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氮化鋁(AlN?)陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷基板工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能,是近年來(lái)受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性,與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無(wú)毒性等優(yōu)點(diǎn),使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。


雖然熱壓、等靜壓適用于制備高性能的片式氮化鋁,但成本高、生產(chǎn)效率低,無(wú)法滿足電子工業(yè)對(duì)氮化鋁陶瓷基片用量日益增加的需求。為了解決這一問(wèn)題,近年來(lái)很多廠家采用流延法成型氮化鋁陶瓷基片。流延法也已成為電子工業(yè)用氮化鋁陶瓷基板的主要成型工藝。

氮化鋁基板工藝流程

一、球磨制漿

在氮化鋁漿料制備中,通常要加入有機(jī)混合溶劑如分散劑及粘結(jié)劑、 塑性劑等以獲得易于流延成型的漿料特性。除此之外,一般還會(huì)加入Y2O3用作在常壓燒結(jié)條件下起著燒結(jié)助劑的作用。漿料的粘度對(duì)基板的性能有重要的影響。而影響漿料粘度的因素有研磨時(shí)間、 有機(jī)混合溶劑摻量、 分散劑摻量及粘結(jié)劑、 塑性劑等。所以漿料的配方選擇、工藝控制對(duì)陶瓷基板的性能影響十分顯著。


二、流延成型

氮化鋁基板

流延成型生產(chǎn)效率高,易于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)連續(xù)化和自動(dòng)化,降低成本,實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。生產(chǎn)的基板厚度可薄至10μm以下,厚可至1mm以上。流延成型是AlN氮化鋁陶瓷基板向?qū)嵱没D(zhuǎn)化的重要一步,有著重要的應(yīng)用前景。

 

與其他成型工藝相比,流延成型具有很多優(yōu)點(diǎn):

1)設(shè)備工藝簡(jiǎn)單,可連續(xù)生產(chǎn);

2)可制備單相或復(fù)相陶瓷薄片材料;

3)產(chǎn)品的缺陷小,性能均一,生產(chǎn)效率高,可連續(xù)操作;

4)均可大、小批量生產(chǎn),適于工業(yè)生產(chǎn);

5)非常適用于大型薄板的陶瓷部件的制備,這是流延成型最大的特點(diǎn),是壓制或者擠壓成型工藝很難實(shí)現(xiàn)的。


三、排膠

經(jīng)流延法制得的基片素坯,由于內(nèi)含大量的有機(jī)物,其內(nèi)部的孔隙率較大,強(qiáng)度較低,若直接進(jìn)行燒結(jié),會(huì)導(dǎo)致基板產(chǎn)生較強(qiáng)的收縮,基板翹曲,而且在燒結(jié)時(shí)還會(huì)導(dǎo)致坯片的相互粘結(jié),影響基板的成品率和熱導(dǎo)率。為了防止以上缺陷的產(chǎn)生,在1100℃的氮?dú)鈿夥諣t中預(yù)燒后在進(jìn)行燒結(jié),可以提高素坯強(qiáng)度,減少孔隙率,得到平整度高、性能良好的AlN基板材料。


四、燒結(jié)

在經(jīng)排膠之后,氮化鋁基板將進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)。高導(dǎo)熱氮化鋁基片的燒結(jié)工藝重點(diǎn)包括燒結(jié)方式、燒結(jié)助劑的添加、燒結(jié)氣氛的控制等。

 

由于AlN屬于共價(jià)化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,燒結(jié)致密化非常困難,通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結(jié)助劑來(lái)促進(jìn)燒結(jié),但仍需要1800℃以上的燒結(jié)溫度。通過(guò)以下三種途徑可以獲得致密的高性能氮化鋁陶瓷:(1)使用超細(xì)粉;(2)熱壓或等靜壓;(3)引入燒結(jié)助劑。

氮化鋁粉

AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種,即熱壓燒結(jié)、無(wú)壓燒結(jié)、微波燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)和自蔓延燒結(jié)。其中熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。


氮化鋁陶瓷基版從粉體的制備、再到配方混料、基板成型、燒結(jié)及后期加工等特殊要求很高,尤其是在高端產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)Ξa(chǎn)品性能、穩(wěn)定性等要求更高,再加上設(shè)備投資大、制造工藝復(fù)雜,其準(zhǔn)入門檻較高。當(dāng)前在國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷基板能真正量產(chǎn)的企業(yè)并不多。但由于電子陶瓷產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速,再加上氮化鋁陶瓷基板本身的物化特性,在功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板,以及作為高導(dǎo)熱基板材料在IC封裝中的使用越來(lái)越多,近幾年入局氮化鋁基板的企業(yè)越來(lái)越多。盡管目前氮化鋁基板的性能與國(guó)外仍有差距,但相信在不久的將來(lái)特別是在高端用產(chǎn)品上將蓬勃發(fā)展。



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