覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉

       覆銅陶瓷基板也叫陶瓷覆銅板，在陶瓷基片的表面金屬化銅工藝，用來做為器件載板，同時事先層級電路連接，導熱導電等功能。那么覆銅陶瓷基板都應(yīng)用用到哪些領(lǐng)域呢？

一，覆銅陶瓷基板應(yīng)用到新能源汽車產(chǎn)品

 電子控制系統(tǒng)是電動汽車的關(guān)鍵部件，其主要組成部分包括系統(tǒng)集成與軟件、芯片與特殊器件、IGBT模塊、車用傳感器、電子控制模塊與連接器、繼電器等。而IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是整個電子控制系統(tǒng)的“中樞神經(jīng)系統(tǒng)”，是驅(qū)動系統(tǒng)的核心，占控制器總成本的40%~50%。

  陶瓷覆銅板是銅-陶瓷-銅“三明治”結(jié)構(gòu)的復合材料，它具有陶瓷的散熱性好、絕緣性高、機械強度高、熱膨脹與芯片匹配的特性，又兼有無氧銅電流承載能力強、焊接和鍵合性能好、熱導率高的特性，是IGBT模塊的關(guān)鍵封裝材料之一。

目前陶瓷覆銅基板根據(jù)陶瓷材料的不同分為氧化鋁陶瓷覆銅板、氮化鋁陶瓷覆銅板及氮化硅陶瓷覆銅板，性能對比下氮化硅覆銅基板更為優(yōu)秀，其最大特點是具有與其他陶瓷基板所無可比擬的可靠性，即具有氮化硅陶瓷高強度、高導熱的特性，結(jié)合活性金屬焊接工藝后又具有高可靠性，使其成為高壓大功率IGBT模塊封裝中最具有發(fā)展前景的材料。特別是在可靠性和小型化要求更高的電動汽車領(lǐng)域。

二、覆陶瓷基板在半導體器件產(chǎn)品領(lǐng)域應(yīng)用

      半導體功率器件包括（包括LED、LD、IGBT、CPV等），隨著電子科技的不斷發(fā)展，散熱成為影響器件性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。電子封裝是半導體器件制造關(guān)鍵工藝，直接影響到器件性能、可靠性與成本，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展功率器件的技術(shù)瓶頸。應(yīng)用于高功率器件的封裝基板，不僅要滿足電氣互連、機械承載的作用，還要有良好的散熱性能。

覆銅陶瓷基板具有優(yōu)良的散熱性且其熱膨脹系數(shù)（CET）和芯片相匹配，提高了器件可靠性。但陶瓷本身不導電，需要將其金屬化以滿足電氣互連要求，此外，還需要通過通孔填充技術(shù)實現(xiàn)基板上下表面互連，從而實現(xiàn)三維立體封裝。通過金屬化制備的覆銅陶瓷基板是高溫、高頻、大功率器件封裝的理想選擇。

三、覆銅陶瓷基板電力模塊領(lǐng)域的應(yīng)用

       電力電子設(shè)計師選擇直接敷銅（DBC）和活性金屬釬焊（AMB）覆陶瓷基板作為電力模塊中半導體裸芯片的電路材料，這是因為這種基板能夠使半導體的熱量有效消散，并延長模塊的使用壽命。但是工藝和生產(chǎn)工程師首先應(yīng)建立這些模塊，他們必須謹慎地加入多個部件，并將它們連接在一起，以提供所需的電氣、熱力、化學和機械功能。

四、覆銅陶瓷基板在光通信器件的應(yīng)用

      無論是數(shù)據(jù)中心還是電信市場，在通訊領(lǐng)域的不斷升級來源于光模塊性能的升級，IT設(shè)備的電信號轉(zhuǎn)化為光信號，可見傳播速度相當于光速，而且信號不受影響。那么意味著對光模塊芯片的高頻高速性能的要求非常高，要求介電損耗非常小，幾乎可以忽略。初此之外，光模塊的使用壽命要求比較高，一般商用需要長達工作壽命近百萬小時（約 100 年）的半導體光模塊器件，以為著需要非常好的氣密性，使用壽命長，能承載高功率、高電流長期工作，其中高功率、高頻率、高電流產(chǎn)生是熱量能有效散發(fā)，產(chǎn)品熱應(yīng)力小到可以忽略不計。覆銅陶成績板能有效的應(yīng)用到光模塊并滿足光模塊的功能要求。

      覆銅陶瓷基板還有很多應(yīng)用領(lǐng)域，比如半導體制冷片設(shè)備，LED照明、光伏系統(tǒng)、醫(yī)學醫(yī)療等等，更多覆銅陶瓷基板相關(guān)應(yīng)用可以咨詢金瑞欣特種電路。