǎo)致模塊過(guò)熱而失效。IGBT模塊散熱不暢原因

同時(shí)IGBT模塊間歇工作時(shí)經(jīng)歷的周期性高低溫循環(huán),會(huì)對(duì)模塊內(nèi)部各層施加周期性熱應(yīng)力,造成間隙性缺陷的產(chǎn)生。這些缺陷會(huì)在IGBT模塊的散熱通道中形成一個(gè)個(gè)有效的熱反射面,如果缺陷較多或較密集,就會(huì)把大量的熱量反射回芯片,導(dǎo)致IGBT芯片結(jié)溫升高,直接縮短模塊的工作壽命甚至?xí)?dǎo)致其熱疲勞失效。

因此消滅這些“危險(xiǎn)”的空洞縫隙,保證IGBT模塊的可靠性,從而得到高質(zhì)量模塊顯得至關(guān)重要。

超聲波的優(yōu)勢(shì)

IGBT模組檢測(cè)通常使用金相剖開(kāi)手段或X-ray等檢測(cè)手段檢測(cè)。然而,IGBT模塊單價(jià)以及檢測(cè)成本較高,破壞性判斷有無(wú)空洞的代價(jià)較大;X射線檢查只能探測(cè)材料缺失的缺陷(如焊料中的空洞等),無(wú)法檢測(cè)出IGBT內(nèi)部具有多層結(jié)構(gòu)的鍵合分層、空洞、有焊料但未粘結(jié)的復(fù)雜缺陷等。

超聲波掃描顯微鏡檢測(cè),也就是俗稱的超聲SAT檢測(cè)技術(shù),也稱為水浸式超聲波斷層掃描成像技術(shù),是一種對(duì)分層等面積型缺陷相當(dāng)敏感的無(wú)損檢測(cè)手段,在IGBT質(zhì)量檢測(cè)領(lǐng)域的實(shí)踐中得到了不錯(cuò)的評(píng)價(jià)。主要用于檢測(cè)工件內(nèi)部的空洞、裂紋、分層,焊接不良等缺陷,可以檢測(cè)出工件內(nèi)部缺陷處界面的二維圖像,類似給工件做“B超”。

超聲波掃描顯微鏡的原理就是通過(guò)超聲波探頭的換能器將超聲波以脈沖的方式傳送到樣品內(nèi)部,而由于超聲波在不同材料結(jié)合界面會(huì)發(fā)生反射,所以一旦存在分層等缺陷,就會(huì)產(chǎn)生有明顯區(qū)別的回波,在計(jì)算機(jī)的辨別和圖像化處理后,最終生成IGBT模組內(nèi)部的掃描成像圖。

超聲波掃描顯微鏡可對(duì)IGBT內(nèi)部進(jìn)行逐層掃描成像,檢測(cè)內(nèi)部各個(gè)結(jié)合面缺陷,多個(gè)深度位置,獨(dú)立成像,與CT檢測(cè)類似,超聲檢測(cè)效率更高,逐層檢測(cè)每一層微小空洞、裂紋、虛焊、夾雜、分層、鼓包等缺陷,實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT模塊內(nèi)部界面缺陷的有效檢測(cè),準(zhǔn)確找到IGBT模塊材料、工藝中出現(xiàn)的問(wèn)題。

超聲掃描檢測(cè)技術(shù)是利用不同材料聲阻抗的差異來(lái)確定缺陷的大小和位置,具有探測(cè)深度大、定位準(zhǔn)確、檢測(cè)靈敏度高、成本低、使用方便、檢測(cè)速度快(只需要2~8 min)、不損傷樣品等優(yōu)勢(shì),能夠?qū)崿F(xiàn)樣品內(nèi)部任意部位各種缺陷(如空洞、分層、虛焊等)的有效探測(cè),因此對(duì)元器件的缺陷探測(cè)及可靠性評(píng)估有著重要的意義。并且高頻超聲波對(duì)面積型缺陷極為敏感,檢測(cè)精度高,可以對(duì)工件內(nèi)部對(duì)缺陷做定性定量分析,和X-ray設(shè)備形成充分互補(bǔ)。

目前超聲掃描檢測(cè)技術(shù)已廣泛應(yīng)用在集成電路、片式多層瓷介電容器(MLCC)等領(lǐng)域的批量測(cè)試中。隨著技術(shù)的發(fā)展以及應(yīng)用需要,超聲檢測(cè)技術(shù)正朝著高精度、高分辨率、數(shù)字化、圖像化、自動(dòng)化、智能化方向不斷發(fā)展。


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