DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產設備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產設備DPC 陶瓷基板具備高線路精準度、高表面平整度、高絕緣及高導熱的特性，在半導體功率器件封裝領域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應用于大功率 LED、半導體激光器、 VCSEL等領域。直接鍍銅（...

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16 2022-12

Pcb陶瓷基板磚孔|覆銅|蝕刻工藝流程

總所周知，PCB陶瓷基板在沒有做加工之前是光板，呈灰白色，金華化后的PCB陶瓷基板具備更好的導熱性能、電器性能。今天小編就來分享一下PCB陶瓷基板的磚孔、覆銅、蝕刻的工藝以及流程。

09 2022-12

高導熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進展

摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論...

氮化硅散熱陶瓷基板

07 2022-12

高導熱率碳化硅陶瓷五大燒結方法

目前，氮化硅陶瓷的燒結方法主要有反應燒結法（RS）、熱壓燒結法（HPS）、常壓燒結發(fā)（PLS）和氣壓燒結法（GPS）等。1反應燒結法制備氮化硅最早的使用方法。先將硅粉和粘結劑通過干壓、等靜壓方法成型后，再在1200-1500°C溫度條件下...

碳化硅陶瓷基板

05 2022-12

高導熱率氧化硅陶瓷的影響因素（二）

高導熱率氮化硅陶瓷是獲得高導熱率氮化硅散熱基板的前提，而影響氮化硅陶瓷熱導率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、燒結時晶種的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形狀排列方式等都對氮化硅陶瓷的趙得率有著巨大的影響。在制備氮化硅陶瓷中，反...

碳化硅陶瓷基板

05 2022-12

關于高導熱率氧化硅散熱陶瓷的研究進展（一）

針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最...

氧化硅陶瓷基板

02 2022-12

用于先進芯片生產的碳化硅陶瓷基板應用

隨著用于半導體制造的光刻系統(tǒng)變得越來越復雜，組件供應商需要能夠提供最高質量的產品以滿足芯片生產當前和未來的需求?；谏疃葍炔垦邪l(fā)，由高性能S提高芯片質量。 由碳化硅和特定數(shù)量的金屬硅制成的SiSiC（硅滲透碳化硅）板，它們構成了靜電吸盤的...

碳化硅陶瓷基板