如今，SiC“上車”已成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)難以繞開的話題，諸多半導體企業(yè)在碳化硅上“卷”了起來。SiC在高壓+長續(xù)航平臺有先天性能優(yōu)勢。

      目前IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板，DBC陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷（Al2O3或AlN）之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應力，從而導致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求。

      Si₃N₄-AMB基板技術(shù)實現(xiàn)了氮化鋁和氮化硅陶瓷與銅片的覆接，可大幅提高陶瓷基板可靠性，逐步成為中高端IGBT模塊散熱電路板主要應用類型。目前以Si基為主的IGBT模塊在具有高導熱性、高可靠性、高功率等要求、對成本不敏感的軌道交通、工業(yè)級、車規(guī)級領(lǐng)域正逐漸采用Si₃N₄-AMB陶瓷襯板替代原有的DBC陶瓷襯板，Si₃N₄-AMB基板是SiC器件封裝基板的首選。

      Ferrotec統(tǒng)計顯示，采用AMB工藝的氮化硅陶瓷基板(Si₃N₄-AMB)主要應用在電動汽車(EV)和混合動力車(HV)功率半導體中。Si₃N₄-AMB陶瓷基板具有高熱導率、高載流能力以及低熱膨脹系數(shù)，性能優(yōu)越有望成為IGBT和SiC功率器件基板應用新趨勢：

● 高熱導率、高載流能力：Si₃N₄-AMB陶瓷基板熱導率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

● 低熱膨脹系數(shù)：Si₃N₄-AMB陶瓷基板熱膨脹系數(shù)為2.4ppm/K，與硅芯片(4ppm/K)接近，具有良好的熱匹配性，適用于裸芯片的可靠封裝。

      碳化硅車型滲透率預計2024年快速提升，新能源汽車領(lǐng)域成為Si₃N₄-AMB陶瓷基板最大需求領(lǐng)域：全球碳化硅模塊用量最多的是特斯拉，Model3開始全系標配碳化硅MOSFET模塊替代IGBT作為逆變器功率器件，碳化硅模塊都必須采用Si₃N₄-AMB的陶瓷封裝材料。

      據(jù)估計，目前一塊標準襯板單價為400元左右，預計2027年預計全球采用SiC車型將達到1032萬輛，考慮到未來降價至300元左右，預計2027年SiC車規(guī)市場規(guī)模將達到34.3億元。如果750V以上車規(guī)級IGBT模塊也進行替換，預計車規(guī)級電控模塊所需Si₃N₄-AMB基板市場空間達到50億元左右。

Si₃N₄-AMB基板制備流程

      AMB工藝根據(jù)釬焊料不同，目前主要分為放置銀銅鈦焊片和印刷銀銅鈦焊膏兩種。以后者為例，首先將Ag、Cu、Ti元素直接以粉末形式混合制成漿料，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將Ag-Cu-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上，再利用熱壓技術(shù)將銅箔層壓在焊料上，最后通過燒結(jié)、光刻、腐蝕及鍍Ni工藝制備出符合要求的氮化硅AMB覆銅板。

      在AMB工藝中，利用Ti等過渡金屬與Ag、Cu等元素形成合金焊料，具有很強的化學活性，能夠與氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷等發(fā)生反應，促使熔融焊料潤濕陶瓷表面，完成氮化硅與無氧銅的連接?；钚栽豑i與氮化硅陶瓷反應的主要產(chǎn)物是TiN和TiAl3。

      但這兩種方法都存在一定局限。首先，焊片工藝所用的銀銅鈦焊片在制備過程中容易出現(xiàn)活性元素Ti的氧化、偏析問題，導致成材率極低，焊接接頭性能較差。對于焊膏工藝，在高真空中加熱時有大量有機物揮發(fā)，導致釬焊界面不致密，出現(xiàn)較多空洞，使得基板在服役過程中易出現(xiàn)高壓擊穿、誘發(fā)裂紋的問題。此外，釋放的有機揮發(fā)物會污染真空腔體和泵組管道，影響分子泵的使用壽命。

      據(jù)此，李伸虎等創(chuàng)新地提出了銀銅鈦焊膏的預脫脂釬焊工藝，可以在保護高真空設(shè)備的同時，顯著降低Si₃N₄陶瓷-銅的界面空洞率。

      此外，AMB工藝還還存在一些短板，其技術(shù)實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術(shù)目前的實現(xiàn)成本還比較高。