引言

電路板被很多人譽(yù)為電子產(chǎn)品之母，它是計(jì)算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車(chē)等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀全球技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)史，每一次技術(shù)進(jìn)步都直接或間接影響著全人類(lèi)。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會(huì)糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見(jiàn)。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于電路相關(guān)的工作人員來(lái)說(shuō)是個(gè)非常頭疼的問(wèn)題。1925年，來(lái)自美國(guó)的Charles Ducas提出了一個(gè)前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進(jìn)行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語(yǔ)“PCB”由此而來(lái)，這種方法使制造電器電路變得更為簡(jiǎn)單。

當(dāng)今世界科技飛速發(fā)展促進(jìn)電子器件向集成化、微型化、高功率密度的方向發(fā)展，因此給電子器件散熱帶來(lái)了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。良好散熱效果依賴于優(yōu)異的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、熱界面材料、散熱基板、封裝制造工藝等?；遄鳛槌休d集成電路芯片的載體，與電路直接接觸，電路產(chǎn)生的熱量需要通過(guò)基板向外疏散。選擇一種兼具高熱導(dǎo)率與良好電絕緣性的基板材料成為解決當(dāng)下電子器件散熱問(wèn)題的關(guān)鍵。

由于傳統(tǒng)覆銅板由于低的熱導(dǎo)率以及具有導(dǎo)電性限制了在當(dāng)今高功率器件中的應(yīng)用。因此開(kāi)發(fā)出具有高熱導(dǎo)率和良好的電氣互連的基板材料成為了當(dāng)下的研究重點(diǎn)方向。目前市面上的PCB從材料大類(lèi)上來(lái)分主要可以分為三種：普通基板、金屬基板、陶瓷基板。傳統(tǒng)的普通基板和金屬基板不能滿足當(dāng)下工作環(huán)境下的應(yīng)用。陶瓷基板具有絕緣性能好、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性能脫穎而出，是符合當(dāng)下高功率器件設(shè)備所需的性能要求。

介紹

1.1 陶瓷粉體

目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國(guó)家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開(kāi)始退出歷史的舞臺(tái)。碳化硅又因?yàn)槠浣^緣性差，無(wú)法應(yīng)用在微電子電路中。而Al2O3、AlN、Si3N4陶瓷粉體具有無(wú)毒、高溫穩(wěn)定性好、導(dǎo)熱性好，以及與Si、SiC和GaAs等半導(dǎo)體材料相匹配的熱膨脹系數(shù)，得到了廣泛推廣應(yīng)用。幾種粉體的熱導(dǎo)率和綜合評(píng)價(jià)如下表所示，目前主流用于制備陶瓷基板的粉體原料還是以氧化鋁和氮化鋁為主。

市場(chǎng)中粉體的制備方法主要有硅粉直接氮化法、自蔓延高溫合成法、碳熱還原法。

（1）硅粉直接氮化法和自蔓延高溫合成法是比較主流的方法，但由于反應(yīng)溫度接近甚至超過(guò)原料的熔點(diǎn)，往往造成產(chǎn)物形貌不規(guī)則、ɑ相含量低、團(tuán)聚嚴(yán)重，需要進(jìn)一步破碎，在后續(xù)處理中容易引入其他雜質(zhì)；

（2）碳熱還原法是具有原料豐富、工藝簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn)，非常適合大批量生產(chǎn)；其中碳熱還原法成為目前最常用的粉體制備技術(shù)之一。

1.2 陶瓷基板制備工藝

預(yù)燒階段：在這個(gè)階段，陶瓷制品會(huì)被放入爐子中進(jìn)行預(yù)燒處理，用來(lái)去除陶瓷中的水分和有機(jī)物質(zhì)。高溫下，水分和有機(jī)物質(zhì)會(huì)被分解并釋放出來(lái)，讓制品干燥且有機(jī)物質(zhì)燃燒殆盡。這一階段的主要目的是為了減少燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生的氣泡等缺陷。

燒結(jié)階段：在預(yù)燒之后，制品會(huì)被加熱到高溫下進(jìn)行燒結(jié)。這個(gè)階段是陶瓷工藝中最關(guān)鍵的一步，也是最困難的一步。在高溫下，陶瓷顆粒會(huì)開(kāi)始熔化和結(jié)合在一起，形成一個(gè)堅(jiān)固的陶瓷結(jié)構(gòu)。這一階段需要控制好溫度、時(shí)間和壓力等因素，使得陶瓷能夠充分結(jié)合，而不會(huì)出現(xiàn)燒結(jié)不完全或者表面開(kāi)裂等缺陷。

冷卻階段：在燒結(jié)完成后，制品需要進(jìn)行冷卻，使得陶瓷結(jié)構(gòu)能夠逐漸穩(wěn)定下來(lái)。如果制品過(guò)早地被取出爐子，容易導(dǎo)致熱應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋。因此，一般會(huì)采取緩慢冷卻的方式，讓制品溫度逐漸降下來(lái)。在冷卻過(guò)程中，還需要將爐門(mén)緩慢地打開(kāi)，逐漸將爐內(nèi)壓力和爐外壓力平衡，以避免制品瞬間受到外界壓力而發(fā)生破裂。

高導(dǎo)熱性非金屬固體通常具備以下４個(gè)條件：構(gòu)成的原子要輕、原子間的結(jié)合力要強(qiáng)、晶格結(jié)構(gòu)要單純、晶格振動(dòng)的對(duì)稱性要高。陶瓷材料的導(dǎo)熱性的影響因素：（1）原料粉體，原料粉體的純度、粒度、物相會(huì)對(duì)材料的熱導(dǎo)率、力學(xué)性能產(chǎn)生重要影響。由于非金屬的傳熱機(jī)制為聲子傳熱，當(dāng)晶格完整無(wú)缺陷時(shí)，聲子的平均自由程越大，熱導(dǎo)率越高，而晶格中的氧往往伴隨著空位、位錯(cuò)等結(jié)構(gòu)缺陷，顯著地降低了聲子的平均自由程，導(dǎo)致熱導(dǎo)率降低；

陶瓷基板金屬化

目前導(dǎo)熱的陶瓷基板可分為HTCC（高溫共燒多層陶瓷）、LTCC（低溫共燒陶瓷）、DBC（直接鍵合銅陶瓷基板） 和DPC（直接鍍銅陶瓷基板）、活性金屬纖焊陶瓷基板（AMB）等幾種形式，其特點(diǎn)如下。

對(duì)于大功率器件而言，基板除具備基本的機(jī)械支撐與電互連功能外，還要求具有高的導(dǎo)熱性能。因?yàn)镠TCC/LTCC的熱導(dǎo)率較低，因此在高功率的器件以及IGBT模組的使用場(chǎng)景中散熱基板目前主要以DBC、DPC、AMB三種金屬化技術(shù)為主。

2.1 DPC技術(shù)

DPC技術(shù)是先其制作首先將陶瓷基片進(jìn)行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積 Ti/Cu 層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。 關(guān)鍵技術(shù)涉及激光打技術(shù)、避免孔壁熔渣、鍍銅的一致性、填孔效果等。

DPC 技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：(1) 低溫工藝（300 ℃以下），完全避免了高溫對(duì)材料或線路結(jié)構(gòu)的不利影響，也降低了制造工藝成本；(2) 采用薄膜與光刻顯影技術(shù)，使基板上的金屬線路更加精細(xì)（線寬尺寸 20~30 m，表面平整度低于 0.3 m，線路對(duì)準(zhǔn)精度誤差小于±1%），因此 DPC 基板非常適合對(duì)準(zhǔn)精度要求較高的電子器件封裝。 

2.2 DBC技術(shù)

DBC是陶瓷基片與銅箔在高溫下（1065℃）共晶燒結(jié)而成，最后根據(jù)布線要求，以刻蝕方式形成線路。由于銅箔具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力，而氧化鋁能有效控制 Cu-Al2O3- Cu 復(fù)合體的膨脹，使 DBC 基板具有近似氧化鋁的熱膨脹系數(shù)。關(guān)鍵技術(shù)涉及鍵合工藝、如何減少孔隙、翹曲的控制、精確控溫、氧化層的控制等。

DBC 具有導(dǎo)熱性好、 絕緣性強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于 IGBT、LD 和 CPV 封裝。DBC 缺點(diǎn)在于， 其利用了高溫下 Cu 與 Al2O3間的共晶反應(yīng)，對(duì)設(shè)備和工藝控制要求較高，基板成本較高；由于 Al2O3 與 Cu 層間容易產(chǎn)生微氣孔，降低了產(chǎn)品抗熱沖擊性；由于銅箔在高溫下容易翹曲變形。

2.3 AMB技術(shù)

AMB工藝是金屬釬料實(shí)現(xiàn)氮化鋁與無(wú)氧銅的高溫結(jié)合，以結(jié)合強(qiáng)度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì)。AMB陶瓷基板缺點(diǎn)在于工藝的可靠性很大程度上取決于活性釬料成分、焊工藝、舒焊層組織結(jié)構(gòu)等諸多關(guān)鍵因素，工藝難度大，而且還要兼顧成本方面的考慮。

應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 高鐵、新能源汽車(chē)、風(fēng)力、5G基站用IGBT模塊 

由于 IGBT輸出功率高，發(fā)熱量大，散熱不良將損壞 IGBT 芯片，因此對(duì) IGBT封裝而言，散熱是關(guān)鍵，必須選用陶瓷基板強(qiáng)化散熱。氮化鋁、氮化硅陶瓷基板具有熱導(dǎo)率高、與硅匹配的熱膨脹系數(shù)、高電絕緣等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于 IGBT 以及功率模塊的封裝。廣泛應(yīng)用于軌道交通、航天航空、電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力、太陽(yáng)能發(fā)電等領(lǐng)域。

LED封裝

縱觀LED技術(shù)發(fā)展，功率密度不斷提高，對(duì)散熱的要求也越來(lái)越高。由于陶瓷具有的高絕緣、高導(dǎo)熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是采用通孔互聯(lián)技術(shù)，可有效滿足LED倒裝、共晶、COB(板上芯片)、CSP(芯片規(guī)模封裝)、WLP (圓片封裝)封裝需求，適合中高功率LED封裝。

光伏/芯片模組

光伏發(fā)電是根據(jù)光生伏特效應(yīng)原理，利用太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)光直接轉(zhuǎn)化為電能。由于聚焦作用導(dǎo)致太陽(yáng)光密度增加，芯片溫度升高，必須采用陶瓷基板強(qiáng)化散熱。實(shí)際應(yīng)用中，陶瓷基板表面的金屬層通過(guò)熱界面材料(TIM)分別與芯片和熱沉連接，熱量通過(guò)陶瓷基板快速傳導(dǎo)到金屬熱沉上，有效提高了系統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換效率與可靠性。

行業(yè)分析

陶瓷基板具備散熱性好、耐熱性好、熱膨脹系數(shù)與芯片材料匹配、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于大功率電子模塊、航空航天、軍工電子等產(chǎn)品。高功率IGBT、SiC 功率器件搭載上車(chē)，刺激上游陶瓷基板的需求，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，近期多個(gè)公司宣布陶瓷基板項(xiàng)目的投產(chǎn)或擴(kuò)建計(jì)劃。

全球陶瓷基板市場(chǎng)火爆，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增加

根據(jù)華西證劵研究所報(bào)告顯示，2020 年全球陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 89 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年全球規(guī)模將達(dá)到 172.9 億美元，漲幅達(dá)到 94.27%，市場(chǎng)前景廣闊。

高功率IGBT模塊持續(xù)推動(dòng)DBC/AMB陶瓷基板市場(chǎng)擴(kuò)大

DBC 陶瓷基板具有高強(qiáng)度、 導(dǎo)熱性能強(qiáng)以及結(jié)合穩(wěn)定的優(yōu)質(zhì)性能，而 AMB 陶瓷基板是在 DBC 的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的， 結(jié)合強(qiáng)度相對(duì)更高。近年來(lái)隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能行業(yè)的快速發(fā)展， IGBT 功率模塊的需求快速增長(zhǎng)，對(duì)于 DBC、 AMB 陶瓷基板的需求也不斷增加。目前 DBC 陶瓷基板主要生產(chǎn)廠家有羅杰斯、賀利氏集團(tuán)、高麗化工等；AMB 陶瓷基板主要生產(chǎn)廠家有羅杰斯、日本京瓷、日本丸和等。

LED需求量提高

LED 芯片對(duì)于散熱要求極為苛刻，車(chē)載照明將進(jìn)一步提升 AlN 基板的需求。 目前單芯片 1W 大功率 LED 已產(chǎn)業(yè)化， 3W、 5W，甚至 10W 的單芯片大功率 LED 也已推出，并部分走向市場(chǎng)。這使得超高亮度 LED 的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，從特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域逐步走向普通照明市場(chǎng)。由于 LED 芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型 LED 的封裝技術(shù)提出了更高的要求。而傳統(tǒng)的基板無(wú)法承載高功率的熱能，氮化鋁陶瓷具有良好的導(dǎo)熱和絕緣性能，能夠提高 LED 功率水平和發(fā)光效率。功率 LED 已經(jīng)在戶外大型看板、小型顯示器背光源、車(chē)載照明、室內(nèi)及特殊照明等方面獲得了大量應(yīng)用。DPC 陶瓷基板憑借其電路精度高且制備溫度低的特點(diǎn)，被廣泛用于高精度、小體積封裝產(chǎn)品中，在高功率發(fā)光二極管中被廣泛使用。數(shù)據(jù)顯示，2020 年 DPC 陶瓷基板全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 12 億美元，預(yù)計(jì) 2026 年達(dá)到 17 億美元。

第三代半導(dǎo)體SIC加速上車(chē)-AMB急速獲益

SiC 加速上車(chē)，AMB 隨之受益，Si3N4陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第 3代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近，使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩(wěn)定。雖然國(guó)內(nèi)AMB 技術(shù)有一定積累，但產(chǎn)品主要是 AIN-AMB基板，受制于Si3N4基片技術(shù)的滯后，國(guó)內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)Si3N4-AMB的商業(yè)化生產(chǎn),核心工藝被美國(guó) Rogers、德國(guó) Heraeus和日本京瓷、東芝高材、韓國(guó) KCC 等國(guó)外企業(yè)掌握。

總結(jié)