摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。

引言

   隨著我國高鐵、航天、軍工等領域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應更加復雜、苛刻的應用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換 ，所以制備高熱導率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產品的關鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有 10%-20%，其余的能量則轉化為熱能，如果芯片的熱量不能及時的散出去，就會影響芯片的出光效率，或者縮短芯片使用壽命甚至失效。近年，大功率 IGBT 電子模塊在混合動力/電動汽車的電機驅動、電池充電、電平轉換等重要子系統(tǒng)中得到了廣泛應用，由于混合動力/電動汽車中 IGBT 模塊靠近發(fā)熱量大的熱源,芯片的溫度有可能高達 175C°，甚至更高，同時混合動力/電動汽車上空間要求很苛刻，這進一步增加了散熱的難度。因此，未來芯片發(fā)熱量高、熱應變大、要求環(huán)保無污染等應用狀況對散熱基板材料提出了更新、更高的要求。

   大功率散熱基板材料要求具有低成本、高電絕緣性、高穩(wěn)定性、高導熱性及與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE）、平整性和較高的強度等。為了滿足這些要求，人們將目光投向了金屬氧化物、陶瓷、聚合物、復合材料等。主要應用的散熱基板材料有ANN、BeO、SiC、BN、Si等。

   金屬氧化物，雖然具有機械強度高、耐熱沖擊和介質損耗小等優(yōu)點，但因為具有較低的熱導率且高純氧化鋁難以燒結造價昂貴，故已不能滿足大功率散熱基板材料的要求; BeO 熱導率高，但其線膨脹系數(shù)與Si相差很大，高溫時熱導率急劇下降且制造時有毒，限制了其應用范圍;BN雖然具有較好的綜合性能，但作為基板材料價格太昂貴，目前只處于研究和推廣之中SiC具有高強度和高熱導率，但其電阻和絕緣耐壓值都較低，介電常數(shù)偏大，不宜作為基板材料一硅作為散熱基板材料加工困難，成本高；單一金屬材料具有導電及熱膨脹系數(shù)失配等問題，因此以上材料很難滿足未來大功率散熱基板材料的苛刻要求。

   到目前為止，人們研究發(fā)現(xiàn)， AIN 表現(xiàn)出高達200W/(m·K)的熱導率，因此 AIN 高熱導率散熱材料已開始被應用在一些重要的大功率電子芯片的散熱基板中。然而，山于 AIN 的機械性能不能充分滿足大功率散熱基板材料的要求（一般來說，彎曲強度 300-400MPa ,析裂韌性 3-4 MPa)，導致基板可靠性低。同時 AIN 的燒結溫度很高（1900℃左右）且在水中容易水解形成偏鋁酸，這也限制了AIN 的應用。研究者們迫切希望尋求一種可替代AIN的具有高熱導率和優(yōu)良綜合性能的散熱基板材料，因此人們把注意力轉向 Si3N4陶瓷材料。

    Si3N4是一種共價鍵化合物，主要有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形。其中β-si3N4在平均原子量、原子鍵鍵強等方面與碳化硅、氮化鋁較為相似，但結構相對復雜對聲子散射比較大，故在早期階段人們認為氮化硅的熱導率很低。直到 1995 年，Haggerty等提出復雜的晶體結構并非鏡訛硅低熱導率的原因，而是晶格內缺陷、雜質等原因，并預測β-Si3N4胸資熱導率可以達到200-320W/(m.K）。在1999 年，Watar等用熱等靜壓法在溫度2773K、氮氣壓力200MPa的條件下制備出了熱導率為155w/(m.K）氮化硅陶瓷，用實驗的方法證明了氮化硅陶瓷具有很高的熱導率，此外，研究者們對si3N4;熱膨脹系數(shù)，機械性能、抗氧化性、電絕緣性、對環(huán)境的影響等方面分別進行了不懈的研究，發(fā)現(xiàn)均能獲得令人滿意的結果，因此氮化硅被認為是一種很有潛力的高速電路和大功率電子器件散熱基板和封裝材料。

1、高導熱率氧化硅陶瓷的影響因素

   高導熱率氮化硅陶瓷是獲得高導熱率氮化硅散熱基板的前提，而影響氮化硅陶瓷熱導率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、燒結時晶種的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形狀排列方式等都對氮化硅陶瓷的趙得率有著巨大的影響。

   在制備氮化硅陶瓷中，反應物中的孔隙率為12%-25%了，而氣體的熱導率一般較低，故致密度越大，孔隙率越低，熱導率越高。氮化硅具有α和β兩種晶體相，其中相中的氧含量高于β相中的氧含量，而氧雜質對聲子具有散射的作用，因此氮化硅陶瓷中β/α的值越大，熱導率越高。當燒結高熱導率氮化硅陶瓷時，在 Si3N4原料中加入尺寸較大的β-Si3N4晶種，為 β-Si3N4 。晶粒的結晶提供晶核，將晶界相逐漸排擠進入多晶交界處，從而提高熱導率Naoto , Hirosaki 等用β一Si3N4 作為原料，研究添加0.5wt.％的大粒徑β-Si3N4 作為晶種和不添加晶種的氮化硅陶瓷熱導率的差別，均在溫度為 1900℃ ，氮氣壓力為 l0MPa 的條件下用氣壓燒結的方法制備氮化硅陶瓷。結果表明，添加晶種的氮化硅陶瓷熱導率為l06w/(m·K) ，而不加晶種的氮化硅陶瓷只有77W/(m.K）。

   聲子運動的一個重要參數(shù)是聲子的運動自山程，理論上晶粒尺寸與其平均自由程為相同數(shù)量級時，晶界對聲子造成散射。而在一般情況下，除反應燒結外， Si3N4 燒結體的晶粒尺寸均為微米級，遠大于聲子間的平均白由程，所以 Si3N4晶粒尺寸對Si3N4的熱導率沒有直接影響，但是隨著Si3N4晶粒尺寸的增大，晶間相的分布會有所變化，相鄰兩個晶粒間的晶間相薄層數(shù)量會減少，因而，在一定尺寸范圍內，晶粒的增大可以提高Si3N4的熱導率。單晶β-Si3N4顆粒沿c和a兩個劃晌喇飛畢率分別可達180W/(m.k）和69W/（m.k）,氮化硅陶瓷中顆粒的定向排列可以充分發(fā)揮β-Si3N4 熱導率各向異性的特點，獲得在某一方向上熱導率較高的氮化硅陶瓷。例如 watari 等在燒結時加入β-Si3N4 晶種，采川流延成型工藝使晶粒定向排列，得到在平行和垂直流延成型方向卜分別為15sw/(m·K）和52w/(m·K）的導熱率，雖然在某一方向上熱導率有較大的提高，但是熱導率存在各向異性限制了其應用范圍。

2、高導熱率氮化硅陶瓷的制備方法

目前，氮化硅陶瓷的燒結方法主要有反應燒結法（RS）、熱壓燒結法（HPS）、常壓燒結發(fā)（PLS）和氣壓燒結法（GPS）等。

2.1反應燒結法

制備氮化硅最早的使用方法。先將硅粉和粘結劑通過干壓、等靜壓方法成型后，再在1200-1500℃溫度條件下氮化燒結得到氮化硅陶瓷。反應燒結法具有燒結前后線收縮率低、成本低的優(yōu)點，但也有致密度小，力學性能差的缺點。適合制造形狀復雜，尺寸精確的零件。在實驗中按名義組成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉進行混合成型。然后在1200-1500℃下反應燒結，并將反應燒結的初置于氣壓燒結爐內，在1-9MPa壓力和1900℃的條件下保溫三小時，制備了氮化硅陶瓷。并檢驗了其熱導率，在1000°C時熱導率為19.43W/（m.k），在1200°C的熱導率為17.59w/（m.k）。

2.2熱壓燒結法

    在原料Si3N4粉中加入少量添加劑（如MgO、A1 2O 3、MgF2、Fe 2O 3等），再加15-40MPa的機械壓力在氧氣氣氛下1600℃以上的溫度進行燒結的方法。該方法具有成本高、燒結工藝復雜、燒結體收縮大但燒結成的氮化硅陶瓷密度高，材料力學性能優(yōu)異的特點，常被用來制造形狀簡單的零件制品。在研究高熱導率AIN/Si3N4復合陶瓷

瓷材料時，在Si3N4中添加含量為 20wt.%的 AIN ，以La2O3為燒結助劑，采用熱壓燒結的方法，在溫度為 1750℃ 、氮氣壓力為30MPa 的條件下制備出的氮化硅陶瓷最佳熱導率為35w/（m.k）,制備出的熱導率偏低，主要的原因可能是 AIN 的加入引入了AI雜質，形成了塞隆相，即晶界相增加導致陶瓷熱導率和致密度的降低，但是該陶瓷的機械性能較好，仍具有很大的應用價值。

2.3常壓燒結法

將氮化硅粉與燒結助劑均勻混合、成型，在1700一1800 ℃ 溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800一2000℃溫度范圍內進行氣壓燒結。采用氣壓能促進si3N4陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度。該方法制造成本偏高，精度得不到Thanakorn 等，先在1650℃、0.1 MPaN2中無壓燒結2h后升至l950℃,在 1.0MPa NZ中保溫8小時制得了熱導率為90W/(m·K的β-Si3N4陶以氮化硅噴霧造粒粉為原料，分別用高溫常壓燒結和熱等靜壓處理燒坯兩種方法制備氮化硅陶瓷材料，其中。在高溫常壓燒結中，氮化硅燒結溫度（1800±10）℃，保溫時間40min氮氣作為保護氣氛。在熱等靜壓處理中，氮化硅燒結坯處理溫度（1720±20）℃ ，壓力150-200MRI，保溫時間1.5小時。分別得到了熱導率為19.4和19.8w/(m.k）的氮化硅陶瓷。并比較研究了它們抗熱震性、抗熱沖擊性，表明氮化硅陶瓷經過熱等靜壓處理性能均得到提高。

2.4氣壓燒結法氣壓燒結

（ Gas Pressure Sintering ，簡寫為 GPS ）是指將陶瓷素坯在高溫燒結過程中，施加一定的壓力為l一10MPa氣體（通常為 N2 汽），抑制在高溫下氮化硅陶瓷的分解，從而可提高燒結溫度，進一步促進材料的致密化，獲得高密度的陶瓷制品。氣壓燒結氮化硅陶瓷主要分兩步進行，且第二步比第一步氮氣壓力和燒結溫度都更高。在第一步中燒結助劑熔化Si3N4！晶粒重排，α-Si3N4 ．轉化為β-Si3N4 及溶解一析出過程中部分晶粒發(fā)生長大。第二步中材料燒結溫度升高，Si3N4通過液相擴散過程加快，晶?？焖匍L大。采用氣壓燒結的方法，加入MgO、Y2O3及CeO2作為復合燒結助劑，在1800℃、 4 MPa 氮氣壓力下燒結 4 小時合成了氮化硅陶瓷。當燒結助劑總量為 8wt.%( 4wt.%Mgo+3wt.%Y2O3+1wt.%CeO2)熱導率達到最大值44w/(m K）。很顯然，熱導率提高的并不明顯，這可能是由于燒結助劑的種類太多引入了過多的金屬雜質和氧元素。

2.5 放電等離子燒結法放電等離子燒結

（spark plasma sintering , sPs ）又稱為 PAS ( plasma active sintering ）即“等離子活化燒結”，是一種快速燒結新技術。燒結時直接將脈沖電流施加在石墨磨模具上，可以達到很高的升溫速率，使氮化硅陶瓷中的α→β的相變可以在瞬間進行和完成，最大程度地實現(xiàn)氮化硅陶瓷的低溫快速燒結。彭萌萌、寧曉山等在實驗中用自蔓延高溫合成法合成的β -Si3N4粉和普通的。α一Si3N4 .粉，Y2O3和Mgo復合添加劑，經過放電等離子燒結（SPS）后再進行高溫熱處理，得出隨著 SPS 保溫時間延長，熱導率先上升后一哪華，在5min時熱導率有最大值105w/(m .K）的結論。這是因為在開始

時保溫時間不超過 2 min 燒結不充分，所以隨著保溫時間增加，熱導率增加，當保溫時間l0min時產生過燒，此時氮化硅陶瓷密度較低，導致粼得率低。用 Y₂O₃ - MgO , Y₂O₃-cao,ceo₂ MgO ,CeO_2-CaO ,La₂O₃-MgO和La₂O₃一CaO共6組燒結助劑，采用放電等離子燒結再熱處理的工藝制備氮化硅陶瓷，結果表明：當采用Y₂0₃一 MgO燒結助劑和適當?shù)臒Y工藝，得到氮化硅陶瓷熱導率最高可達到80w/(m·K以上，且具有較好的機械性能和介電性能。 

3 高熱導率氮化硅陶瓷添加劑的選擇

   氮化硅是共價化合物，晶例斷構復雜，硅原子和氮原子的自擴散系數(shù)很低，導致氮化硅粉末燒結驅動力小，很難燒結。因此研究者們提出在燒結時加入少量燒結添加劑，通過添加劑與氮化硅粉末表面形成的 Si0₂ 層反應形成液相來實現(xiàn)致密化燒結達到在較低溫度下就能得到燒結致密的氮化硅陶瓷的目的，從而提高熱導率。經過實驗研究表明，燒結助劑一方面可以降低氮化硅陶瓷的燒結溫度，增加氮化硅陶瓷中的a-p的相變，獲得β一 Si3N4 含量高的氮化硅陶瓷，另一方面有利于長柱狀氮化硅晶粒的生長，從而提高氮化硅陶瓷的熱導率、高溫性能以及機械性能。近年來，人們對燒結助劑的研究山單一添加劑向兩種或兩種以上的復合添加劑發(fā)展，并且得出結論，采用兩種或兩種以上添加劑構成的復合添加劑，可改善液相粘度，提高晶間相的軟化溫度和高溫性能：但是，人們在燒結氮化硅陶瓷時發(fā)現(xiàn)，氧化物燒結助劑的引入還會導致 Si₃N₄晶格氧含量的提高，另外某些燒結助劑會固溶入 Si3N4 ，晶格形成固溶體，從而影響氮化硅陶瓷熱導率的提高。目前選擇燒結添加劑多基于控制液相粘度，提高相轉變，防止固溶體的形成，降低晶格氧含量以及控制玻璃相組成和含量等幾方面，常用燒結添加劑有稀土金屬氧化物、氮化硅鎂、氧化鋁等。所以為了獲得高熱導率陶瓷，所選的燒結添加劑應其有以下優(yōu)點：

(l）在燒結過程中能促進α-β的相變，獲得高β相含量的氮化硅陶瓷；

(2）可以促進晶粒生長、發(fā)育，從而提高熱導率；

(3）燒結助劑應該盡量少引入氧雜質及其它雜質；

(4）防止燒結過程中固溶體的形成。 sung 等在燒結氮化硅陶瓷時加入 AIN 作為燒結添加劑，研究其不同含量對氮化硅熱導率的影響，結果發(fā)現(xiàn)在燒結中 AIN 抑制了 a 一 p 相轉變，并且 AIN 含量越多，相組成中α/β越大，氮化硅熱導率越低。 Kitayama 等認為稀土離子（如La³⁺、Nd³⁺、Gd³⁺、Y³⁺、Yb³⁺、Sc³⁺等）在氮化硅燒結中的液相粘度隨稀土離子半徑的減小而增大，擴散速率下降，燒結動力山界而反應控制逐漸過渡為擴散傳質控制，使得晶粒發(fā)育更為完善，熱導率逐漸提高。由于晶格氧含量對氮化硅陶瓷的熱導率影響較大，梁振華、彭桂花等分別以 MgsiN₂ 和 MgsiN₂與Y₂O₃的混合物作為燒結助劑，在1750°C熱壓燒結法制備了高導熱率P-Si3N4陶瓷。熱導率的測試結果表明，以MgsiN₂作為燒結助劑的熱導率為 90w/(m·K)，而以 MgsiN₂與Y203的混合物作為燒結助劑的熱導率只有70W/(m·K)。Hayashid 等以Yb2O3一 MgsiN2和Yb2o3認一Mgo作為燒結助劑，通過氣壓燒結制備了 

   氮化硅陶瓷，并對熱導率進行了檢測。結果發(fā)現(xiàn)，采用Yb2o3一 MgsiN2 復合燒結助劑制備的Si4N3陶瓷熱導率更高（最高可達 l40/ ( m · K ) ）。這是由于當晶粒尺寸較大時（晶粒尺寸>1um) , MgsiN2不會在晶格中引入氧雜質，故熱導率較高。

4 高熱導率氮化硅陶瓷的力學性能和介電性能

   經過各國研究者們的不斷努力，目前氮化硅陶瓷的熱導率得到了大幅度的提升， You zhou等用反應燒結重燒結的方法，即先用氣壓燒結的方法燒結成致密的β-Si3N4陶瓷，然后在 l900 ℃ 下再次燒結60小時，得到了目前為止熱導率最高的氮化硅陶瓷為177w/(m·K。因此氮化硅被認為是未來的大功率散熱基板材料。但是作為大功率散熱基板材料，也必須要具備良好的力學性能和介電性能，其中力學性能主要有彎曲強度、抗熱震性、斷裂韌性等方面。介電性能則主要是介電損耗和介電常數(shù)，作為大功率氮化硅散熱基板材料，應該具有較低的介電損耗和介電常數(shù)。

   目前，人們對高熱導率陶瓷力學性能、電學性能的研究逐漸增多系統(tǒng)研究了燒結助劑含量對氮化硅陶瓷的力學性能、熱導率的影響：在實驗中，選擇α-Si3N4粉為原料，CeO2為燒結助劑，在燒結溫度為1800 ℃ ，氮氣壓力 30 MPa 的條件下用熱壓燒結的方法制備出高致密的氮化硅陶瓷。研究表明，燒結助劑的含量對氮化硅陶瓷的力學性能影響巨大。當 Ceo2 含量為 Zmol ％時，材料的彎曲強度和斷裂韌性都達到最大，分別為1067.2M Pa 和 8 . 31 MPa.m^1/2。當 Ceo2 含量為 7mo1 ％時，氮化硅陶瓷材料熱導率增加最多為38.7 ％。

    通過常壓燒結制備出高致密度燒結坯，隨后放入熱等靜壓設備中進一步致密化處理來提高材料的抗熱震性能。結果表明，采用熱等靜壓燒結處理過的氮化硅陶瓷抗熱震溫度能提高 l00 ℃ 。在該實驗中，作者用臨界應力斷裂理論抗熱沖擊參數(shù) R 從理論上表明氮化硅陶瓷經過熱等靜壓處理性能得到提高但是熱等靜壓處理提高抗熱震性的掃 L 理還有待進一步分析研究。以Si3N4微粉、Si粉、C粉為原料，加入 MgO 和Y2o3為燒結助劑，用熱壓燒結法制備了 SiC / Si3N4復合材料。研究了燒結溫度和Si、 C 的加入量對該復合材料的抗熱震性能的影響，并初步探討了抗熱震機理結果表明：當燒結溫度為 l850℃，Si、C的含量為5wt.％時，其抗熱震性能最好，熱震殘余強度在臨界熱震溫差處比單相 Si3N4陶瓷提高廠9 .6 ％?？篃嵴鹦阅艿奶岣呤歉邿釋省⒏邚姸?、高韌性綜合作用的結果，線膨脹系數(shù)低導致在受到熱沖擊時內部的瞬時熱應力較?。徊牧系膹姸雀?，斷裂時就可以吸收更多的彈性應變能；材料的韌性好，可以吸收更多的斷裂能。因此該材料抗熱震性能提高。

   為了滿足大功率電子器件高速化、高可靠性的要求，當?shù)杼沾勺鳛榇蠊β驶迳岵牧蠒r，必須減少基板的背景噪音。這就要求氮化硅陶瓷介電常數(shù)應小于10，介電損耗在 l0-³，數(shù)量級探討了氮化硅陶瓷的致密度與介電常數(shù)、介電損耗的關系，發(fā)現(xiàn)隨著致密度的提高，介電常數(shù)增大。而在一定范圍內，隨著致密度的提高，材料的介電損耗降低，但是當致密度達到96.7%時，介電損耗卻在升高。這可能是由于較多的燒結助劑的加入導致產生了較多的玻璃相，而玻璃相會使材料的介電損耗增加。 xu W 等Mgo 和Ceo2作為燒結助劑，研究了在 1850℃ 和 1900 ℃ 保溫4h的β-Si3N4陶瓷的熱導率和介電常數(shù)，發(fā)現(xiàn)其熱導率分別為46w/(m·K)和79w/(m·K)，體電阻分別為2.72x10¹¹幾和 3.13 xl0Ω，相對介電常數(shù)為8.76和 8.85?？梢钥闯?，燒結溫度對介電常數(shù)有影響，但是在該文中并沒有探討介電常數(shù)受溫度影響的原因： MiyazakiH 等,在研究燒結助劑的含量與β一 Si ：洲 4 陶瓷的介電性質的關系中，發(fā)現(xiàn)通過在1300 ℃ 保溫 24h 使玻璃相晶化，可以有效降低介電損耗，但對介電常數(shù)的影響很小。因此，未來關于大功率氮化硅放熱基板材料介電常數(shù)、介電損耗的發(fā)展方向是研究氮化硅陶瓷的致密度、燒結助劑的種類和含量以及燒結溫度對介電常數(shù)、介電損耗的影響，以得到綜合性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。

5 總結

   研究證明，賡訛硅陶瓷具有高熱導率、熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，機械性能好、抗氧化性能力強、電絕緣性好、對環(huán)境無污染等優(yōu)點，因此是未來大功率散熱基板的首選材料。自從發(fā)現(xiàn)氮化硅陶瓷具有高熱導率后，獲得接近理論熱導率的氮化硅陶瓷一直處于研究的熱點,尤其是近年來，人們?yōu)榱私鉀Q高熱導率氮化硅陶瓷的實際應用問題，逐漸增加了對它機械性能、介電性能的研究，并取得了一系列的成果。本文主要從氮化硅陶瓷熱導率的影響因素、制備方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面綜述了最新的研究進展。并根據(jù)大功率散熱基板材料的應用要求，提出了一些高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢，主要包括：

( 1 ）低成本氮化硅陶瓷的制備：目前，高熱導率氮化硅陶瓷的燒結溫度一般在 1600-1900℃ ，制備原料為高純α一 Si3N4粉或者高純硅粉，在燒結過程中還要添加燒結助劑，這些都極大的增加了氮化硅陶瓷的制備成本，限制了其在工業(yè)中的廣泛應用。因此在提高熱導率的同時，低溫制備、尋找低成本原料、低成本燒結助劑仍是未來的發(fā)展趨勢。

( 2 ）氮化硅陶瓷增韌的研究：由于大功率電子器件的形式多種多樣，散熱基板也必須朝著多樣化方面發(fā)展。這就要求作為基板的材料具有良好的加工性能。硬而脆是陶瓷的特點，導致加仁成型困難，從而增加了加工成本因此研究氮化硅陶瓷的加工成型技術及制備和增強氮化硅陶瓷韌性是未來的發(fā)展方向

( 3 ）高熱導率氮化硅陶瓷熱導率、機械性能和介電性能方而的研究：目前文獻報道的實驗制備出氮化硅陶瓷的熱導率最大為 177 W/(m·K)但是其制備條件苛刻，不適用大規(guī)模生產。因此研究開發(fā)簡單有效的制備方法提高氮化硅的熱導率也是研究的發(fā)展方向之一,同時雖然對氮化硅陶瓷的機械性能和介電性能的研究已取得了一些成果，但現(xiàn)階段研究還主要集中在燒結溫度、燒結助劑種類和含量、致密度等各單量對機械性能和介電性能的簡單影響關系，而各種綜合條件對機械性能和介電性能的深層次影響機理的研究還處于初級階段。

( 4 ）對燒結助劑的研究趨向于低成本、無氧化合物或者能夠降低晶格中氧含量等方向。由于燒結助劑能夠降低燒結溫度，促進氮化硅的擴散結晶，因此是目前燒結氮化硅陶瓷的必備成分：為了降低氮化硅陶瓷的成本，要求燒結助劑的成本越低越好，同時因為氧元素存在會降低熱導率，因此未來對不含氧元素、或者能夠除去氮化硅中本身氧元素的燒結助劑研究將會增加。