陶瓷基板在五大領(lǐng)域的應(yīng)用

陶瓷基板在芯片當(dāng)中的應(yīng)用

陶瓷基板的使用就是陶瓷芯片,在led多采用陶瓷基板做成芯片，以實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)熱性能。此外

◆大功率電力半導(dǎo)體模塊；

◆半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器；功率控制電路，功率混合電路。

◆智能功率組dao件；高頻開(kāi)關(guān)電源，固態(tài)繼電器。

◆汽車(chē)電子，航天航空及軍用電子組件。

◆太陽(yáng)能電池板組件；電訊專(zhuān)用交換機(jī)，接收系統(tǒng)；激光等工業(yè)電子

也多使用陶瓷基板做成陶瓷芯片，改用陶瓷基板做芯片后，產(chǎn)品功能更加完善，良好的散熱效果和絕緣性解決了很多問(wèn)題。

陶瓷基板在三代半導(dǎo)體的應(yīng)用

以baiMOSFET、IGBT、晶閘管等為代表的主流功du率器件在各自的頻率zhi段和電源功率段占有一席之dao地。IGBT綜合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)勢(shì)，有輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)速度快，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，又有輸出電流密度大，通態(tài)壓降下，電壓耐壓高的優(yōu)勢(shì)，電壓一般從600V~6.5kV。IGBT優(yōu)勢(shì)通過(guò)施加正向門(mén)極電壓形成溝道，提供晶體管基極電流使IGBT導(dǎo)通，反之，若提供反向門(mén)極電壓則可消除溝道，使IGBT因流過(guò)反向門(mén)極電流而關(guān)斷。比較而言，IGBT開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET，卻明顯高于GTR；IGBT的通態(tài)壓降同GTR接近，但比功率MOSFET低很多；IGBT的電流、電壓等級(jí)與GTR接近，而比功率MOSFET高。由于IGBT的綜合優(yōu)良性能，已經(jīng)取代GTR，成為逆變器、UPS、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率開(kāi)關(guān)電源，尤其是現(xiàn)在炙手可熱的電動(dòng)汽車(chē)、高鐵等電力電子裝置中主流的器件。

氧化鋁陶瓷基板在電子電力領(lǐng)域的應(yīng)用

在電力電子領(lǐng)域，需要大電流，比如功率開(kāi)關(guān)電源、電力驅(qū)動(dòng)等，需要介質(zhì)陶瓷基板來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)熱性能，防止電流燒壞和短路。

氧化鋁陶瓷共燒板在鋰電池行業(yè)的應(yīng)用

隨著人工智能和環(huán)保的推薦，汽車(chē)行業(yè)也推出電力小轎車(chē)，電力轎車(chē)主要是通過(guò)電池蓄電，采用陶瓷基板做的鋰電池可以實(shí)現(xiàn)更好的電流和散熱功能。從而促進(jìn)新能源汽車(chē)的市場(chǎng)需求。

陶瓷基板在集成電路當(dāng)中的應(yīng)用

對(duì)于使用陶瓷基板的集成電路，其常規(guī)封裝過(guò)程為：來(lái)自前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后被切割為小的芯片（劃片），然后切割好的裸芯片從圓片上取下來(lái)貼裝到相應(yīng)的陶瓷基板的小島上（粘片），再利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線將裸芯片的接合焊盤(pán)連接到陶瓷基板的相應(yīng)引腳上（鍵合），并構(gòu)成所要求的電路；然后再對(duì)裸芯片和超細(xì)的金屬導(dǎo)線用黑膠加以封裝保護(hù)（涂覆）；涂覆后使用劃片機(jī)將陶瓷基板按預(yù)定大小分為單個(gè)電路（裂片）；然后進(jìn)行引線框焊接、清洗電路、引線框切筋等一系列操作，完成后進(jìn)行成品測(cè)試，通常經(jīng)過(guò)入檢和包裝等工序，最后入庫(kù)出貨。

小小尺寸的陶瓷基板 尺寸小于3mm*3mm的芯片通過(guò)技術(shù)也能實(shí)現(xiàn)小尺寸集成電路的封裝，因此對(duì)于集成電路的應(yīng)用也是越來(lái)也大，畢竟集成電路發(fā)展是精密化，微型化等特征。

以上是小編講述的陶瓷基板在五大應(yīng)用領(lǐng)域的用途，可以得出，陶瓷基板的用處是高端的，是市場(chǎng)需求的方向，也不斷推進(jìn)陶瓷基板的發(fā)展和科技技術(shù)的發(fā)展。