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氮化鋁陶瓷基板amb工藝優(yōu)勢

2838 2020-04-10
氮化鋁陶瓷基板amb

       氮化鋁陶瓷陶瓷amb工藝備受關注,工藝相對更加先進,被廣泛應用軌道交通、大功率電力半導體模塊、高頻開關、風力發(fā)電,新能源汽車、動力機車、航空航天等領域。今天小編就來分享一下:什么是氮化鋁陶瓷基板AMB工藝以及優(yōu)勢。

什么是amb氮化鋁覆銅陶瓷基板?

氮化鋁覆銅陶瓷基板是使用AMB(Active Metal Brazing)技術將銅箔釬焊到陶瓷表面的一種散熱基礎材料。相比于傳統(tǒng)的DBC基板,使用AMB工藝制得的氮化鋁覆銅陶瓷基板不僅具有更高的熱導率、銅層結(jié)合強度高等特點,而且其熱膨脹系數(shù)與硅接近,可應用于高電壓操作且沒有局部放電現(xiàn)象。以下是氮化鋁陶瓷基板 amb的技術參數(shù):


氮化鋁陶瓷基板amb技術參數(shù) 

關于覆銅陶瓷基板AMB工藝介紹:

 AMB (Active Metal Bonding,AMB|)的簡稱,就是活性金屬釬焊覆銅技術,顧名思義,依靠活性金屬釬料實現(xiàn)氮化鋁與無氧銅的高溫冶金結(jié)合,以結(jié)合強度高、冷熱循環(huán)可靠性好等優(yōu)點而備受關注,應用前景極為廣闊。但同時也應該看到,AMB工藝的可靠性很大程度上取決于活性釬料成分、釬焊工藝、釬焊層組織結(jié)構(gòu)等諸多關鍵因素,工藝難度大,而且還要兼顧成本方面的考慮。依據(jù)目前的市場調(diào)研結(jié)果來看,氮化鋁AMB覆銅板國內(nèi)相關研發(fā)機構(gòu)(生產(chǎn)企業(yè))與國外競爭對手存在較大的技術差距。

IGBT陶瓷基板.JPG

氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊領域的核心重要部件

氮化鋁陶瓷覆銅板是IGBT模塊的重要組成部件,其具有陶瓷的高導熱、高絕緣、高機械強度、低膨脹等特性,又兼具無氧銅的高導電性和優(yōu)異焊接性能,且能像PCB線路板一樣刻蝕出各種圖形。已成為新一代半導體(SiC)和新型大功率電力電子器件的首選封裝材料。

金瑞欣特種特種電路是專業(yè)的陶瓷基板生產(chǎn)廠家,主營氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板,陶瓷基板領域有深入的專研,氮化鋁陶瓷基板amb工藝,導熱更高,銅的結(jié)合更好。目前普通在使用的DPC工藝,DBC工藝以及高溫燒結(jié)我們目前也非常熟練。更多amb陶瓷基板的問題可以咨詢金瑞欣特種電路。

 


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