隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

HTCC基板制備過程中先將陶瓷粉(Al₂O₃或AlN)加入有機黏結(jié)劑，混合均勻后成為膏狀陶瓷漿料，接著利用刮刀將陶瓷漿料刮成片狀，再通過干燥工藝使片狀漿料形成生胚;然后根據(jù)線路層設(shè)計鉆導(dǎo)通孔，采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料進行布線和填孔，最后將各生胚層疊加，置于高溫爐(1600℃)中燒結(jié)而成。目前已應(yīng)用于高頻無線通信領(lǐng)域、航空航天、存儲器、驅(qū)動器、濾波器、傳感器以及汽車電子等領(lǐng)域。

根據(jù)Market Watch的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2021年全球HTCC陶瓷基板市場規(guī)模約為22.12億美元，預(yù)計2028年達到38.75億美元，年復(fù)合增長率為8.3%左右。HTCC陶瓷基板行業(yè)市場集中度比較高，前三大廠商日本京瓷，日本丸和與日本特陶占據(jù)80%的全球HTCC陶瓷市場份額，行業(yè)內(nèi)主要競爭者數(shù)量少，屬于寡頭競爭。

LTCC基板（低溫共燒陶瓷）

為了降低HTCC制備工藝溫度，同時提高線路層導(dǎo)電性，業(yè)界開發(fā)了LTCC基板。與HTCC制備工藝類似，只是LTCC制備在陶瓷漿料中加入了一定量玻璃粉來降低燒結(jié)溫度，同時使用導(dǎo)電性良好的Cu、Ag和Au等制備金屬漿料。LTCC基板制備溫度低，但生產(chǎn)效率高，可適應(yīng)高溫、高濕及大電流應(yīng)用要求，在軍工及航天電子器件中得到廣泛應(yīng)用。

根據(jù)Market Watch發(fā)布的報告，2022年LTCC陶瓷基板的市場規(guī)模預(yù)計可達12.949億美元，預(yù)計2028年市場規(guī)模將達到18.682億美元，年復(fù)合增長率為6.3%。全球LTCC陶瓷基板的主要供應(yīng)商包括村田制作所，日本京瓷，TDK株式會社等。

DPC基板（直接電鍍陶瓷基板）

其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積Ti/Cu層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。

根據(jù)HNY research發(fā)布數(shù)據(jù)，2021年全球DPC陶瓷基板市場規(guī)模大約為21億美元，預(yù)計2027年將達到28.2億美元，2022-2027期間年復(fù)合增長率(CAGR)為5.07%。全球主要的DPC陶瓷基板供應(yīng)商包括日本京瓷、日本丸和、臺灣同欣電子等。

DBC基板（直接鍵合銅陶瓷基板）

該基板由陶瓷基片(Al2O3或AlN)與銅箔在高溫下(1065℃)共晶燒結(jié)而成，最后根據(jù)布線要求，以刻蝕方式形成線路。DBC具有導(dǎo)熱性好、絕緣性強、可靠性高等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于IGBT、LD和CPV封裝。

QY Research調(diào)研顯示，2021年全球DBC陶瓷基板市場規(guī)模大約為3億美元，預(yù)計2028年將達到5.5億美元，2022-2028期間年復(fù)合增長率(CAGR)為9.0%。主要DBC陶瓷基板廠商包括美國Rogers、韓國KCC、日本Ferrotec旗下的江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司等。

AMB基板（活性金屬焊接陶瓷基板）

AMB陶瓷基板是DBC工藝的進一步發(fā)展，該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來實現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接，其鍵合強度高、可靠性好。該工藝相較于DBC工藝鍵合溫度低、易操作

根據(jù)QY Research報告，2021年AMB陶瓷基板市場規(guī)模約為0.9億美元，預(yù)計2028年增長到3.8億美元，復(fù)合增長率高達22.7%。主要供應(yīng)商包括美國Rogers、德國Heraeus、日本電化株式會社(Denka)、日本同和(DOWA)。

材料方面，氮化鋁，氮化硅將會起飛

目前陶瓷基板的主要材料以氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）三類為主。氧化鋁陶瓷基板價格低廉(約為氮化鋁的1/10)，生產(chǎn)工藝成熟，目前產(chǎn)量最大，應(yīng)用面最廣。但是，氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性能已無法滿足大功率芯片的散熱要求。