隨著用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜，組件供應(yīng)商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足芯片生產(chǎn)當(dāng)前和未來(lái)的需求?；谏疃葍?nèi)部研發(fā)，由高性能S提高芯片質(zhì)量。

   由碳化硅和特定數(shù)量的金屬硅制成的SiSiC（硅滲透碳化硅）板，它們構(gòu)成了靜電吸盤的基礎(chǔ)。這些晶圓卡盤用于芯片生產(chǎn)的半導(dǎo)體機(jī)械中，以在機(jī)器中精確定位硅晶圓，利用靜電場(chǎng)在真空條件下夾持晶圓。碳化硅作為最硬的陶瓷材料，不僅提供了實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程所需的剛度和絕對(duì)平坦度，而且還提供了出iSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實(shí)現(xiàn)了材料特性的最佳平衡，有助于色的導(dǎo)熱性以及熱沖擊、耐磨性和耐腐蝕性。

一、在半導(dǎo)體機(jī)械中最佳使用的材料成分關(guān)鍵

   在生產(chǎn)這些板時(shí)，平衡對(duì)高度均勻和精煉材料的需求，同時(shí)保持盡可能高的導(dǎo)電性是一個(gè)挑戰(zhàn)。該材料盡可能均勻，這意味著導(dǎo)電游離子硅部分盡可能均勻地分布在微結(jié)構(gòu)中，同時(shí)保持最佳導(dǎo)電性。

這使得碳化硅表面的高精度微結(jié)構(gòu)化成為可能，并最終更準(zhǔn)確地處理硅晶片，這對(duì)芯片質(zhì)量和可獲得的芯片結(jié)構(gòu)有直接影響。

二、最新制造工藝的元器件匹配需求

   光刻是利用光在硅片上印刷微小的圖案，是大規(guī)模生產(chǎn)計(jì)算機(jī)芯片的基本步驟，新一代光刻機(jī)現(xiàn)在處于物理可能性的最前沿。

作為一個(gè)小而重要的組件，碳化硅陶瓷基板被納入計(jì)算機(jī)芯片制造商使用的高度先進(jìn)的EUV（極紫外）光刻系統(tǒng)之前經(jīng)過(guò)了精加工工藝，這使得存儲(chǔ)芯片上的硅特征尺寸縮小到幾納米，并且未來(lái)的處理器，以滿足由5G、loT或自動(dòng)駕駛應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的不斷增長(zhǎng)的需求。

有些客戶在碳化硅陶瓷基板上執(zhí)行這種添加定制圖案的精加工工藝，鑒于全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)的預(yù)期增長(zhǎng)已經(jīng)體現(xiàn)在安裝的 EUV光刻系統(tǒng)數(shù)量不斷增加，因此半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)商可以從使用高質(zhì)量基礎(chǔ)材料來(lái)提高效率和生產(chǎn)力中受益。