以后都不要再問HTCC,LTCC,DBC,DPC,AMB都是什么了!
文章出處:行業(yè)動態(tài) 責(zé)任編輯:陶瓷pcb電路板|深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司 閱讀量:- 發(fā)表時間:2023-10-20
AMB陶瓷基板
陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能,高導(dǎo)熱特性,優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度,并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形,具有很大的載流能力。因此,陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。
按制造工藝分類:陶瓷基板主要分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。主要的平面陶瓷基板工藝可分為薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)。主要的三維陶瓷基板分為高溫共燒陶瓷基板(HTCC)和低溫共燒陶瓷基板(LTCC)。
現(xiàn)階段較普遍的陶瓷散熱基板種類有:HTCC,LTCC,DBC,DPC,AMB等。
- HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic,高溫共燒陶瓷):屬于較早發(fā)展的技術(shù),是采用陶瓷與高熔點的W、Mo等金屬圖案進行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結(jié)溫度較高使其電極材料的選擇受限,且制作成本相對昂,促使了LTCC的發(fā)展。
- LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低溫共燒陶瓷):LTCC技術(shù)共燒溫度降至約850℃,通過將多個印有金屬圖案的陶瓷膜片堆疊共燒,實現(xiàn)電路在三維空間布線。
- DPC(Direct Plating Copper,直接鍍銅):是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。
- DBC(Direct Bonded Copper,直接覆銅):通過熱熔式粘合法,在高溫下將銅箔直接燒結(jié)到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成復(fù)合基板。
- AMB(Active Metal Brazing,活性金屬釬焊):AMB是在DBC技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,在 800℃左右的高溫下,含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng),從而實現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合。
其中,HTCC\LTCC都屬于燒結(jié)工藝,成本都會較高。而DBC與DPC則為國內(nèi)近年來才開發(fā)成熟,且能量產(chǎn)化的專業(yè)技術(shù),DBC是利用高溫加熱將Al2O3與Cu板結(jié)合,其技術(shù)瓶頸在于不易解決Al2O3與Cu板間微氣孔產(chǎn)生之問題,這使得該產(chǎn)品的量產(chǎn)能量與良率受到較大的挑戰(zhàn),而DPC技術(shù)則是利用直接鍍銅技術(shù),將Cu沉積于Al2O3基板之上,其工藝結(jié)合材料與薄膜工藝技術(shù),其產(chǎn)品為近年最普遍使用的陶瓷散熱基板。然而其材料控制與工藝技術(shù)整合能力要求較高,這使得跨入DPC產(chǎn)業(yè)并能穩(wěn)定生產(chǎn)的技術(shù)門檻相對較高。與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,AMB陶瓷基板是靠陶瓷與活性金屬焊膏在高溫下進行化學(xué)反應(yīng)來實現(xiàn)結(jié)合,因此其結(jié)合強度更高,可靠性更好,極適用于連接器或?qū)﹄娏鞒休d大、散熱要求高的場景。尤其是新能源汽車、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、光伏、5G通信等對性能要求苛刻的電力電子及大功率電子模塊對AMB陶瓷覆銅板需求巨大。按照材料分類:陶瓷基板主要材料包括氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)等。
陶瓷粉體是影響陶瓷基板物理、力學(xué)性能的關(guān)鍵因素。粉體的純度、粒度、物相、氧含量等會對陶瓷基板的熱導(dǎo)率、力學(xué)性能產(chǎn)生重要影響,其特性也決定了基板成型工藝、燒結(jié)工藝的選擇。BeO陶瓷具有較高的熱導(dǎo)率,但是其毒性和高生產(chǎn)成本限制了它的生產(chǎn)和應(yīng)用。Al2O3陶瓷基板因其價格低廉、耐熱沖擊性好已被廣泛應(yīng)用,但因其熱導(dǎo)率相對較低和熱膨脹率不匹配的問題,已無法完全滿足功率器件向大功率、小型化方向發(fā)展的趨勢。AlN和Si3N4陶瓷基板在膨脹系數(shù)及熱導(dǎo)率方面的優(yōu)勢被認為是未來的發(fā)展方向。Si3N4的撓曲強度更是得到大幅改善, 設(shè)計師們也因此而受益;其斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷,在 90 W/mK 的熱導(dǎo)率下達到了6.5~7 MPa/√m。