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[行業(yè)動態(tài)]直接鍍銅（DPC）陶瓷基板主要生產(chǎn)工藝流程

DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。

2024-09-18 http://www.ymmxhf.cn/Article/zhijiedutongDPCtaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的制作工藝

采用通過磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚工藝，在陶瓷基板上制作出超細(xì)線條電路圖形。

2024-07-03 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibandezhizuogo.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC、AMB、DPC 覆銅陶瓷基板的工藝流程

覆銅陶瓷基板是通過特殊工藝在陶瓷基片單/雙表面結(jié)合銅材的基板，在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛，重要性僅次于芯片，是高功率高散熱產(chǎn)品的核心封裝材料之一。

2024-06-05 http://www.ymmxhf.cn/Article/DBCAMBDPCfutongtaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]深入了解陶瓷基板金屬化，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

在大功率電子器件使用中為實(shí)現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián)，陶瓷作為封裝基板材料，需對其表面進(jìn)行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優(yōu)良的密封性，金屬導(dǎo)電層的方阻和電阻率小，同時(shí)與陶瓷基板具有較強(qiáng)的附著力，陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導(dǎo)率。

2023-11-01 http://www.ymmxhf.cn/Article/shenruliaojietaociji.html
[常見問題]AMB金剛石覆銅板，可以用在哪里？

在目前所知的物質(zhì)中，金剛石是現(xiàn)存自然界中導(dǎo)熱率最高的材料，可達(dá)1000~2000W/(m·K)，此外，它還具有高電阻率和高擊穿場強(qiáng)、低介電常數(shù)、低熱膨脹等特點(diǎn)，因此在電子封裝領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-09-22 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBjingangshifutongb.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板制備方法

陶瓷金屬化技術(shù)起源于20世紀(jì)初期的德國，1935年德國西門子公司Vatter第一次采用陶瓷金屬化技術(shù)并將產(chǎn)品成功實(shí)際應(yīng)用到真空電子器件中，1956年Mo-Mn法誕生，此法廣泛適用于電子工業(yè)中的氧化鋁陶瓷與金屬連接。對于今天，大功率器件逐漸發(fā)展，陶瓷基板又因其優(yōu)良的性能成為當(dāng)今電子器件基板及封裝材料的主流，因此，實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬之間的可靠連接是推進(jìn)陶瓷材料應(yīng)用的關(guān)鍵。

2023-06-21 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibanzhibeifang.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板國產(chǎn)化突破，下游多點(diǎn)開花成長空間廣闊

熱是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵因素，根據(jù)化合積電，電子元器件 55%故障率來自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要依靠熱傳導(dǎo)方式，熱量沿著芯片-鍵合層-基板-散熱器傳導(dǎo)，最后通過對流耗散到空氣中。封裝基板作為大功率半導(dǎo)體器件重要的散熱通道，其選擇和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對性能至關(guān)重要。

2023-06-09 http://www.ymmxhf.cn/Article/DPCtaocijibanguochan.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解直接鍍銅（DPC）陶瓷基板

直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

2023-05-29 http://www.ymmxhf.cn/Article/yiwenliaojiezhijiedu.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板制備技術(shù)

陶瓷基板又稱陶瓷電路板，由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成。封裝基板起著承上啟下，連接內(nèi)外散熱通道的關(guān)鍵作用，同時(shí)兼有電互連和機(jī)械支撐等功能。陶瓷熱導(dǎo)率高、耐熱性好、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)低，是功率半導(dǎo)體器件封裝常用的基板材料。根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。

2023-04-28 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibanzhibeijish.html
[行業(yè)動態(tài)]芯片級封裝用DPC陶瓷基板結(jié)構(gòu)圖

基于薄膜電路工藝，通過磁控濺射實(shí)現(xiàn)陶瓷表面金屬化，通過電鍍形成的銅層和金層的厚度在1um~1mm內(nèi)任意定制。最小線距達(dá)到0.05mm...

2023-02-03 http://www.ymmxhf.cn/Article/xinpianjifengzhuangy.html
[常見問題]陶瓷基板磁控濺射DPC工藝的特點(diǎn)和優(yōu)勢

陶瓷基板磁控濺射DPC工藝的特點(diǎn)和優(yōu)勢陶瓷基板磁控濺射DPC工藝就是用磁控濺射的方法將銅與陶瓷基板牢牢的結(jié)合起來，所以陶瓷電路板的金屬結(jié)晶性能好，平整度好、線路不易脫落，并具有可靠穩(wěn)定的性能，從而有效提升芯片與基板的結(jié)合強(qiáng)度。那么磁控濺射DPC工藝有什么優(yōu)勢特點(diǎn)呢？磁控濺射的原理和過程如下：1，磁控濺射的基本過程濺射是一種在真空狀態(tài)下通過弧光放電的方式將鈦金屬材料沉積到基材表面，從而形成一層底層薄膜的真空工藝過程?；緸R射工藝如下：電子撞擊惰性氣體原子（通常氬），使其成為離子。這些高能離子在電場的作用下轟擊鈦靶。強(qiáng)烈的轟擊使目標(biāo)原子逃出材料表面，在電場的作用下最終在基板的表面形成一層薄膜，該原子層薄膜的厚度取決于濺射時(shí)間。2，磁控濺射全過程磁

2022-11-04 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibancikongjian.html
[行業(yè)動態(tài)]薄膜陶瓷電路板的制作工藝和技術(shù)優(yōu)勢

薄膜陶瓷電路板的制作工藝和技術(shù)優(yōu)勢薄膜陶瓷電路板也叫DPC直接鍍銅基板，是目前比較主流的陶瓷電路板制作工藝，今天小編就來闡述一下薄膜電路工藝以及技術(shù)優(yōu)勢。一，薄膜陶瓷電路板制作工藝通過磁控濺射、圖形化光刻、干法濕法蝕刻、電鍍加工工藝、在陶瓷基板上面加工超細(xì)密的圖形，做細(xì)密的線路和孔。在薄膜工藝中，薄膜電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜，并通過真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。薄膜工藝通過磁控濺射實(shí)現(xiàn)陶瓷表面金屬化，通過電鍍實(shí)現(xiàn)銅層和金層的厚度大于10微米以上，即DPC直接鍍銅基板。二，薄膜陶瓷電路板制作工藝技術(shù)優(yōu)勢陶瓷薄膜

2022-07-16 http://www.ymmxhf.cn/Article/baomotaocidianluband.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。該工藝首先利用真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍結(jié)合于銅金屬復(fù)合層，接著以黃光微影之光阻被復(fù)曝光、顯影、蝕刻、去膜工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍沉積方式增加線路的厚度，待光阻移除后即完成金屬化線路制作。DPC 陶瓷基板體積小、結(jié)構(gòu)精密、可靠性要求高、工藝流程復(fù)雜、生產(chǎn)過程精細(xì)，屬于技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)壁壘。其生產(chǎn)工藝主要涉及打孔、磁控濺射、化學(xué)沉

2022-07-14 http://www.ymmxhf.cn/Article/DPCtaocijibanzhuyaoj.html
[常見問題]優(yōu)質(zhì)氮化鋁陶瓷覆銅板制作工藝具體方法

優(yōu)質(zhì)氮化鋁陶瓷覆銅板制作工藝具體方法優(yōu)質(zhì)高強(qiáng)度氮化鋁陶瓷覆銅板能解決隨著電力半導(dǎo)體模塊電流容量和功率密度的不斷提高，單位面積功耗大大增加，引起的大功率模塊的散熱關(guān)鍵詞問題。氮化鋁陶瓷覆銅板能替代氧化鋁陶瓷覆銅板，是因?yàn)榈X陶瓷覆銅板的導(dǎo)熱能力更高。氧化鋁基陶瓷覆銅板（Al2O3DBC基板）由于具有優(yōu)良的機(jī)械性能和很高的電絕緣強(qiáng)度，且資源豐富、價(jià)格低廉，具有超高的性價(jià)比，在中、小功率電力半導(dǎo)體模塊制作的DBC基板中占有主導(dǎo)地位，但因其熱導(dǎo)率較低，線性膨脹系數(shù)與硅相差較大，所以Al2O3 DBC基板在大功率模塊制作中就顯得非常不足，而AlN陶瓷的絕緣性能和機(jī)械性能都很接近Al2O3陶瓷，且它的熱導(dǎo)率是Al2O3陶瓷的7倍左右，線膨脹系數(shù)與硅匹配性更好，因此氮

2022-05-30 http://www.ymmxhf.cn/Article/youzhidanhualvtaocif.html
[常見問題]陶瓷基板表面鍍膜技術(shù)都有哪些

陶瓷基板表面鍍膜技術(shù)都有哪些陶瓷基板導(dǎo)熱性好、絕緣性高、較低的介電常數(shù)和良好的高頻性能，被廣泛應(yīng)用到半導(dǎo)體器件、集成電路、通訊、醫(yī)療電子等產(chǎn)品領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷基片或者氮化鋁陶瓷基片經(jīng)過金屬化后具備更好的電氣性能。以下總結(jié)陶瓷基板表面鍍膜技術(shù)方法。一，直接敷銅法直接敷銅法是在AlN基片上，通過Cu-O共晶液相與Al2O3發(fā)生化學(xué)鍵合反應(yīng)而實(shí)現(xiàn)的。在制備AlN-DBC 基板之前，必須對AlN陶瓷表面進(jìn)行熱處理，以使其表面形成 Al2O3薄層，然后將銅箔貼于基板上，在1065℃左右形成Cu-O系共晶溶液，與Al2O3薄層發(fā)生鍵合反應(yīng)，從而使AlN和Cu結(jié)合在一起。直接敷銅法工藝過程中，要嚴(yán)格控制銅箔和AlN陶瓷基片預(yù)氧化的溫度、氣氛和時(shí)間，以使銅氧化生成 Cu2O，在界區(qū)與Al2O

2022-04-06 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibanbiaomiandu.html
[常見問題]厚度0.38mm，DPC陶瓷基板通孔怎么填飽滿

厚度0.38mm，DPC陶瓷基板通孔怎么填飽滿本文介紹了將直接鍍銅工藝（DPC）和填通孔技術(shù)相結(jié)合制備大功率LED（發(fā)光二極管）陶瓷基板的工藝流程,重點(diǎn)介紹了采用直流電鍍一步法、脈沖電鍍一步法和脈沖電鍍兩步法填通孔的常用配方和填充效果。DPC填孔工藝流程圖：制備大功率LED芯片基板的較佳方案是將DPC工藝和填通孔技術(shù)相結(jié)合，工藝流程如下圖。圖1 DPC陶瓷基板的制作工藝流程具體如下： (a)制備AlN陶瓷基片； (b)激光打孔;(c)磁控濺射過渡層；(d)過渡層上磁控濺射鈦鎢合金層；(e)濺射直接覆銅，獲得雙面薄層導(dǎo)電銅層；(f)通孔填充；(g)表面形成銅層線路；(h)電路表面進(jìn)行加工。電鍍填通孔填通孔鍍銅是利用電化學(xué)

2022-03-23 http://www.ymmxhf.cn/Article/houdu038mmDPCtaociji.html
[常見問題]磁控濺射鍍膜的優(yōu)劣勢

磁控濺射鍍膜的優(yōu)劣勢磁控濺射技術(shù)20世界70年代發(fā)展以來獲得了迅速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用，磁控濺射主要有以下優(yōu)勢和劣勢：　　一，磁控濺射鍍膜技術(shù)的優(yōu)勢1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷??；　　2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實(shí)現(xiàn)濺射；　　3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好；　　4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；　　5、濺射工藝可重復(fù)性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；　　6、能夠控制鍍層的厚度，同時(shí)可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大??；　　7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；　　8、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。　　二，磁控濺射鍍膜技術(shù)的劣勢　　1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子

2022-02-17 http://www.ymmxhf.cn/Article/cikongjianshedumodey.html
[常見問題]陶瓷基板鍍膜-磁控濺射技術(shù)

陶瓷基板鍍膜-磁控濺射技術(shù)陶瓷薄膜的制備方法即鍍膜技術(shù)有蒸鍍、電子束蒸鍍、濺射等，磁控濺射是20世界70年代發(fā)展起來的新型鍍膜技術(shù)，具有高速（鍍膜效率高）、低溫（襯底升溫小）、低損傷、簡便、清潔、鍍膜設(shè)備較為簡單等優(yōu)點(diǎn)。今天小編就來分享一下磁控濺射技術(shù)以及影響因素。磁控濺射是濺射方法中的一種，射頻磁控濺射制備陶瓷薄膜，一方面可以在大面積基片上面沉積薄膜，另一方面，磁控濺射可以在相對較低的工作氣壓得到較低的沉積率，也可以在較低的基片穩(wěn)定下，獲得高質(zhì)量的薄膜。濺射氣壓和濺射頻率會要影響陶瓷基板磁控濺射鍍膜的質(zhì)量嗎？一，濺射氣壓變化對磁控濺射鍍膜質(zhì)量的影響隨著濺射氣壓升高，顆粒尺寸幾乎沒有什么變化，樣品中空氣缺陷隨著濺射氣壓的升高而減少。薄膜中主要元素B

2022-02-17 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibandumo-cikon.html