IGBT陶瓷基板

層數(shù)：2層
板厚：0.38mm
所用板材：99%氮化鋁
最小孔徑：0.8mm 表面處理：沉金
絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)：170W
外層銅厚：35um
金 厚：>=3u"
工藝特點(diǎn)：通孔、陶瓷基

氮化鋁陶瓷基板

層數(shù)：2層
板厚：1.0+/-0.1mm
所用板材：99%氮化鋁
最小孔徑：0.8mm
表面處理：沉金
絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)：50W
外層銅厚：35um
金 厚：>=3u"
工藝特點(diǎn)：通孔、陶瓷基

覆銅陶瓷基板

氧化鋁陶瓷覆銅板 氮化鋁陶瓷覆銅基板 工藝：氧化鋁表面覆銅 氮化鋁正板覆銅 銅厚：10~500um

LED氮化鋁陶瓷基板

層數(shù)：2層
板厚：1.0+/-0.1mm
所用板材：99%氮化鋁
最小孔徑：0.8mm
表面處理：沉金
絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)：170W
外層銅厚：35um
金 厚：>=3u"
工藝特點(diǎn)：通孔，陶瓷圍壩工藝

amb陶瓷基板

層數(shù)：2層
板厚：0.635+/-0.05mm
所用板材：96%氮化鋁
表面處理：鍍金
絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)：180W
外層銅厚：正面500um；反面200um
金 厚：>=10'
工藝特點(diǎn)：AMB工藝

氮化硅陶瓷基板

層數(shù)：1層
板厚：0.25mm
所用板材：96%氮化硅
表面處理：鍍金
絕緣層導(dǎo)熱系數(shù)：80W
外層銅厚：100um
金 厚：>=1um
工藝特點(diǎn)：AMB